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1. WO2020110734 - プラズマを用いた処理装置及びその処理装置を用いて水素発生材料を製造する製造方法

公開番号 WO/2020/110734
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044576
国際出願日 13.11.2019
IPC
B01J 19/08 2006.01
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
19化学的,物理的または物理化学的プロセス一般;それらに関連した装置
08電気または波動エネルギーあるいは粒子線放射を直接適用したプロセス;そのための装置
C01B 3/06 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
3水素;水素を含有する混合ガス;水素を含有する混合物からのそれの分離;水素の精製
02水素または水素含有混合ガスの製造
06エレクトロポジティブに結合した水素を含有する無機化合物,例.水,酸,塩基,アンモニア,と無機還元剤との反応によるもの
C01B 6/04 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
6金属の水素化物;モノボランまたはジボラン;その付加錯化合物
04アルカリ金属,アルカリ土類金属,ベリリウムまたはマグネシウムの水素化物;それらの付加錯化合物
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
CPC
B01J 19/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
19Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
C01B 3/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
3Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it
02Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing ; a substantial proportion of; hydrogen
06by reaction of inorganic compounds containing electro-positively bound hydrogen, e.g. water, acids, bases, ammonia, with inorganic reducing agents
C01B 6/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
6Hydrides of metals ; including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds
04Hydrides of alkali metals, alkaline earth metals, beryllium or magnesium; Addition complexes thereof
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
出願人
  • 株式会社エスイー SE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 滝沢 力 TAKIZAWA Tsutomu
  • 白根 崇 SHIRANE Takashi
  • 森元 峯夫 MORIMOTO Mineo
  • 坂本 雄一 SAKAMOTO Yuichi
代理人
  • 特許業務法人サカモト・アンド・パートナーズ SAKAMOTO & PARTNERS
優先権情報
2018-22132827.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA-USING PROCESSING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR PRODUCING HYDROGEN GENERATING MATERIAL USING SAME PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT UTILISANT UN PLASMA ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR PRODUIRE UN MATÉRIAU GÉNÉRANT DE L'HYDROGÈNE À L'AIDE DUDIT DISPOSITIF DE TRAITEMENT
(JA) プラズマを用いた処理装置及びその処理装置を用いて水素発生材料を製造する製造方法
要約
(EN)
In order to provide, for example, a plasma-using processing device that is suited for producing, through a comparatively low temperature process, a hydrogen generating material containing magnesium hydride, the plasma-using processing device (10) of the present invention comprises: a processing chamber (11) wherein plasma is irradiated onto a raw material; a raw material supply unit (12) supplying the raw material in a suspended state in the plasma; a gas supply unit (13) supplying a reactive gas to be turned into the plasma and reacted with the raw material; a microwave supply unit (14) supplying microwaves for the purpose of generating the plasma; and a dielectric window (15) for allowing microwaves to pass therethrough and be introduced into the processing chamber (11), wherein the microwave supply unit (14) generates microwaves supplied through the window (15) into the processing chamber (11) that at least have a peak microwave electric power of 2.0 kilowatts or higher.
(FR)
Afin de fournir, par exemple, un dispositif de traitement utilisant du plasma qui est approprié pour produire, par un processus à température comparativement basse, un matériau générant de l'hydrogène contenant de l'hydrure de magnésium, le dispositif de traitement utilisant le plasma (10) de la présente invention comprend : une chambre de traitement (11) dans laquelle un plasma est irradié sur une matière première; une unité d'alimentation en matière première (12) fournissant la matière première dans un état suspendu dans le plasma; une unité d'alimentation en gaz (13) fournissant un gaz réactif à être transformé en plasma et mis à réagir avec la matière première; une unité d'alimentation en micro-ondes (14) fournissant des micro-ondes dans le but de générer le plasma; et une fenêtre diélectrique (15) pour permettre au micro-ondes de passer à travers celle-ci et être introduite dans la chambre de traitement (11), l'unité d'alimentation en micro-ondes (14) générant des micro-ondes fournies à travers la fenêtre (15) dans la chambre de traitement (11) qui ont au moins une puissance électrique de micro-ondes de pic de 2,0 kilowatts ou plus.
(JA)
例えば、水素化マグネシウムを含む水素発生材料を比較的低温なプロセスで製造するのに適したプラズマを用いた処理装置を提供するために、本発明のプラズマを用いた処理装置(10)は、原料にプラズマを照射する処理室(11)と、プラズマ中に原料を浮遊状態で供給する原料供給部(12)と、プラズマ化して原料に反応させる反応性ガスを供給するガス供給部(13)と、プラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部(14)と、処理室(11)に導入するマイクロ波を通す誘電体の窓(15)と、を備え、マイクロ波供給部(14)は、少なくとも窓(15)を通して処理室(11)内に供給されるマイクロ波のマイクロ波電力のピーク値が2.0キロワット以上となるマイクロ波を発生する。
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