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1. WO2020111069 - 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法

公開番号 WO/2020/111069
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046201
国際出願日 26.11.2019
IPC
B32B 27/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
27本質的に合成樹脂からなる積層体
C09J 11/06 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
11グループC09J9/00に分類されない接着剤の特徴,例.添加剤
02非高分子添加剤
06有機物
C09J 183/04 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
183主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づく接着剤;そのような重合体の誘導体に基づく接着剤
04ポリシロキサン
C09J 183/05 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
183主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づく接着剤;そのような重合体の誘導体に基づく接着剤
04ポリシロキサン
05水素と結合したけい素を含むもの
C09J 183/07 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
183主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づく接着剤;そのような重合体の誘導体に基づく接着剤
04ポリシロキサン
07不飽和脂肪族基に結合したけい素を含むもの
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
CPC
B32B 27/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
27Layered products comprising ; a layer of; synthetic resin
B32B 7/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
7Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
04Interconnection of layers
12using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
C09J 11/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
11Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
02Non-macromolecular additives
06organic
C09J 183/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
183Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
04Polysiloxanes
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 森谷 俊介 MORIYA, Shunsuke
  • 澤田 和宏 SAWADA, Kazuhiro
  • 新城 徹也 SHINJO, Tetsuya
代理人
  • 栗原浩之 KURIHARA, Hiroyuki
  • 山▲崎▼雄一郎 YAMAZAKI, Yuichiro
優先権情報
2018-22288528.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ADHESIVE AGENT COMPOSITION, LAYERED PRODUCT AND PRODUCTION METHOD FOR LAYERED PRODUCT, AND METHOD FOR REDUCING THICKNESS OF SEMICONDUCTOR FORMING SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION D'AGENT ADHÉSIF, PRODUIT EN COUCHES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR PRODUIT EN COUCHES, ET PROCÉDÉ DE RÉDUCTION D'ÉPAISSEUR DE SUBSTRAT DE FORMATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法
要約
(EN)
This adhesive agent composition is for forming an adhesive layer that provides, in a releasable manner, adhesion between a first base body comprising a semiconductor forming substrate and a second base body comprising a support substrate, and that contains a component (A) that is cured by a hydrosilylation reaction, and a release component (B) containing components including an epoxy modified polyorganosiloxane. The component (A) includes a polysiloxane (A1) including a siloxane unit (Q unit) represented by SiO2, etc., and a platinum group metal catalyst (A2). The polysiloxane (A1) includes a polyorganosiloxane (a1) including a siloxane unit (Q' unit) represented by SiO2, etc., and a polyorganosiloxane (a2) which includes a siloxane unit (Q'' unit) represented by SiO2, etc., and in which the amount of a functional group (Si-H) is 5.0 mol/kg or more.
(FR)
L'invention concerne une composition d'agent adhésif destinée à former une couche adhésive qui fournit, de manière libérable, une adhérence entre un premier corps de base comprenant un substrat de formation de semi-conducteur et un second corps de base comprenant un substrat de support, et qui contient un composant (A) qui est durci par une réaction d'hydrosilylation et un composant de libération (B) contenant des composants comprenant un polyorganosiloxane modifié par époxy. Le composant (A) comprend un polysiloxane (A1) comprenant une unité siloxane (unité Q) représentée par SiO2 etc., et un catalyseur métallique du groupe du platine (A2). Le polysiloxane (A1) comprend un polyorganosiloxane (a1) comprenant une unité siloxane (unité Q') représentée par SiO2 etc., et un polyorganosiloxane (a2) qui comprend une unité siloxane (unité Q'') représentée par SiO2 etc., et où la quantité d'un groupe fonctionnel (Si-H) est de 5,0 mol/kg ou plus.
(JA)
半導体形成基板からなる第1基体と支持基板からなる第2基体との間で剥離可能に接着する接着層を形成するための接着剤組成物であって、ヒドロシリル化反応により硬化する成分(A)と、エポキシ変性ポリオルガノシロキサンを含む成分を含む剥離成分(B)とを含み、前記成分(A)が、SiOで表されるシロキサン単位(Q単位)等を含むポリシロキサン(A1)と、白金族金属系触媒(A2)とを含み、前記ポリシロキサン(A1)が、SiOで表されるシロキサン単位(Q'単位)等を含むポリオルガノシロキサン(a1)と、SiOで表されるシロキサン単位(Q"単位)等を含み、且つ、官能基(Si-H)の量が、5.0mol/kg以上であるポリオルガノシロキサン(a2)とを含む接着剤組成物。
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