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1. WO2020111007 - 積層体、有機半導体デバイスおよびそれらの製造方法、並びに、組成物およびその組成物のキット

公開番号 WO/2020/111007
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046010
国際出願日 25.11.2019
IPC
H01L 51/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/26 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
26電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/283 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 21/283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
  • アイメック・ヴェーゼットウェー IMEC VZW [BE]/[BE]
発明者
  • 後藤 崇 GOTO Takashi
  • 中村 敦 NAKAMURA Atsushi
  • ケ トゥン フェイ KE Tung Huei
  • ロラン セドリック ROLIN Cedric
代理人
  • 特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.
優先権情報
2018-22522630.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LAMINATE, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHODS FOR MANUFACTURING LAMINATE AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITION, AND COMPOSITION KIT
(FR) STRATIFIÉ, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSITION ET KIT DE COMPOSITION
(JA) 積層体、有機半導体デバイスおよびそれらの製造方法、並びに、組成物およびその組成物のキット
要約
(EN)
A laminate having, in the sequence listed, a substrate, an organic layer, an electroconductive layer, a protective layer for protecting the surface of the electroconductive layer, and a photosensitive layer. The electroconductive layer is in contact with the organic layer and subjected to wet etching. The photosensitive layer includes a material in which the dissolution rate of the photosensitive layer in a developer solution changes due to the action of light and/or radiation. The present invention also pertains to a method for manufacturing the laminate. The present invention also pertains to an organic semiconductor device having the laminate, and a method for manufacturing the organic semiconductor device. The present invention also pertains to a composition used to form the laminate, and a kit including the composition.
(FR)
L'invention concerne un stratifié ayant, dans la séquence énumérée, un substrat, une couche organique, une couche électroconductrice, une couche de protection pour protéger la surface de la couche électroconductrice, et une couche photosensible. La couche électroconductrice est en contact avec la couche organique et soumise à une gravure humide. La couche photosensible comprend un matériau dans lequel la vitesse de dissolution de la couche photosensible dans une solution de révélateur change en raison de l'action de la lumière et/ou du rayonnement. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication dudit stratifié. La présente invention concerne également un dispositif à semi-conducteur organique ayant le stratifié, et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur organique. La présente invention concerne également une composition utilisée pour former le stratifié, et un kit comprenant la composition.
(JA)
積層体は、基材、有機層、導電層、導電層の表面を保護する保護層、および感光層をこの順に有し、導電層が、有機層に接し、かつ、ウェットエッチングされる対象である。感光層は、感光層の現像液に対する溶解速度が、光および放射線の少なくとも一方の作用により変化する材料を含む。また、本発明は、この積層体の製造方法に関する。また、本発明は、この積層体を有する有機半導体デバイス、およびこの有機半導体デバイスの製造方法に関する。さらに、本発明は、この積層体の形成に使用される組成物およびこの組成物を含むキットに関する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報