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1. WO2020110860 - 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法

公開番号 WO/2020/110860
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045454
国際出願日 20.11.2019
IPC
H02M 7/48 2007.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
CPC
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 柳本 辰則 YANAGIMOTO Tatsunori
  • 井本 裕児 IMOTO Yuji
  • 藤野 純司 FUJINO Junji
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-22315229.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SEMICONDUCTOR MODULE, POWER CONVERSION DEVICE, AND POWER SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置、電力用半導体モジュール、電力変換装置および電力用半導体モジュールの製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to improve the reliability of the interface of a surface electrode of a semiconductor device. The semiconductor device 104 is provided with: a semiconductor substrate 201; an upper surface electrode 109 that is a surface electrode provided on a first principal surface 201a of the semiconductor substrate 201 and a gate pad 109a; a protection film 112 provided on the periphery of the surface electrode; and a first metal film disposed separated from the protection film 112 in a region surrounded by the protection film 112 of the surface electrode. The first metal film is a cold spray film and joined with sheet-like wiring 106a by a solder 107c separated from the protection film 112.
(FR)
L'objet de la présente invention consiste à améliorer la fiabilité de l'interface d'une électrode de surface d'un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur 104 est pourvu : d'un substrat semi-conducteur 201 ; d'une électrode de surface supérieure 109 qui est une électrode de surface disposée sur une première surface principale 201a du substrat semi-conducteur 201 et d'un plot de grille 109a ; d'un film de protection 112 disposé sur la périphérie de l'électrode de surface ; et d'un premier film métallique disposé séparé du film de protection 112 dans une région entourée par le film de protection 112 de l'électrode de surface. Le premier film métallique est un film de pulvérisation à froid et est relié à un câblage de type feuille 106a par une soudure 107c séparée du film de protection 112.
(JA)
本発明は、半導体装置の表面電極の接合部の信頼性を向上することを目的とする。半導体装置104は、半導体基板201と、半導体基板201の第1主面201a上に設けられた表面電極である上面電極109およびゲートパッド109aと、表面電極の周縁上に設けられた保護膜112と、表面電極の保護膜112で囲まれた領域上に保護膜112と離間して配置された第1金属膜と、を備え、第1金属膜は、コールドスプレー膜であり、保護膜112と離間したはんだ107cにより板状配線106aと接合される。
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