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1. WO2020110858 - 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置

公開番号 WO/2020/110858
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045418
国際出願日 20.11.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 池田 恭子 IKEDA, Kyoko
  • 土橋 和也 DOBASHI, Kazuya
  • 中島 常長 NAKASHIMA, Tsunenaga
  • 関口 賢治 SEKIGUCHI, Kenji
  • 錦戸 修一 NISHIKIDO, Shuuichi
  • 中城 将人 NAKAJO, Masato
  • 安武 孝洋 YASUTAKE, Takahiro
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-22566930.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE WASHING METHOD, PROCESSING VESSEL WASHING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LAVAGE DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE LAVAGE DE CUVE DE TRAITEMENT, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置
要約
(EN)
Provided is a substrate washing method comprising: a step for arranging a substrate in a processing vessel; a step for injecting a gas from an injection port of a gas nozzle arranged in the processing vessel; a step for causing normal shock waves generated by the injection of gas from the gas nozzle to hit a main surface of the substrate; and a step for removing particles attached to the main surface of the substrate by causing the normal shock waves to hit the main surface of the substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de lavage de substrat comprenant : une étape consistant à agencer un substrat dans une cuve de traitement ; une étape consistant à injecter un gaz à partir d'un orifice d'injection d'une buse à gaz disposée dans la cuve de traitement ; une étape consistant à amener des ondes de choc normales générées par l'injection de gaz à partir de la buse à gaz à toucher une surface principale du substrat ; et une étape consistant à éliminer des particules fixées à la surface principale du substrat en amenant les ondes de choc normales à toucher la surface principale du substrat.
(JA)
処理容器の内部に基板を配置する工程と、前記処理容器の内部に配置されたガスノズルの噴射口からガスを噴射する工程と、前記ガスノズルからのガスの噴射によって発生した垂直衝撃波を、前記基板の主表面に衝突させる工程と、前記垂直衝撃波を前記基板の前記主表面に衝突させることにより、前記基板の前記主表面に付着したパーティクルを除去する工程とを有する、基板洗浄方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報