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1. WO2020110695 - 受光素子および電子機器

公開番号 WO/2020/110695
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044233
国際出願日 12.11.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 磯谷 優治 ISOGAI Yuji
  • 渡辺 竜太 WATANABE Ryota
  • 山崎 武 YAMAZAKI Takeshi
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
優先権情報
2018-21998126.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT RECEIVING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 受光素子および電子機器
要約
(EN)
The present technology relates to a light-receiving element and electronic device such that a leak current can be suppressed and current consumption can be reduced. Provided is a light-receiving element comprising a pixel array unit formed by pixels which are two-dimensionally arrayed in a matrix and comprise two taps, that is, a first tap which detects an electric charge photoelectrically converted with a photoelectric conversion unit and a second tap which detects the electric charge photoelectrically converted with the photoelectric conversion unit. A planar region within the pixel excluding the two taps and a pixel transistor region includes: a tap periphery region of an outer peripheral part of the taps; and a pixel transistor vicinity region which is close to the pixel transistor region. In the tap periphery region are formed: a buried oxide film which is formed on the surface on the opposite side of a substrate from a light incidence surface thereof; and a first semiconductor region which is formed on the light incidence surface side of the buried oxide film, is of the same conductivity type as the substrate, and has a higher impurity concentration than a substrate concentration. In the pixel transistor vicinity region is formed a second semiconductor region which is of the same conductivity type as the substrate and has a higher impurity concentration than the substrate concentration. As an example, the present technology can be applied to a light-receiving element which carries out range finding.
(FR)
La présente invention concerne un élément récepteur de lumière et un dispositif électronique pouvant supprimer un courant de fuite et réduire la consommation de courant. L'élément récepteur de lumière comprend une unité de réseau de pixels formée par des pixels qui sont disposés de manière bidimensionnelle dans une matrice et comprennent deux dérivations, c'est-à-dire, une première dérivation qui détecte une charge électrique convertie photoélectriquement au moyen d'une unité de conversion photoélectrique et une seconde dérivation qui détecte la charge électrique convertie photoélectriquement au moyen de l'unité de conversion photoélectrique. Une région planar dans le pixel ne comprenant pas les deux dérivations ni une région de transistor de pixel comprend : une région de périphérie de dérivation d'une partie périphérique externe des dérivations ; et une région de voisinage de transistor de pixel qui est proche de la région de transistor de pixel. Dans la région périphérique de dérivation sont formés : un film d'oxyde enterré qui est formé sur la surface sur le côté opposé d'un substrat à partir de sa surface d'incidence de lumière ; et une première région semi-conductrice qui est formée sur le côté surface d'incidence de lumière du film d'oxyde enterré, qui est du même type de conductivité que le substrat, et qui possède une concentration d'impuretés plus élevée qu'une concentration de substrat. Dans la région de voisinage de transistor de pixel est formée une seconde région semi-conductrice qui est du même type de conductivité que le substrat et qui possède une concentration d'impuretés plus élevée que la concentration de substrat. À titre d'exemple, la présente invention peut être appliquée à un élément récepteur de lumière qui met en œuvre la télémétrie.
(JA)
本技術は、リーク電流を抑制し、消費電流を低減することができるようにする受光素子および電子機器に関する。 受光素子は、光電変換部にて光電変換された電荷を検出する第1のタップと、光電変換部にて光電変換された電荷を検出する第2のタップとの2つのタップを有する画素が行列状に2次元配置された画素アレイ部を備える。画素内の2つのタップと画素トランジスタ領域とを除く平面領域は、タップの外周部のタップ周辺領域と、画素トランジスタ領域に近い画素トランジスタ近傍領域とを含み、タップ周辺領域には、基板の光入射面と反対側の面に形成された埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜の光入射面側に、基板と同じ導電型で基板濃度よりも濃い不純物濃度の第1半導体領域とが形成され、画素トランジスタ近傍領域には、基板と同じ導電型で基板濃度よりも濃い不純物濃度の第2半導体領域が形成されている。本技術は、例えば、測距を行う受光素子等に適用できる。
他の公開
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