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1. WO2020111068 - レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法

公開番号 WO/2020/111068
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046194
国際出願日 26.11.2019
IPC
C08F 220/22 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
22ハロゲンを含有するエステル
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
C08F 220/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
22Esters containing halogen
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/26
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 阿部 翼 ABE Tsubasa
  • 若松 剛史 WAKAMATSU Gouji
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
優先権情報
2018-22414929.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE, FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法
要約
(EN)
The present invention is a composition for forming a resist underlayer film, which contains a compound having an aromatic ring, a polymer having a fluorine atom, and an organic solvent, and which is configured such that the polymer having a fluorine atom has a first structural unit represented by formula (1) and a second structural unit represented by formula (2). In formula (1), R1 represents a monovalent organic group having a fluorine atom and 1-20 carbon atoms; and R2 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms. In formula (2), R3 represents a monovalent hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms; and R4 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms.
(FR)
La présente invention concerne une composition pour former un film de sous-couche de réserve, qui contient un composé comprenant un cycle aromatique, un polymère comprenant un atome de fluor et un solvant organique, et qui est conçue de telle sorte que le polymère comprenant un atome de fluor comporte un premier motif structural représenté par la formule (1) et un second motif structural représenté par la formule (2). Dans la formule (1), R1 représente un groupe organique monovalent comprenant un atome de fluor et de 1 à 20 atomes de carbone ; et R2 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarbure monovalent comprenant de 1 à 20 atomes de carbone. Dans la formule (2), R3 représente un groupe hydrocarbure monovalent comprenant de 1 à 20 atomes de carbone ; et R4 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarbure monovalent comprenant de 1 à 20 atomes de carbone.
(JA)
本発明は、芳香環を有する化合物と、フッ素原子を有する重合体と、有機溶媒とを含有し、上記フッ素原子を有する重合体が、下記式(1)で表される第1構造単位と、下記式(2)で表される第2構造単位とを有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Rは、フッ素原子を有する炭素数1~20の1価の有機基である。Rは、水素原子又は炭素数1~20の1価の炭化水素基である。下記式(2)中、Rは、炭素数1~20の1価の炭化水素基である。Rは、水素原子又は炭素数1~20の1価の炭化水素基である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報