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1. WO2020111086 - (メタ)アクリル化合物および感光性絶縁膜組成物

公開番号 WO/2020/111086
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046257
国際出願日 27.11.2019
IPC
C08F 20/34 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
34窒素を含有するエステル
C08F 290/14 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
290脂肪族不飽和の末端基または側基の導入により変性された重合体に,単量体を重合させて得られる高分子化合物
08不飽和側基の導入により変性された重合体への
14サブクラスC08Gに分類される重合体
C08G 73/10 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73グループC08G12/00~C08G71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
G03F 7/027 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
G03F 7/037 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
032結合剤をもつもの
037結合剤がポリアミド又はポリイミドであるもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C08F 20/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
20Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
10Esters
34Esters containing nitrogen ; , e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
C08F 290/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
290Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
08on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
14Polymers provided for in subclass C08G
C08G 73/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
73Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
G03F 7/027
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
G03F 7/037
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
032with binders
037the binders being polyamides or polyimides
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 服部 隼人 HATTORI Hayato
  • 遠藤 雅久 ENDO Masahisa
  • 平佐田 一樹 HIRASADA Kazuki
代理人
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke
優先権情報
2018-22342429.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) (METH)ACRYLIC COMPOUND AND PHOTOSENSITIVE INSULATION FILM COMPOSITION
(FR) COMPOSÉ (MÉTH)ACRYLIQUE ET COMPOSITION DE FILM D'ISOLATION PHOTOSENSIBLE
(JA) (メタ)アクリル化合物および感光性絶縁膜組成物
要約
(EN)
The invention provides a photosensitive resin composition yielding a cured body having low permittivity and low dielectric tangent, a method using the photosensitive resin composition for producing a base board equipped with a cured relief pattern, and a semiconductor device equipped with the cured relief pattern. The photosensitive resin composition contains (A) a resin and (B) a (meth)acrylic compound represented by formula [1a] (In formula [1a], R11 represents an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, each R21 represents independently a hydrogen atom or a methyl group, L1 represents a single bond or an oxymethylene group, L2 represents an organic group represented by formula [2a] or formula [3a], and n represents an integer from 1 to 6.) (In formula [2a], * represents a terminal bonded to the carbonyl group, L3 and L4 each independently represent an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms and optionally containing an ether bond.) (In formula [3a], * represents a terminal bonded to the carbonyl group, L5 represents a hydrocarbon group of valence (n+1) having 2 to 10 carbon atoms and optionally containing an ether bond.) and/or (B) a (meth)acrylic compound represented by formula [1a1] (In formula [1a1], R12 represents an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, each R22 represents independently a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer from 1 to 6.)
(FR)
L'invention concerne une composition de résine photosensible permettant d'obtenir un corps durci présentant une faible permittivité et une faible tangente diélectrique, un procédé utilisant la composition de résine photosensible pour produire une plaque de base pourvue d'un motif en relief durci, et un dispositif à semi-conducteur pourvu du motif en relief durci. La composition de résine photosensible contient (A) une résine et (B) un composé (méth)acrylique représenté par la formule [1a] (Dans la formule [1a], R11 représente un groupe alkyle présentant 2 à 30 atomes de carbone, chaque R21 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle, L1 représente une liaison simple ou un groupe oxyméthylène, L2 représente un groupe organique représenté par la formule [2a] ou la formule [3a], et n représente un nombre entier de 1 à 6.) (Dans la formule [2a], * représente un terminal lié au groupe carbonyle, L3 et L4 représentent chacun indépendamment un groupe alkylène présentant de 2 à 8 atomes de carbone et contenant éventuellement une liaison éther.) (Dans la formule [3a], * représente un terminal lié au groupe carbonyle, L5 représente un groupe hydrocarboné de valence (n +1) présentant 2 à 10 atomes de carbone et contenant éventuellement une liaison éther.) et/ou (B) un composé (méth)acrylique représenté par la formule [1a1] (Dans la formule [1a1], R12 représente un groupe alkyle présentant 2 à 30 atomes de carbone, chaque R22 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle, et n représente un nombre entier de 1 à 6.).
(JA)
低誘電率かつ低誘電正接の硬化体を与える感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いて硬化レリーフパターン付き基板を製造する方法、及び該硬化レリーフパターンを備える半導体装置を提供する。 (A)樹脂、及び(B)下記式[1a]: (式[1a]中、R11は炭素原子数2乃至30のアルキル基を表し、R21はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Lは単結合又はオキシメチレン基を表し、Lは式[2a]又は式[3a]で表される有機基を表し、nは1~6の整数を表す。) (式[2a]中、*はカルボニル基に結合する端を示し、L、Lはそれぞれ独立して、エーテル結合を含んでいてもよい炭素原子数2乃至8のアルキレン基を表す。) (式[3a]中、*はカルボニル基に結合する端を示し、Lはエーテル結合を含んでいてもよい炭素原子数2乃至10の(n+1)価の炭化水素基を表す。)で表される(メタ)アクリル化合物、及び/又は (B)下記式[1a1]: (式[1a1]中、R12は炭素原子数2乃至30のアルキル基を表し、R22はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、nは1~6の整数を表す。) で表される(メタ)アクリル化合物 を含む感光性樹脂組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報