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1. WO2020110732 - 基板処理装置、および基板処理方法

公開番号 WO/2020/110732
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044569
国際出願日 13.11.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松井 浩彬 MATSUI Hiroakira
  • 木村 隆一 KIMURA Ryuichi
  • 杉岡 真治 SUGIOKA Shinji
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-22470230.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置、および基板処理方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to easily customize a treatment performed on a substrate by a substrate treatment device. In order to achieve the purpose, this substrate treatment device is provided with two or more chemical liquid treatment units, a storage unit, and a control unit. The chemical liquid treatment unit includes a treatment tank and a liquid supply unit. In the treatment tank, a substrate is treated by a treatment liquid. The liquid supply unit supplies the treatment tank with the treatment liquid. The storage unit stores numerical information about the supply amount of the treatment liquid for each unit treatment amount of the substrate with respect to each of the chemical treatment units. The control unit has an acquisition unit, a recognition unit, a calculation unit, and a supply control unit. The calculation unit calculates the numerical value related to the supply amount of the treatment liquid supplied to the treatment tank of one chemical liquid treatment unit on the basis of the numerical value related to the supply amount of the treatment liquid for each unit treatment amount of the substrate corresponding to the one chemical liquid treatment unit recognized by the recognition unit, and treatment amount information acquired by the acquisition unit, among the numerical information. The supply control unit supplies the treatment tank with the treatment liquid through the liquid supply unit according to the numerical value calculated by the calculation unit.
(FR)
Le but de la présente invention est de personnaliser facilement un traitement réalisé sur un substrat par un dispositif de traitement de substrat. Pour atteindre ce but, ce dispositif de traitement de substrat est pourvu de deux unités de traitement de liquide chimique ou plus, d'une unité de stockage, et d'une unité de commande. L'unité de traitement de liquide chimique comprend un réservoir de traitement et une unité de fourniture de liquide. Dans le réservoir de traitement, un substrat est traité par un liquide de traitement. L'unité de fourniture de liquide fournit au réservoir de traitement le liquide de traitement. L'unité de stockage stocke des informations numériques concernant la quantité de fourniture du liquide de traitement pour chaque quantité de traitement unitaire du substrat par rapport à chacune des unités de traitement chimique. L'unité de commande comporte une unité d'acquisition, une unité de reconnaissance, une unité de calcul, et une unité de commande de fourniture. L'unité de calcul calcule la valeur numérique relative à la quantité de fourniture du liquide de traitement fourni au réservoir de traitement d'une unité de traitement de liquide chimique sur la base de la valeur numérique liée à la quantité de fourniture du liquide de traitement pour chaque quantité de traitement unitaire du substrat correspondant à l'unité de traitement de liquide chimique reconnue par l'unité de reconnaissance, et des informations de quantité de traitement acquises par l'unité d'acquisition, parmi les informations numériques. L'unité de commande de fourniture fournit au réservoir de traitement le liquide de traitement à travers l'unité de fourniture de liquide en fonction de la valeur numérique calculée par l'unité de calcul.
(JA)
基板処理装置で基板に施す処理のカスタマイズを容易に行うことを目的とする。この目的を達成するために、基板処理装置は、2つ以上の薬液処理部と記憶部と制御部とを備える。各薬液処理部は、処理槽と液供給部とを含む。処理槽は、処理液で基板に処理を施す。液供給部は、処理槽に処理液を供給する。記憶部は、各薬液処理部について基板の単位処理量当たりの処理液の供給量に係る数値情報を記憶する。制御部は、取得部と認識部と算出部と供給制御部とを有する。算出部は、数値情報のうちの認識部で認識された1つの薬液処理部に対応する基板の単位処理量当たりの処理液の供給量に係る数値と、取得部で取得された処理量情報と、に基づき、1つの薬液処理部の処理槽に供給する処理液の供給量に係る数値を算出する。供給制御部は、算出部で算出された数値に応じて、液供給部で処理液を処理槽に供給させる。
他の公開
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