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1. WO2020110709 - 基板処理装置および基板処理方法

公開番号 WO/2020/110709
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044369
国際出願日 12.11.2019
IPC
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
G03F 7/42 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
42剥離又はそのための処理剤
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
G03F 7/42
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
42Stripping or agents therefor
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 遠藤 亨 ENDO, Toru
  • 林 昌之 HAYASHI, Masayuki
  • 柴山 宣之 SHIBAYAMA, Nobuyuki
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2018-22163927.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約
(EN)
This substrate processing device processes a substrate using a SPM which is a liquid mixture of sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution, the substrate processing device comprising: a substrate holding unit that holds a substrate; recovery piping into which flows a fluid that is supplied to the substrate held by the substrate holding unit and discharged from the substrate; a sulfuric acid-containing liquid producing device to which the fluid having flowed into the recovery piping is delivered for producing a high-temperature first sulfuric acid-containing liquid that contains sulfuric acid on the basis of the fluid; a front surface supply unit for supplying a SPM produced on the basis of the high-temperature first sulfuric acid-containing liquid produced by the sulfuric acid-containing liquid producing device to the front surface of the substrate held by the substrate holding unit; and a rear surface supply unit for supplying a second sulfuric acid-containing liquid that includes the high-temperature first sulfuric acid-containing liquid produced by the sulfuric acid-containing liquid producing device to the rear surface of the substrate held by the substrate holding unit.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement de substrat traitant un substrat à l'aide d'un SPM qui est un mélange liquide d'acide sulfurique et d'une solution de peroxyde d'hydrogène, le dispositif de traitement de substrat comprenant : une unité de maintien de substrat qui maintient un substrat ; une tuyauterie de récupération dans laquelle s'écoule un fluide qui est fourni au substrat maintenu par l'unité de maintien de substrat et évacué du substrat ; un dispositif de production de liquide contenant de l'acide sulfurique auquel le fluide ayant circulé dans la tuyauterie de récupération est délivré pour produire un premier liquide contenant de l'acide sulfurique à haute température qui contient de l'acide sulfurique sur la base du fluide ; une unité d'alimentation en surface avant pour fournir un SPM produit sur la base du premier liquide contenant de l'acide sulfurique à haute température produit par le dispositif de production de liquide contenant de l'acide sulfurique à la surface avant du substrat maintenu par l'unité de maintien de substrat ; et une unité d'alimentation en surface arrière pour fournir un second liquide contenant de l'acide sulfurique qui comprend le premier liquide contenant de l'acide sulfurique à haute température produit par le dispositif de production de liquide contenant de l'acide sulfurique à la surface arrière du substrat maintenu par l'unité de maintien de substrat.
(JA)
この基板処理装置は、硫酸および過酸化水素水の混合液であるSPMを用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する回収配管と、前記回収配管に流入した液体が送られ、当該液体に基づいて硫酸を含む高温の第1の硫酸含有液を作成するための硫酸含有液作成装置と、前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液に基づいて作成されたSPMを、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に供給するための表面供給ユニットと、前記硫酸含有液作成装置において作成された高温の第1の硫酸含有液を含む第2の硫酸含有液を、前記基板保持ユニットに保持されている基板の裏面に供給するための裏面供給ユニットと、を含む。
他の公開
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