処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020110964 - ガスノズルおよびガスノズルの製造方法ならびにプラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/110964
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045873
国際出願日 22.11.2019
IPC
B24B 31/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
31工作物または砥粒が流動可能な状態で入れられているタンブリング装置,またはその他の装置によって工作物の表面を研磨しまたは艶出しするために設計された機械または装置;そのための附属装置
C04B 35/50 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
50希土類化合物を基とするもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
B05B 15/18 2018.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
B霧化装置;噴霧装置;ノズル
15他に分類されない噴霧設備または装置の細部;付属品
14噴霧装置またはその排出口への構造的損傷を防止または制御するための装置,例.任意の場所を壊すためのもの;破損した部品の取り扱いまたは交換のための装置
18耐摩耗性を向上させるためのもの,例.挿入物またはコーティング;磨耗を表示するためのもの;磨耗した部品の取り扱いまたは交換のためのもの
CPC
B05B 15/18
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
15Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
14Arrangements for preventing or controlling structural damage to spraying apparatus or its outlets, e.g. for breaking at desired places; Arrangements for handling or replacing damaged parts
18for improving resistance to wear, e.g. inserts or coatings; for indicating wear; for handling or replacing worn parts
B24B 31/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
31Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
C04B 35/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
50based on rare-earth compounds
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 野口 幸雄 NOGUCHI, Yukio
  • 左橋 知也 SAHASHI, Tomoya
代理人
  • 特許業務法人ブナ国際特許事務所 BUNA PATENT ATTORNEYS
優先権情報
2018-22055926.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GAS NOZZLE, METHOD FOR PRODUCING GAS NOZZLE, AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) BUSE À GAZ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE BUSE À GAZ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) ガスノズルおよびガスノズルの製造方法ならびにプラズマ処理装置
要約
(EN)
A gas nozzle of the present disclosure comprises a tube-shaped feed hole for guiding a gas and a spray hole connected to the feed hole. The gas nozzle is for spraying the gas from the spray hole and is formed from a single crystal or a ceramic whose primary component is: a rare earth element oxide; fluoride or acid fluoride; or an yttrium aluminum compound oxide. The arithmetic mean roughness Ra of the inner circumferential surface forming the feed hole is smaller on the gas outflow side than on the inflow side.
(FR)
Une buse à gaz selon la présente invention comprend un trou d'alimentation en forme de tube pour guider un gaz et un trou de vaporisation relié au trou d'alimentation. La buse à gaz est destinée à vaporiser le gaz à partir du trou de vaporisation et est formée à partir d'un monocristal ou une céramique dont le composant principal est: un oxyde d'élément des terres rares; du fluorure ou du fluorure acide; ou un oxyde de composé d'yttrium-aluminium. La rugosité moyenne arithmétique Ra de la surface circonférentielle interne formant le trou d'alimentation est plus petite sur le côté de sortie de gaz que sur le côté d'entrée.
(JA)
本開示のガスノズルは、ガスを案内する管状の供給孔と、該供給孔に接続する噴射孔とを備え、該噴射孔より前記ガスを噴射する、希土類元素の酸化物、フッ化物もしくは酸フッ化物またはイットリウムアルミニウム複合酸化物を主成分とするセラミックスまたは単結晶からなるガスノズルであって、前記供給孔を形成する内周面の算術平均粗さRaは、前記ガスの流入側より流出側の方が小さい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報