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1. WO2020110850 - セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法

公開番号 WO/2020/110850
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045380
国際出願日 20.11.2019
IPC
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
B28B 11/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
B粘土または他のセラミック組成物,スラグまたはセメント含有混合物,例.プラスター,の成形
11成形物品の処理または加工のための装置または方法
H05B 3/02 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
3抵抗加熱
02細部
H05B 3/74 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
3抵抗加熱
68特に料理板あるいは類似加熱板に適した加熱装置
74非金属板
CPC
B28B 11/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
BSHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS, SLAG, OR MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
11Apparatus or processes for treating or working the shaped ; or preshaped; articles
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H05B 3/02
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
02Details
H05B 3/74
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
68Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
74Non-metallic plates ; , e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 川邊 保典 KAWANABE, Yasunori
  • 石峯 裕作 ISHIMINE, Yuusaku
  • 宗石 猛 MUNEISHI, Takeshi
  • 大川 善裕 OKAWA, Yoshihiro
代理人
  • 飯島 康弘 IIJIMA, YASUHIRO
優先権情報
2018-22468030.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CERAMIC STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC STRUCTURE
(FR) STRUCTURE EN CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE EN CÉRAMIQUE
(JA) セラミック構造体及びセラミック構造体の製造方法
要約
(EN)
A heater according to the present invention comprises a substrate and an internal conductor. The substrate is composed of ceramic. The internal conductor is positioned in the substrate and has a connection portion. The substrate has a space extending from the connection portion to a lower surface of the substrate. The space includes a first space and a second space. The first space adjoins the connection portion. The second space provides communication between the first space and the outside of the lower surface of the substrate, and is smaller than the first space when viewed in plan through the lower surface of the substrate.
(FR)
Un dispositif de chauffage selon la présente invention comprend un substrat et un conducteur interne. Le substrat est composé de céramique. Le conducteur interne est positionné dans le substrat et a une partie de connexion. Le substrat a un espace s'étendant de la partie de connexion à une surface inférieure du substrat. L'espace comprend un premier espace et un second espace. Le premier espace est contigu à la partie de connexion. Le second espace fournit une communication entre le premier espace et l'extérieur de la surface inférieure du substrat, et est plus petit que le premier espace lorsqu'il est observé dans un plan à travers la surface inférieure du substrat.
(JA)
ヒータは、基体と、内部導体とを有している。基体は、セラミックからなる。内部導体は、基体内に位置しており、接続部を有している。基体は、接続部から当該基体の下面に亘っている空間を有している。空間は、第1空間及び第2空間を有している。第1空間は、接続部に接している。第2空間は、第1空間と基体の下面の外側とを連通しており、基体の下面の平面透視において第1空間よりも小さい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報