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1. WO2020110681 - 基板処理装置

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明 細 書

発明の名称 基板処理装置

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003  

先行技術文献

特許文献

0004  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0005   0006  

課題を解決するための手段

0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033  

発明の効果

0034  

図面の簡単な説明

0035  

発明を実施するための形態

0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125   0126   0127   0128   0129   0130   0131   0132   0133   0134   0135   0136   0137   0138   0139   0140   0141   0142   0143   0144   0145   0146   0147   0148   0149   0150   0151   0152   0153   0154   0155   0156   0157   0158   0159   0160   0161   0162   0163   0164   0165   0166   0167   0168   0169   0170   0171   0172   0173   0174   0175   0176   0177   0178   0179   0180   0181   0182   0183   0184   0185   0186   0187   0188   0189   0190   0191   0192   0193   0194   0195   0196   0197   0198   0199   0200   0201   0202   0203   0204   0205   0206   0207   0208   0209   0210   0211   0212   0213   0214   0215   0216   0217   0218   0219   0220   0221   0222   0223   0224   0225   0226   0227   0228   0229   0230   0231   0232   0233   0234   0235   0236   0237   0238   0239   0240   0241   0242   0243   0244   0245   0246   0247   0248   0249   0250   0251   0252   0253   0254   0255   0256   0257   0258   0259   0260   0261   0262   0263   0264   0265   0266   0267   0268   0269   0270   0271   0272   0273   0274   0275   0276   0277   0278   0279   0280   0281   0282   0283   0284   0285   0286   0287   0288   0289   0290   0291   0292   0293   0294   0295   0296   0297   0298   0299   0300   0301   0302   0303   0304   0305   0306   0307   0308   0309   0310   0311   0312   0313   0314   0315   0316   0317   0318   0319   0320   0321   0322   0323   0324   0325   0326   0327   0328   0329   0330   0331   0332   0333   0334   0335   0336   0337   0338   0339   0340   0341   0342   0343   0344   0345   0346   0347   0348   0349   0350   0351   0352   0353   0354   0355   0356   0357   0358   0359   0360   0361   0362   0363   0364   0365   0366   0367   0368   0369   0370   0371   0372   0373   0374   0375   0376   0377   0378   0379   0380   0381   0382   0383   0384   0385   0386   0387   0388   0389   0390   0391   0392   0393   0394   0395   0396   0397   0398   0399   0400   0401   0402   0403   0404   0405   0406   0407   0408   0409   0410   0411   0412   0413   0414   0415   0416  

符号の説明

0417  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23  

明 細 書

発明の名称 : 基板処理装置

技術分野

[0001]
 本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

背景技術

[0002]
 特許文献1は、基板処理装置を開示する。以下では、特許文献1に記載される符号を、括弧書きで表記する。基板処理装置(100)は、インデクサブロック(11)と処理ブロック(12)と処理ブロック(13)を備える。インデクサブロック(11)は、主搬送機構(15)を備える。処理ブロック(12)は、第1処理部(121)と熱処理部(123)と主搬送機構(127)を備える。処理ブロック(13)は、第2処理部(131)と熱処理部(133)と主搬送機構(137)を備える。主搬送機構(127)は、主搬送機構(15)と第1処理部(121)と熱処理部(123)の間で基板(W)を搬送する。主搬送機構(137)は、主搬送機構(127)と第2処理部(131)と熱処理部(133)の間で基板(W)を搬送する。
[0003]
 基板処理装置(100)は、副搬送機構(117)を備える。熱処理部(123)は、上段熱処理部(301)と下段熱処理部(302)を備える。熱処理部(133)は、上段熱処理部(303)と下段熱処理部(304)を備える。副搬送機構(117)は、上段熱処理部(301)と下段熱処理部(302)の間、および、上段熱処理部(303)と下段熱処理部(304)の間に配置される。副搬送機構(117)は、主搬送機構(15)と主搬送機構(137)の間で基板(W)を搬送する。

先行技術文献

特許文献

[0004]
特許文献1 : 特開2014-116508号公報

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0005]
 基板処理装置のスループットをさらに向上させることが求められている。しかしながら、特許文献1に示される基板処理装置(100)の構成では、スループットをさらに向上させることが困難である。
[0006]
 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理装置のスループットをさらに向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007]
 本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理装置であって、基板を搬送する主搬送機構と、基板に処理を行う第1処理部と、前記第1処理部に基板を搬送する第1搬送機構と、前記第1搬送機構が設けられる第1搬送スペースと、基板に処理を行う第2処理部と、前記第2処理部に基板を搬送する第2搬送機構と、基板を搬送する迂回搬送機構と、を備え、前記第1搬送機構は、前記主搬送機構と前記第2搬送機構の間に配置され、前記迂回搬送機構は、前記主搬送機構と前記第2搬送機構の間に配置され、前記主搬送機構と前記第1搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、前記主搬送機構と前記迂回搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、前記迂回搬送機構と前記第2搬送機構は、相互に基板を搬送可能である基板処理装置である。
[0008]
 基板処理装置は、第1処理部と第2処理部を備える。このため、第1処理部による処理と第2処理部による処理を、基板に行うことができる。基板処理装置は、第1搬送機構と第2搬送機構を備える。このため、第1処理部および第2処理部に基板を好適に搬送できる。
[0009]
 第1搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間に配置される。主搬送機構と第1搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、第1搬送機構と第2搬送機構は、相互に基板を搬送可能である。このため、第1搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を搬送できる。
[0010]
 迂回搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間に配置される。主搬送機構と迂回搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、迂回搬送機構と第2搬送機構は、相互に基板を搬送可能である。このため、迂回搬送機構は、第1搬送機構を迂回して、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を搬送できる。よって、第1搬送機構が基板を搬送する負担を軽減できる。その結果、第1搬送機構が単位時間当たりに第1処理部に搬送可能な基板の枚数を増やすことができる。すなわち、第1処理部が単位時間当たりに処理可能な基板の枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置のスループットを向上できる。
[0011]
 さらに、第1搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を効率良く搬送できる。このため、第1搬送機構が単位時間当たりに第2搬送機構に供給可能な基板の枚数を増やすことができる。よって、第1搬送機構が第2搬送機構に基板を供給する場合、第2処理部が単位時間当たりに処理可能な基板の枚数を増やすことができる。すなわち、基板処理装置のスループットを一層向上できる。
[0012]
 上述のとおり、迂回搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間に配置される。このため、迂回搬送機構の移動量を抑制することができる。よって、迂回搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を効率良く搬送できる。したがって、迂回搬送機構が単位時間当たりに第2搬送機構に供給可能な基板の枚数を増やすことができる。その結果、迂回搬送機構が第2搬送機構に基板を供給する場合、第2処理部が単位時間当たりに処理可能な基板の枚数を増やすことができる。
[0013]
 このように、第1搬送機構が第2搬送機構に基板を供給する場合であっても、迂回搬送機構が第2搬送機構に基板を供給する場合であっても、基板処理装置のスループットを一層向上できる。
[0014]
 以上のとおり、基板処理装置によれば、基板処理装置のスループットをさらに向上させることができる。
[0015]
 上述した基板処理装置において、前記主搬送機構と前記迂回搬送機構の間で基板を搬送するとき、前記主搬送機構と前記迂回搬送機構は、同じ基板に同時に接触することが好ましい。すなわち、主搬送機構と迂回搬送機構は、直接的に基板を受け渡すことが好ましい。これによれば、主搬送機構と迂回搬送機構の間で基板を効率良く搬送できる。
[0016]
 上述した基板処理装置において、前記主搬送機構と前記迂回搬送機構の間で基板が受け渡される位置は、平面視において、前記主搬送機構と前記第1搬送機構の間で基板が受け渡される位置と同じであることが好ましい。これによれば、主搬送機構と迂回搬送機構は、相互に基板を容易に搬送できる。
[0017]
 上述した基板処理装置において、前記迂回搬送機構に保持される基板の少なくとも一部は、前記第1搬送スペースの内部に位置することが好ましい。迂回搬送機構に保持される基板の少なくとも一部は、第1搬送スペースの内部に位置する。このため、迂回搬送機構に保持される基板の周囲の環境を容易に清浄に保つことができる。
[0018]
 上述した基板処理装置において、前記迂回搬送機構の少なくとも一部は、前記第1搬送スペースに配置されることが好ましい。これによれば、迂回搬送機構の少なくとも一部は、第1搬送機構と同一の空間(すなわち、第1搬送スペース)に配置される。このため、迂回搬送機構の周囲の環境を容易に清浄に保つことができる。
[0019]
 上述した基板処理装置において、前記第1処理部は、基板に非液処理を行う第1非液処理部と、を備え、前記迂回搬送機構の少なくとも一部は、平面視において、前記第1非液処理部と重なる位置に配置されることが好ましい。非液処理とは、基板に処理液を供給せずに、基板に行われる処理または検査である。これによれば、基板処理装置のフットプリントが増大することを抑制できる。
[0020]
 上述した基板処理装置において、前記第1搬送機構は、前記主搬送機構および前記第2搬送機構と同じ高さ位置に配置され、前記迂回搬送機構は、前記主搬送機構および前記第2搬送機構と同じ高さ位置に配置され、前記第1非液処理部は、前記第1搬送スペースに隣接しており、前記第1搬送スペースは、下端を有し、前記第1非液処理部は、前記第1搬送スペースの前記下端よりも高い高さ位置に配置され、前記迂回搬送機構は、前記第1非液処理部の下方のスペースおよび前記第1搬送スペースにわたって配置されることが好ましい。迂回搬送機構は、第1非液処理部の下方のスペースおよび第1搬送スペースにわたって配置される。このため、基板処理装置のフットプリントが増大することを抑制できる。ここで、第1非液処理部は、第1搬送スペースに隣接しており、かつ、第1非液処理部は、第1搬送スペースの下端よりも高い高さ位置に配置される。このため、第1非液処理部の下方のスペースは、第1搬送スペースと連続する。よって、迂回搬送機構の設置スペースを容易に確保できる。
[0021]
 上述した基板処理装置において、前記第1非液処理部は、下端を有し、前記迂回搬送機構は、前記第1非液処理部の前記下端と同等またはそれよりも低い高さ位置に配置され、前記第1処理部は、基板に液処理を行う第1液処理部と、を備え、前記第1液処理部は、下端を有し、前記第1液処理部の前記下端は、前記第1非液処理部の前記下端よりも低い高さ位置に配置され、前記迂回搬送機構は、前記第1液処理部の前記下端と同等またはそれよりも高い高さ位置に配置されることが好ましい。迂回搬送機構は、第1非液処理部の下端と同等またはそれよりも低い高さ位置に配置される。このため、迂回搬送機構が第1非液処理部と干渉することを好適に防止できる。迂回搬送機構は、第1液処理部の下端と同等またはそれよりも高い位置に配置される。このため、上下方向における基板処理装置の長さが増大することを抑制できる。
[0022]
 上述した基板処理装置において、前記迂回搬送機構は、固定的に設けられる迂回支持部と、前記迂回支持部に支持され、前記迂回支持部に対して移動可能であり、かつ、基板を保持する迂回可動部と、を備え、前記迂回支持部は、平面視において、前記第1非液処理部と重なる位置に配置され、前記迂回可動部の少なくとも一部は、前記第1搬送スペースの内部に配置されることが好ましい。迂回可動部の少なくとも一部は、第1搬送スペースの内部に配置される。このため、迂回可動部に保持される基板を、第1搬送スペースの内部に容易に位置させることができる。これにより、迂回搬送機構に保持される基板の周囲の環境を容易に清浄に保つことができる。迂回支持部は、平面視において、第1非液処理部と重なる位置に配置される。すなわち、迂回支持部の設置スペースとして、第1搬送スペースを使用しない。このため、迂回可動部の少なくとも一部の設置スペースを、第1搬送スペースの内部に容易に確保できる。
[0023]
 上述した基板処理装置において、前記迂回可動部は、前記迂回支持部に支持され、前記迂回支持部に対して水平方向に移動する第1水平移動部と、前記第1水平移動部に支持され、基板を保持する第1保持部と、を備えることが好ましい。第1水平移動部と第1保持部の全体は、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を好適に搬送できる。
[0024]
 上述した基板処理装置において、前記迂回可動部は、前記第1水平移動部に支持され、前記第1水平移動部に対して回転可能な第1アーム部と、を備え、前記第1保持部は、前記第1アーム部を介して、前記第1水平移動部に支持されることが好ましい。迂回可動部は第1アーム部を備えるので、第1保持部は、第1水平移動部に対して回転可能である。このため、迂回搬送機構と主搬送機構は、相互に基板を好適に搬送できる。
[0025]
 上述した基板処理装置において、前記第1保持部は、前記第1水平移動部に固定され、前記第1水平移動部に対して移動不能であることが好ましい。第1水平移動部が第1保持部を支持する構造は、簡素である。このため、迂回搬送機構の構造は、簡素である。よって、迂回搬送機構を容易に小型化できる。
[0026]
 上述した基板処理装置において、前記迂回可動部は、前記迂回支持部に支持され、前記迂回支持部に対して水平方向に移動する第2水平移動部と、前記第2水平移動部に支持され、基板を保持する第2保持部と、を備え、前記第2水平移動部は、前記第1水平移動部とは独立して、移動可能であることが好ましい。第2水平移動部と第2保持部の全体は、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を好適に搬送できる。迂回搬送機構は、第1水平移動部と第1保持部に加えて、第2水平移動部と第2保持部を備えるので、迂回搬送機構が単位時間当たりに搬送可能な基板の枚数を容易に増やすことができる。第2水平移動部は、第1水平移動部とは独立して、移動可能である。このため、迂回搬送機構は、主搬送機構と第2搬送機構の間で基板を効率良く搬送できる。
[0027]
 上述した基板処理装置において、前記主搬送機構は、前記第1搬送機構の高さ位置および前記迂回搬送機構の高さ位置に移動可能であり、前記第2搬送機構は、前記第1搬送機構の高さ位置および前記迂回搬送機構の高さ位置に移動可能であり、基板処理装置は、前記第1処理部の下方に配置され、基板に処理を行う第3処理部と、前記第1搬送機構および前記迂回搬送機構の下方に配置され、前記第3処理部に基板を搬送する第3搬送機構と、前記第2処理部の下方に配置され、基板に処理を行う第4処理部と、前記第2搬送機構の下方に配置され、前記第4処理部に基板を搬送する第4搬送機構と、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構の間の位置、前記迂回搬送機構と前記第2搬送機構の間の位置、および、前記第3搬送機構と前記第4搬送機構の間の位置に移動可能に設けられ、基板を搬送する中継搬送機構と、を備え、前記主搬送機構と前記第3搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、前記中継搬送機構は、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構と前記第3搬送機構と前記第4搬送機構と前記迂回搬送機構の間で、基板を搬送可能であることが好ましい。基板処理装置は、第3処理部と第4処理部を備える。このため、第3処理部による処理と第4処理部による処理を、基板に行うことができる。基板処理装置は、第3搬送機構と第4搬送機構を備える。このため、第3処理部および第4処理部に基板を好適に搬送できる。第3処理部は、第1処理部の下方に配置される。第4処理部は、第2処理部の下方に配置される。第3搬送機構は、第1搬送機構および迂回搬送機構の下方に配置される。第4搬送機構は、第2搬送機構の下方に配置される。これらのため、基板処理装置のフットプリントが増大することを抑制できる。基板処理装置は、中継搬送機構を備える。このため、第1搬送機構と第2搬送機構と第3搬送機構と第4搬送機構と迂回搬送機構は、中継搬送機構を介して、相互に基板を搬送可能である。このため、基板の搬送経路を柔軟に選択できる。よって、基板に行う処理を柔軟に選択できる。
[0028]
 上述した基板処理装置において、前記迂回搬送機構は、側面視において、前記第1処理部および前記第1搬送スペースの少なくともいずれかと重なる位置に配置され、前記迂回搬送機構は、側面視において、前記第3処理部と重ならない位置に配置され、前記第1処理部は、基板に非液処理を行う第1非液処理部と、を備え、前記第3処理部は、基板に非液処理を行う第3非液処理部と、を備え、上下方向における前記第1非液処理部の長さは、上下方向における前記第3非液処理部の長さよりも小さいことが好ましい。これによれば、迂回搬送機構の設置スペースを比較的に容易に確保できる。
[0029]
 上述した基板処理装置において、基板処理装置は、前記中継搬送機構と前記第1搬送機構の間に配置され、基板が載置される第1載置部と、前記中継搬送機構と前記第2搬送機構の間に配置され、基板が載置される第2載置部と、を備え、前記中継搬送機構は、平面視において、前記第1載置部と前記第2載置部を結ぶ線分の垂直二等分線と交差する位置に配置されることが好ましい。これによれば、平面視において、中継搬送機構から第1載置部までの距離は、中継搬送機構から第2載置部までの距離と略等しい。よって、中継搬送機構は、第1載置部に容易にアクセスでき、かつ、第2載置部に容易にアクセスできる。
[0030]
 上述した基板処理装置において、中継搬送機構は、基板を搬送する第1中継搬送機構と、基板を搬送する第2中継搬送機構と、を備え、前記第1中継搬送機構は、平面視において、前記第1載置部と前記第2載置部を結ぶ線分の第1側方に配置され、前記第2中継搬送機構は、平面視において、前記第1載置部と前記第2載置部を結ぶ前記線分の第2側方に配置されることが好ましい。中継搬送機構は第1中継搬送機構と第2中継搬送機構を備える。したがって、中継搬送機構が単位時間当たりに搬送可能な基板の枚数を容易に増やすことができる。第1中継搬送機構は、平面視において、第1載置部と第2載置部を結ぶ線分の第1側方に配置される。第2中継搬送機構は、平面視において、第1載置部と第2載置部を結ぶ線分の第2側方に配置される。このため、第1中継搬送機構と第2中継搬送機構が相互に干渉することを、好適に防止できる。
[0031]
 上述した基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記第1処理部の上方に配置され、基板に処理を行う第5処理部と、前記第1搬送機構および前記迂回搬送機構の上方に配置され、前記第5処理部に基板を搬送する第5搬送機構と、前記第2処理部の上方に配置され、基板に処理を行う第6処理部と、前記第2搬送機構の上方に配置され、前記第6処理部に基板を搬送する第6搬送機構と、を備え、前記中継搬送機構は、前記第5搬送機構と前記第6搬送機構の間の位置に移動可能であり、前記主搬送機構と前記第5搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、前記中継搬送機構は、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構と前記第3搬送機構と前記第4搬送機構と前記第5搬送機構と前記第6搬送機構と前記迂回搬送機構の間で、基板を搬送可能であることが好ましい。基板処理装置は、第5処理部と第6処理部を備える。このため、第5処理部による処理と第6処理部による処理を、基板に行うことができる。基板処理装置は、第5搬送機構と第6搬送機構を備える。このため、第5処理部および第6処理部に基板を好適に搬送できる。第5処理部は、第1処理部の上方に配置される。第6処理部は、第2処理部の上に配置される。第5搬送機構は、第1搬送機構および迂回搬送機構の上方に配置される。第6搬送機構は、第2搬送機構の上方に配置される。これらのため、基板処理装置のフットプリントが増大することを抑制できる。第1搬送機構と第2搬送機構と第3搬送機構と第4搬送機構と第5搬送機構と第6搬送機構と迂回搬送機構は、中継搬送機構を介して、相互に基板を搬送可能である。このため、基板の搬送経路を柔軟に選択できる。よって、基板に行う処理を柔軟に選択できる。迂回搬送機構は、第3搬送機構の上方、かつ、第5搬送機構の下方に配置される。このため、主搬送機構と迂回搬送機構の間で基板を搬送するときの主搬送機構の移動量を抑制できる。同様に、中継搬送機構と迂回搬送機構の間で基板を搬送するときの中継搬送機構の移動量を抑制できる。
[0032]
 上述した基板処理装置において、前記主搬送機構は、前記第1搬送機構、前記第3搬送機構および前記第5搬送機構の少なくともいずれかに基板を渡し、かつ、前記迂回搬送機構に基板を渡さず、前記主搬送機構が前記第1搬送機構に基板を渡した場合、前記第1搬送機構は前記主搬送機構から前記第1処理部に基板を搬送し、前記主搬送機構が前記第3搬送機構に基板を渡した場合、前記第3搬送機構は前記主搬送機構から前記第3処理部に基板を搬送し、前記主搬送機構が前記第5搬送機構に基板を渡した場合、前記第5搬送機構は前記主搬送機構から前記第5処理部に基板を搬送することが好ましい。基板が主搬送機構から主搬送機構以外の搬送機構に搬送された後において、最初に基板に行われる処理を、「最初の処理」と呼ぶ。主搬送機構が第1搬送機構に基板を渡した場合、第1処理部が最初の処理を基板に行う。主搬送機構が第3搬送機構に基板を渡した場合、第3処理部が最初の処理を基板に行う。主搬送機構が第5搬送機構に基板を渡した場合、第5処理部が最初の処理を基板に行う。主搬送機構は、迂回搬送機構に基板を渡さない。なお、第1搬送機構が第2搬送機構と主搬送機構の間に配置されるので、主搬送機構は第2搬送機構に基板を渡すことができない。同様の理由により、主搬送機構は第4搬送機構および第6搬送機構に基板を渡すことができない。したがって、最初の処理は、第1処理部、第3処理部および第5処理部のいずれかによって行われる。換言すると、最初の処理は、第2処理部、第4処理部および第6処理部によって行われない。ここで、第1処理部、第3処理部および第5処理部は、比較的に主搬送機構に近い位置に配置される。具体的には、第1処理部、第3処理部および第5処理部は、第2処理部、第4処理部および第6処理部よりも主搬送機構に近い位置に配置される。このように、基板に最初の処理を行う処理部が、主搬送機構に近い位置に配置される。よって、主搬送機構から最初の処理を行う処理部に、基板を効率良く搬送できる。
[0033]
 上述した基板処理装置において、前記第1搬送機構、前記第3搬送機構および前記第5搬送機構の少なくともいずれかが前記主搬送機構に基板を渡し、かつ、前記迂回搬送機構は前記主搬送機構に基板を渡さず、前記第1搬送機構が前記主搬送機構に基板を渡す場合、前記第1搬送機構は前記第1処理部から前記主搬送機構に基板を搬送し、前記第3搬送機構が前記主搬送機構に基板を渡す場合、前記第3搬送機構は前記第3処理部から前記主搬送機構に基板を搬送し、前記第5搬送機構が前記主搬送機構に基板を渡す場合、前記第5搬送機構は前記第5処理部から前記主搬送機構に基板を搬送することが好ましい。基板が主搬送機構以外の搬送機構から主搬送機構に搬送される前において、最後に基板に行われる処理を、「最後の処理」と呼ぶ。第1搬送機構が主搬送機構に基板を渡す場合、第1処理部が最後の処理を基板に行う。第3搬送機構が主搬送機構に基板を渡す場合、第3処理部が最後の処理を基板に行う。第5搬送機構が主搬送機構に基板を渡す場合、第5処理部が最後の処理を基板に行う。迂回搬送機構は主搬送機構に基板を渡さない。なお、第1搬送機構が第2搬送機構と主搬送機構の間に配置されるので、第2搬送機構は、主搬送機構に基板を渡すことができない。同様の理由により、第4搬送機構および第6搬送機構は、主搬送機構に基板を渡すことができない。したがって、最後の処理は、第1処理部、第3処理部および第5処理部のいずれかによって行われる。換言すると、最後の処理は、第2処理部、第4処理部および第6処理部によって行われない。ここで、第1処理部、第3処理部および第5処理部は、比較的に主搬送機構に近い位置に配置される。具体的には、第1処理部、第3処理部および第5処理部は、第2処理部、第4処理部および第6処理部よりも主搬送機構に近い位置に配置される。このように、基板に最後の処理を行う処理部が、主搬送機構に近い位置に配置される。よって、最後の処理を行う処理部から主搬送機構に、基板を効率良く搬送できる。

発明の効果

[0034]
 上述した基板処理装置によれば、基板処理装置のスループットをさらに向上させることができる。

図面の簡単な説明

[0035]
[図1] 第1実施形態の基板処理装置の概念図である。
[図2] 図2(a)は基板処理装置の第1動作例を模式的に示す図であり、図2(b)は基板処理装置の第2動作例を模式的に示す図であり、図2(c)は、基板処理装置の第3動作例を模式的に示す図である。
[図3] 第1実施形態の基板処理装置の平面図である。
[図4] 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。
[図5] 幅方向における基板処理装置の中央部の構成を示す右側面図である。
[図6] 基板処理装置の右部の構成を示す右側面図である。
[図7] インデクサ部の内部の構成を示す正面図である。
[図8] 第1ブロックの正面図である。
[図9] 基板処理装置の平面図である。
[図10] 図10(a)は迂回搬送機構の平面図であり、図10(b)は迂回搬送機構の左側面図であり、図10(c)は迂回搬送機構の正面図である。
[図11] 図11(a)-11(e)は、主搬送機構と第1搬送機構が基板を受け渡す動作例を示す側面図である。
[図12] 図12(a)は第1動作例における基板の搬送経路を模式的に示す図であり、図12(b)は第2動作例における基板の搬送経路を模式的に示す図であり、図12(c)は第3動作例における基板の搬送経路を模式的に示す図である。
[図13] 第2実施形態の基板処理装置の概念図である。
[図14] 図14(a)は基板処理装置の第4動作例を模式的に示す図であり、図14(b)は基板処理装置の第5動作例を模式的に示す図である。
[図15] 第2実施形態の基板処理装置の平面図である。
[図16] 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。
[図17] 幅方向における基板処理装置の中央部の構成を示す右側面図である。
[図18] 基板処理装置の右部の構成を示す右側面図である。
[図19] インデクサ部の正面図である。
[図20] 第1ブロックの正面図である。
[図21] 中継ブロックの背面図である。
[図22] 基板処理装置の平面図である。
[図23] 図23(a)は第4動作例における基板の搬送経路を模式的に示す図であり、図23(b)は第5動作例における基板の搬送経路を模式的に示す図である。

発明を実施するための形態

[0036]
 以下、図面を参照して本発明の基板処理装置を説明する。
[0037]
 [第1実施形態]
 <基板処理装置の概要>
 図1は、第1実施形態の基板処理装置の概念図である。第1実施形態の基板処理装置1は、一連の処理を基板(例えば、半導体ウエハ)Wに行う。
[0038]
 基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Wは、薄い平板形状を有する。基板Wは、平面視で略円形状を有する。
[0039]
 基板処理装置1は、主搬送機構17と第1処理部31と第1搬送機構27と第2処理部61と第2搬送機構57を備える。主搬送機構17は、基板Wを搬送する。第1処理部31は、基板Wに処理を行う。第1搬送機構27は、第1処理部31に基板Wを搬送する。第2処理部61は、基板Wに処理を行う。第2搬送機構57は、第2処理部61に基板Wを搬送する。第1搬送機構27は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。主搬送機構17と第1搬送機構27は、相互に基板Wを搬送可能である。第1搬送機構27と第2搬送機構57は、相互に基板Wを搬送可能である。
[0040]
 基板処理装置1は、迂回搬送機構41を備える。迂回搬送機構41は、基板Wを搬送する。迂回搬送機構41は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。迂回搬送機構41と主搬送機構17は、相互に基板Wを搬送可能である。迂回搬送機構41と第2搬送機構57は、相互に基板Wを搬送可能である。
[0041]
 第1搬送機構27および迂回搬送機構41は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。このため、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送するとき、基板Wは、第1搬送機構27および迂回搬送機構41のいずれかを必ず経由する。主搬送機構17は、第2搬送機構57に基板Wを渡すことはできない。主搬送機構17は、第2搬送機構57から基板Wを受けることはできない。すなわち、主搬送機構17と第2搬送機構は、相互に基板Wを搬送できない。
[0042]
 基板処理装置1の3つの動作例を例示する。図2(a)は、基板処理装置1の第1動作例を模式的に示す図である。図2(b)は、基板処理装置1の第2動作例を模式的に示す図である。図2(c)は、基板処理装置1の第3動作例を模式的に示す図である。図2(a)-2(c)は、基板Wが通過する基板処理装置1の要素(例えば、搬送機構、処理部)を模式的に示す。
[0043]
 図2(a)を参照する。第1動作例では、第2処理部61と第1処理部31に基板Wを搬送する。具体的には、主搬送機構17は、迂回搬送機構41に基板Wを渡す。迂回搬送機構41は、主搬送機構17から第2搬送機構57に基板Wを搬送する。第2搬送機構57は、迂回搬送機構41から第2処理部61に基板Wを搬送する。第2処理部61は、基板Wに処理を行う。第2搬送機構57は、第2処理部61から第1搬送機構27に基板Wを搬送する。第1搬送機構27は、第2搬送機構57から第1処理部31に基板Wを搬送する。第1処理部31は、基板Wに処理を行う。第1搬送機構27は、第1処理部31から主搬送機構17に基板Wを搬送する。主搬送機構17は、第1搬送機構27から基板Wを受ける。これにより、基板処理装置1は、第2処理部61による処理と第1処理部31による処理を、この順番で基板Wに行う。
[0044]
 図2(b)を参照する。第2動作例では、第1処理部31と第2処理部61に基板Wを搬送する。具体的には、主搬送機構17は、第1搬送機構27に基板Wを渡す。第1搬送機構27は、主搬送機構17から第1処理部31に基板Wを搬送する。第1処理部31は、基板Wに処理を行う。第1搬送機構27は、第1処理部31から第2搬送機構57に基板Wを搬送する。第2搬送機構57は、第1搬送機構27から第2処理部61に基板Wを搬送する。第2処理部61は、基板Wに処理を行う。第2搬送機構57は、第2処理部61から迂回搬送機構41に基板Wを搬送する。迂回搬送機構41は、第2搬送機構57から主搬送機構17に基板Wを搬送する。主搬送機構17は、迂回搬送機構41から基板Wを受ける。これにより、基板処理装置1は、第1処理部31による処理と第2処理部61による処理を、この順番で基板Wに行う。
[0045]
 図2(c)を参照する。第3動作例では、第1処理部31に一部の基板Wを搬送し、第2処理部61に他の基板Wを搬送する。第3動作例の説明では、第1処理部31に搬送される基板Wを第1基板W1と呼び、第2処理部61に搬送される基板Wを第2基板W2と呼ぶ。
[0046]
 主搬送機構17は、第1搬送機構27に第1基板W1を渡し、かつ、迂回搬送機構41に第2基板W2を渡す。第1搬送機構27は、主搬送機構17から第1処理部31に第1基板W1を搬送する。第1処理部31は、第1基板W1に処理を行う。第1搬送機構27は、第1処理部31から主搬送機構17に第1基板W1を搬送する。迂回搬送機構41は、主搬送機構17から第2搬送機構57に第2基板W2を搬送する。第2搬送機構57は、迂回搬送機構41から第2処理部61に第2基板W2を搬送する。第2処理部61は、第2基板W2に処理を行う。第2搬送機構57は、第2処理部61から迂回搬送機構41に第2基板W2を搬送する。迂回搬送機構41は、第2搬送機構57から主搬送機構17に第2基板W2を搬送する。主搬送機構17は、第1搬送機構27から第1基板W1を受け、かつ、第2搬送機構57から第2基板W2を受ける。これにより、基板処理装置1は、第1処理部31による処理を第1基板W1に行い、かつ、第2処理部61による処理を第2基板W2に行う。
[0047]
 上述した第1動作例、第2動作例および第3動作例において、第1処理部31と第2処理部61は、同時に稼働できる。例えば、第1処理部31が基板Wに処理を行っているとき、第2処理部61は他の基板Wに処理を行うことができる。
[0048]
 <第1実施形態の主たる効果>
 基板処理装置1は、第1処理部31と第2処理部61を備える。このため、第1処理部31による処理と第2処理部61による処理を、基板Wに行うことができる。
[0049]
 基板処理装置1は、第1搬送機構27と第2搬送機構57を備える。このため、第1処理部31および第2処理部61に基板を好適に搬送できる。
[0050]
 第1搬送機構27は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。主搬送機構17と第1搬送機構27は、相互に基板Wを搬送可能であり、第1搬送機構27と第2搬送機構57は、相互に基板Wを搬送可能である。このため、第1搬送機構27は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送できる。
[0051]
 迂回搬送機構41は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。主搬送機構17と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを搬送可能であり、迂回搬送機構41と第2搬送機構57は、相互に基板Wを搬送可能である。このため、迂回搬送機構41は、第1搬送機構27を迂回して、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送できる。
[0052]
 基板処理装置1は迂回搬送機構41を備えるので、第1搬送機構27が基板Wを搬送する負担を軽減できる。第1処理部31を通ることなく、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送することを、第1直行搬送と呼ぶ。第1―第3動作例のように、第1搬送機構27は第1直行搬送を行わない。第1直行搬送は、専ら迂回搬送機構41によって行われる。これにより、第1搬送機構27が基板Wを搬送する負担を軽減できる。その結果、第1搬送機構27が単位時間当たりに第1処理部31に搬送可能な基板Wの枚数を増やすことができる。このため、第1処理部31が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置1のスループット(例えば、基板処理装置1が単位時間当たりに処理可能な基板Wの数)を向上できる。
[0053]
 上述の通り、迂回搬送機構41は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。このため、迂回搬送機構41の移動量を抑制することができる。具体的には、迂回搬送機構41が第1直行搬送を行うときの迂回搬送機構41の移動量を、第1搬送機構27と第2搬送機構57の直線距離と同程度に抑制することができる。あるいは、迂回搬送機構41が第1直行搬送を行うときの迂回搬送機構41の移動量を、第1搬送機構27が第1直行搬送を行うときの第1搬送機構27の移動量と同程度に抑制することができる。さらに、迂回搬送機構41は、第1処理部31に基板Wを搬送しない。このため、迂回搬送機構41が基板Wを搬送する負担は、比較的に小さい。よって、第1動作例および第3動作例では、迂回搬送機構41は、主搬送機構17から第2搬送機構57に基板Wを効率良く搬送できる。その結果、第1動作例および第3動作例では、単位時間当たりに第2搬送機構57に供給可能な基板Wの枚数を増やすことができる。このため、第1動作例および第3動作例では、第2処理部61が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、第1動作例および第3動作例では、基板処理装置1のスループットを一層向上できる。
[0054]
 上述の通り、第1搬送機構27が基板Wを搬送する負担を軽減できる。よって、第2動作例では、第1搬送機構27は、第1処理部31を経由して、主搬送機構17から第2搬送機構57に基板Wを効率良く搬送できる。その結果、第2動作例では、単位時間当たりに第2搬送機構57に供給可能な基板Wの枚数を増やすことができる。このため、第2動作例では、第2処理部61が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、第2動作例では、基板処理装置1のスループットを一層向上できる。
[0055]
 以上のとおり、第1動作例、第2動作例および第3動作例のいずれであっても、基板処理装置1のスループットをさらに向上できる。
[0056]
 以下では、基板処理装置1の構造について、さらに詳しく説明する。
[0057]
 <基板処理装置1の全体構造>
 図3は、第1実施形態の基板処理装置1の平面図である。図4は、基板処理装置1の右部の構成を示す右側面図である。図5は、幅方向における基板処理装置1の中央部の構成を示す左側面図である。図6は、基板処理装置1の左部の構成を示す左側面図である。
[0058]
 基板処理装置1は、インデクサ部11と第1ブロック21と第2ブロック51を備える。インデクサ部11は、主搬送機構17を収容する。第1ブロック21は、第1処理部31と第1搬送機構27と迂回搬送機構41を収容する。第2ブロック51は、第2処理部61と第2搬送機構57を収容する。
[0059]
 第1ブロック21は、平面視において、インデクサ部11と第2ブロック51の間に配置される。第1ブロック21は、インデクサ部11に接続される。第2ブロック51は、第1ブロック21に接続される。第2ブロック51は、インデクサ部11に接続されない。インデクサ部11と第1ブロック21と第2ブロック51は、第1方向に並ぶように配置される。インデクサ部11と第1ブロック21と第2ブロック51は、この順番で1列に並ぶように配置される。
[0060]
 第1ブロック21は、インデクサ部11と略同じ高さ位置に配置される。第2ブロック51は、インデクサ部11および第1ブロック21と略同じ高さ位置に配置される。第1方向は、例えば、水平である。
[0061]
 ここで、第1方向を、「前後方向X」と呼ぶ。前後方向Xは水平である。前後方向Xのうち、第2ブロック51からインデクサ部11に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Xと直交する水平な第2方向を、「幅方向Y」または「側方」と呼ぶ。「幅方向Y」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。前後方向Xと直交し、かつ、幅方向Yと直交する第3方向を、「上下方向Z」と呼ぶ。上下方向Zは鉛直である。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。
[0062]
 本明細書では、前後方向Xから見ることを「正面視」と呼ぶ。幅方向Yから見ることを「側面視」と呼ぶ。上下方向Zから見ることを「平面視」と呼ぶ。
[0063]
 <インデクサ部11>
 図3-6を参照する。インデクサ部11は、キャリアCから基板Wを搬出する。インデクサ部11は、キャリアCに基板Wを搬入する。キャリアCは、複数枚の基板Wを収容する。キャリアCは、例えば、FOUP(front opening unified pod)である。
[0064]
 インデクサ部11は、キャリア載置部12a1、12b1を備える。キャリア載置部12a1、12b1にはそれぞれ、1つのキャリアCが載置される。キャリア載置部12a1は、キャリア載置部12b1と略同じ高さ位置に配置される。キャリア載置部12a1、12b1は、幅方向Yに並ぶように配置される。キャリア載置部12b1は、キャリア載置部12a1の左方に配置される。
[0065]
 図3-7を参照する。図7は、インデクサ部11の内部の構成を示す正面図である。インデクサ部11は、主搬送スペース13を備える。主搬送スペース13は、キャリア載置部12a1、12b1の後方に配置される。主搬送スペース13は、略箱形状を有する。主搬送スペース13は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
[0066]
 インデクサ部11は、フレーム14を備える。フレーム14は、主搬送スペース13の骨組み(骨格)として、設けられる。フレーム14は、主搬送スペース13の形状を画定する。フレーム14は、例えば、金属製である。
[0067]
 主搬送機構17は、主搬送スペース13に設けられる。主搬送機構17は、フレーム14に支持される。主搬送機構17は、キャリア載置部12a1、12b1に載置されるキャリアCと第1搬送機構27の間で、基板Wを搬送する。
[0068]
 主搬送機構17は、2つの搬送機構18a、18bを備える。各搬送機構18a、18bは、基板Wを搬送する。搬送機構18bは、搬送機構18aと略同じ高さ位置に配置される。搬送機構18a、18bは、幅方向Yに並ぶように配置される。搬送機構18bは、搬送機構18aの左方に配置される。
[0069]
 搬送機構18aは、キャリア載置部12a1と略同じ高さ位置に配置される。すなわち、搬送機構18aとキャリア載置部12a1は水平方向に並ぶように配置される。搬送機構18aは、キャリア載置部12a1の高さ位置に移動可能である。搬送機構18aは、キャリア載置部12a1の後方に配置される。搬送機構18aは、キャリア載置部12a1に載置されるキャリアCと第1搬送機構27の間で、基板Wを搬送する。搬送機構18bは、キャリア載置部12b1と略同じ高さ位置に配置される。搬送機構18bは、キャリア載置部12b1の後方に配置される。搬送機構18bは、キャリア載置部12b1に載置されるキャリアCと第1搬送機構27の間で、基板Wを搬送する。搬送機構18bは、搬送機構18aとは独立して、基板Wを搬送可能である。
[0070]
 搬送機構18aは、支柱19aと垂直移動部19bと回転部19cと保持部19d、19eとを備える。支柱19aは、フレーム14に支持される。支柱19aは、フレーム14に固定される。支柱19aは、フレーム14に対して移動不能である。支柱19aは、略上下方向Zに延びる。垂直移動部19bは、支柱19aに支持される。垂直移動部19bは、支柱19aに対して略上下方向Zに移動可能である。垂直移動部19bは、支柱19aに対して略水平方向に移動不能である。回転部19cは、垂直移動部19bに支持される。回転部19cは、垂直移動部19bに対して、回転軸線A19c回りに回転可能である。回転軸線A19cは、略上下方向Zと平行な仮想線である。保持部19d、19eは、回転部19cに支持される。保持部19d、19eは、回転部19cに対して進退移動可能である。より具体的には、保持部19d、19eは、回転部19cの向きによって決まる水平な一方向に往復移動可能である。水平な一方向は、例えば、回転軸線A19cの径方向である。保持部19d、19eは、互いに独立して、進退移動可能である。保持部19d、19eはそれぞれ、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。保持部19d、19eはそれぞれ、1枚の基板Wを水平姿勢で保持する。
[0071]
 このように、保持部19d、19eは、上下方向Zに平行移動可能である。保持部19d、19eは、回転軸線A19c回りに回転可能である。保持部19d、19eは、回転部19cに対して進退移動可能である。
[0072]
 搬送機構18bは、左右対称である点を除き、搬送機構18aと略同じ構造および形状を有する。すなわち、搬送機構18bは、支柱19aと垂直移動部19bと回転部19cと保持部19d、19eとを備える。
[0073]
 このように、本明細書では、異なる要素が同じ構造を有する場合には、その構造に共通の符号を付すことで詳細な説明を省略する。
[0074]
 <第1ブロック21>
 図3-6、8を参照する。図8は、第1ブロック21の正面図である。第1ブロック21は、略箱形状を有する。第1ブロック21は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
[0075]
 第1ブロック21は、フレーム22を有する。フレーム22は、第1ブロック21の骨組み(骨格)として、設けられる。フレーム22は、第1ブロック21の形状を画定する。フレーム22は、例えば、金属製である。フレーム22は、第1処理部31と第1搬送機構27と迂回搬送機構41を支持する。
[0076]
 基板処理装置1は、第1搬送スペース23を備える。第1搬送スペース23は、第1ブロック21に形成される。第1搬送スペース23は、幅方向Yにおける第1ブロック21の中央部に形成される。第1搬送スペース23は、第1ブロック21の前部から第1ブロック21の後部まで前後方向Xに延びる。第1搬送スペース23は、インデクサ部11の主搬送スペース13と略同じ高さ位置に配置される。第1搬送スペース23は、主搬送スペース13と接する。第1搬送スペース23は、搬送機構18aの左方かつ後方に配置される。第1搬送スペース23は、搬送機構18bの右方かつ後方に配置される。
[0077]
 基板処理装置1は、給気ユニット24と排気ユニット25を備える。給気ユニット24は、第1搬送スペース23の上方に配置される。給気ユニット24は、平面視において、第1搬送スペース23と略同じ広さを有する。給気ユニット24は、第1搬送スペース23に気体を供給する。気体は、例えば、清浄な空気である。給気ユニット24は、給気口(不図示)を有する。給気口は、給気ユニット24の下面に形成される。給気口は、給気口の下方に気体を吹き出す。これにより、給気ユニット24は、第1搬送スペース23に気体を吹き出す。排気ユニット25は、第1搬送スペース23の下方に配置される。排気ユニット25は、平面視において、第1搬送スペース23と略同じ広さを有する。排気ユニット25は、第1搬送スペース23の気体を排出する。排気ユニット25は、排気口(不図示)を有する。排気口は、排気ユニット25の上面に形成される。排気口は、排気口の上方の気体を吸い込む。これにより、排気ユニット25は、第1搬送スペース23の気体を第1搬送スペース23の外部に排出する。給気ユニット24および排気ユニット25は、第1搬送スペース23において、下向きの気体の流れ(ダウンフロー)を形成する。これにより、第1搬送スペース23の気体は、清浄に保たれる。
[0078]
 第1搬送スペース23は、第1処理部31と略同じ高さ位置に配置される。第1搬送スペース23は、第1処理部31に隣接する。
[0079]
 第1処理部31は、第1非液処理部32と第1液処理部35を備える。第1非液処理部32は、基板Wに非液処理を行う。非液処理は、基板Wに処理液を供給せずに、基板Wに行われる処理または検査である。本実施形態では、第1非液処理部32は、基板Wに熱処理を行う。第1液処理部35は、基板Wに液処理を行う。液処理は、基板Wに処理液を供給する処理である。
[0080]
 第1液処理部35は、第1非液処理部32と略同じ高さ位置に配置される。第1非液処理部32および第1液処理部35は、第1搬送スペース23と略同じ高さ位置に配置される。第1搬送スペース23は、平面視において、第1非液処理部32と第1液処理部35の間に配置される。第1非液処理部32と第1搬送スペース23と第1液処理部35は、幅方向Yに並ぶように配置される。より詳しくは、第1非液処理部32と第1搬送スペース23と第1液処理部35は、幅方向Yに1列に並ぶように配置される。第1非液処理部32と第1搬送スペース23と第1液処理部35は、平面視において、この順番で並ぶように配置される。第1非液処理部32は、第1搬送スペース23の第1側方(例えば、右方)に配置される。第1液処理部35は、第1搬送スペース23の第2側方(例えば、左方)に配置される。
[0081]
 第1非液処理部32は、第1搬送スペース23に隣接する。第1液処理部35は、第1搬送スペース23に隣接する。
[0082]
 図8を参照する。第1搬送スペース23は、第1側部23aと第2側部23bを有する。第1側部23aは、例えば、第1搬送スペース23の右側部である。第2側部23bは、例えば、第1搬送スペース23の左側部である。第1非液処理部32は、第1搬送スペース23の第1側部23aに接する。第1液処理部35は、第1搬送スペース23の第2側部23bに接する。
[0083]
 図8は、上下方向Zにおける第1搬送スペース23の長さL23を示す。図8は、上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32を示す。図8は、上下方向Zにおける第1液処理部35の長さL35を示す。長さL32は、長さL23よりも小さい。長さL32は、長さL35よりも小さい。長さL23は、長さL35と略等しい。
[0084]
 第1搬送スペース23は、下端23cを有する。第1搬送スペース23の下端23cは、例えば、排気ユニット25の上面によって規定される。第1非液処理部32は、下端32aを有する。第1液処理部35は、下端35aを有する。下端32aは、下端23cよりも高い。すなわち、第1非液処理部32は、第1搬送スペース23の下端23cよりも高い高さ位置に配置される。下端32aは、下端35aよりも高い。すなわち、第1非液処理部32は、第1液処理部35の下端35aよりも高い高さ位置に配置される。下端23cは、下端35aと略同じ高さ位置である。
[0085]
 基板処理装置1は、第1非液処理部32の下方のスペース40を有する。スペース40は、第1搬送スペース23の第1側部23aと接する。スペース40は、第1搬送スペース23と連続する。換言すれば、スペース40は、第1搬送スペース23とつながっている。
[0086]
 第1搬送スペース23は、底部23dを有する。底部23dは、第1搬送スペース23の一部である。底部23dは、第1非液処理部32の下端32aと同等またはそれよりも低い高さ位置に位置する。底部23dとスペース40は、幅方向Yに並ぶように配置される。底部23dは、スペース40と接する。底部23dとスペース40は、幅方向Yに連続する。換言すれば、底部23dとスペース40は、幅方向Yにつながっている。
[0087]
 第1搬送機構27は、第1搬送スペース23に設けられる。第1搬送機構27は、第1処理部31と略同じ高さ位置に配置される。すなわち、第1搬送機構27と第1処理部31は水平方向に並ぶように配置される。第1搬送機構27は第1処理部31の高さ位置に移動可能である。第1搬送機構27は、第1非液処理部32と略同じ高さ位置に配置される。第1搬送機構27は、第1液処理部35と略同じ高さ位置に配置される。
[0088]
 図3、8を参照する。第1搬送機構27は、第1支持部28を備える。第1支持部28は、固定的に設けられる。第1支持部28は、第1搬送スペース23の第2側部23bに配置される。
[0089]
 図3、5を参照する。第1支持部28は、支柱28a、28bを備える。支柱28a、28bは、フレーム22に支持される。支柱28a、28bは、フレーム22に固定される。支柱28a、28bは、フレーム22に対して移動不能である。支柱28bは、支柱28aと略同じ高さ位置に配置される。支柱28a、28bは、略前後方向Xに並ぶように配置される。支柱28bは、支柱28aの後方に配置される。支柱28aは、第1搬送スペース23の第2側部23bの前部に配置される。支柱28bは、第1搬送スペース23の第2側部23bの後部に配置される。支柱28a、28bは、上下方向Zに延びる。
[0090]
 図3、5、8を参照する。第1搬送機構27は、第1可動部29を備える。第1可動部29は、移動可能に設けられる。第1可動部29は、第1支持部28に支持される。第1可動部29は、第1支持部28に対して移動可能である。第1可動部29は、基板Wを保持する。第1可動部29は第1処理部31にアクセスする。第1可動部29が第1処理部31にアクセスするとき、第1可動部29は第1搬送スペース23の底部23dに移動しない。すなわち、第1可動部29が第1搬送スペース23の底部23dに移動すること無く、第1可動部29は第1処理部31にアクセスする。
[0091]
 第1可動部29は、垂直移動部29aと水平移動部29bと回転部29cと保持部29d、29eとを備える。垂直移動部29aは、支柱28a、28bに支持される。垂直移動部29aは、支柱28a、28bに対して略上下方向Zに移動可能である。垂直移動部29aは、略前後方向Xに延びる。水平移動部29bは、垂直移動部29aに支持される。水平移動部29bは、垂直移動部29aに対して略前後方向Xに移動可能である。回転部29cは、水平移動部29bに支持される。回転部29cは、水平移動部29bに対して、回転軸線A29c回りに回転可能である。回転軸線A29cは、略上下方向Zと平行な仮想線である。保持部29d、29eは、回転部29cに支持される。保持部29d、29eは、回転部29cに対して進退移動可能である。より具体的には、保持部29d、29eは、回転部29cの向きによって決まる水平な一方向に往復移動可能である。水平な一方向は、例えば、回転軸線A29cの径方向である。保持部29d、29eは、互いに独立して、進退移動可能である。保持部29d、29eはそれぞれ、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。保持部29d、29eはそれぞれ、1枚の基板Wを水平姿勢で保持する。
[0092]
 このように、保持部29d、29eは、前後方向Xおよび上下方向Zに平行移動可能である。保持部29d、29eは、回転軸線A29c回りに回転可能である。保持部29d、29eは、回転部29cに対して進退移動可能である。
[0093]
 図3、4を参照する。第1非液処理部32は、複数(例えば16個)の第1熱処理ユニット33を備える。各第1熱処理ユニット33は、1枚の基板Wに熱処理を行う。第1熱処理ユニット33は、基板Wに処理液を供給しない。第1熱処理ユニット33によって行われる処理は、非液処理である。第1熱処理ユニット33は、非液処理ユニットに相当する。第1熱処理ユニット33の数は、第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数に相当する。
[0094]
 図4を参照する。8個の第1熱処理ユニット33は、加熱ユニットHPである。加熱ユニットHPは、1枚の基板Wに加熱処理を行う。残りの8個の第1熱処理ユニット33は、冷却ユニットCPである。冷却ユニットCPは、1枚の基板Wに冷却処理を行う。
[0095]
 各第1熱処理ユニット33は、第1搬送スペース23に接する。複数の第1熱処理ユニット33は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第1熱処理ユニット33は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに4段で、配置される。
[0096]
 図3、8を参照する。第1熱処理ユニットの基本的な構造を説明する。第1熱処理ユニット33は、第1プレート34aを備える。第1プレート34aは、略円盤形状を有する。1枚の基板Wが、第1プレート34aに載置される。
[0097]
 第1熱処理ユニット33は、第2プレート34bを備える。第2プレート34bは、第1プレート34aと略同じ高さ位置に設けられる。第1プレート34aと第2プレート34bは、略幅方向Yに並ぶように配置される。第2プレート34bは、第1プレート34aの右方に配置される。第2プレート34bは、略円盤形状を有する。1枚の基板Wが、第2プレート34bに載置される。
[0098]
 第1熱処理ユニット33は、不図示のローカル搬送機構を備える。ローカル搬送機構は、第1プレート34aと第2プレート34bとの間で、基板Wを搬送する。
[0099]
 第1熱処理ユニット33は、第1温調部(不図示)を備える。第1温調部は、第1プレート34aおよびローカル搬送機構の少なくともいずれかに取り付けられる。第1温調部は、基板Wを所定の温度に調整する。第1温調部は、例えば、熱交換器である。
[0100]
 第1熱処理ユニット33は、第2温調部(不図示)を備える。第2温調部は、第2プレート34bに取り付けられる。第2温調部は、第2プレート34b上の基板Wの温度を調整する。第2温調部は、第2プレート34b上の基板Wを所定の温度に調整する。第2温調部によって調整される基板Wの温度は、第1温調部によって調整される基板Wの温度よりも高い。第2温調部は、例えば、ヒータである。
[0101]
 第1熱処理ユニット33の構造は、加熱ユニットHPと冷却ユニットCPの間で、異なってもよい。例えば、冷却ユニットCPは、第2プレート34bとローカル搬送機構と第2温調部を備えなくてもよい。
[0102]
 図3、6を参照する。第1液処理部35は、複数(例えば6個)の第1液処理ユニット36を備える。各第1液処理ユニット36は、1枚の基板Wに液処理を行う。
[0103]
 第1液処理ユニット36は、例えば、塗布処理ユニットである。第1液処理ユニット36によって行われる液処理は、例えば、基板Wに塗膜材料を塗布する塗布処理である。塗膜材料は、処理液の一例である。第1液処理ユニット36が基板Wに塗布する塗膜材料は、基板処理装置1の動作に応じて、適宜に選択される。塗膜は、例えば、下層膜、中間層膜および上層膜のいずれかである。塗膜は、例えば、反射防止膜、SOG(Spin on Glass)膜、レジスト膜および保護膜のいずれかである。各第1液処理ユニット36は、同種の塗膜材料を使用してもよい。
[0104]
 各第1液処理ユニット36は、第1搬送スペース23に接する。複数の第1液処理ユニット36は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第1液処理ユニット36は、前後方向Xに3列、および、上下方向Zに2段で、配置される。
[0105]
 図3、8を参照する。第1液処理ユニット36は、回転保持部37aとノズル37bとカップ37cを備える。回転保持部37aは、1枚の基板Wを水平姿勢で保持する。回転保持部37aは、回転保持部37aが保持する基板Wを回転軸線回りに回転可能である。回転軸線は、基板Wの中心を通り、上下方向Zと略平行な仮想線である。ノズル37bは、回転保持部37aに保持される基板Wに処理液を吐出する。ノズル37bは、処理位置と退避位置に移動可能に設けられる。処理位置は、回転保持部37aに保持された基板Wの上方の位置である。ノズル37bが処理位置にあるとき、ノズル37bは、平面視において、回転保持部37aに保持された基板Wと重なる。ノズル37bが処理位置にあるとき、ノズル37bは、基板Wに処理液を吐出する。ノズル37bが退避位置にあるとき、ノズル37bは、平面視において、回転保持部37aに保持された基板Wと重ならない。カップ37cは、回転保持部37aの周囲に配置される。カップ37cは、処理液を回収する。
[0106]
 図8を参照する。基板処理装置1は、複数のハウジング38を備える。1つのハウジング38は、上段に配置される3つの第1液処理ユニット36を収容する。他の1つのハウジング38は、下段に配置される3つの第1液処理ユニット36を収容する。
[0107]
 基板処理装置1は、基板Wが通過可能な複数の基板搬送口39を備える。第1搬送スペース23と第1液処理部35との間で基板Wが移動するとき、基板Wは、基板搬送口39を通過する。基板搬送口39は、第1搬送スペース23と第1液処理部35の間に配置される。基板搬送口39は、ハウジング38に形成される。基板搬送口39は、第1搬送スペース23(具体的には第2側部23b)と接するハウジング38の側部に形成される。基板搬送口39は、第1非液処理部32の下端32aよりも高い高さ位置に配置される。
[0108]
 基板処理装置1は、さらに、基板搬送口39を開閉する部材(例えば、シャッター)を備えてもよい。基板搬送口39を開閉する部材は、ハウジング38の内部を、第1搬送スペース23から遮断することができる。
[0109]
 第1搬送機構27は、第1熱処理ユニット33と第1液処理ユニット36に基板Wを搬送する。具体的には、第1搬送機構27は、各第1熱処理ユニット33の第1プレート34aに基板Wを載置可能である。第1搬送機構27は、各第1熱処理ユニット33の第1プレート34a上の基板Wを取ることができる。第1搬送機構27は、各第1液処理ユニット36の回転保持部37aに基板Wを載置可能である。第1搬送機構27は、各第1液処理ユニット36の回転保持部37a上の基板Wを取ることができる。
[0110]
 例えば、第1搬送機構27は、冷却ユニットCPと第1液処理ユニット36と加熱ユニットHPに、この順番で基板Wを搬送する。第1処理部31は、冷却処理と塗布処理と加熱処理を、この順番で基板Wに行う。これにより、第1処理部31は、基板Wに塗膜を形成する。第1処理部31が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第1塗膜と呼ぶ。
[0111]
 図8を参照する。迂回搬送機構41は、第1搬送スペース23と略同じ高さ位置に配置される。迂回搬送機構41は、第1搬送スペース23の下端23cと同等またはそれよりも高い高さ位置に配置される。
[0112]
 迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1搬送スペース23に配置される。迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1搬送スペース23の底部23dに配置される。
[0113]
 迂回搬送機構41は、側面視において、第1搬送スペース23と重なる。迂回搬送機構41は、側面視において、第1搬送スペース23の底部23dと重なる。
[0114]
 迂回搬送機構41に保持される基板Wの少なくとも一部は、第1搬送スペース23の内部に位置する。迂回搬送機構41に保持される基板Wの全部は、第1搬送スペース23に位置する。迂回搬送機構41に保持される基板Wの全部は、第1搬送スペース23の底部23dに位置する。
[0115]
 迂回搬送機構41と第1搬送機構27は、略上下方向Zに並ぶように配置される。迂回搬送機構41は、第1搬送機構27の下方に配置される。迂回搬送機構41は、第1搬送機構27の第1可動部29の下方に配置される。
[0116]
 迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1非液処理部32の下方のスペース40に配置される。迂回搬送機構41は、スペース40および第1搬送スペース23にわたって配置される。迂回搬送機構41は、スペース40および底部23dにわたって配置される。
[0117]
 迂回搬送機構41は、第1非液処理部32の下端32aと同等またはそれよりも低い高さ位置に配置される。迂回搬送機構41は、側面視において、第1非液処理部32と重ならない。
[0118]
 迂回搬送機構41は、第1液処理部35と略同じ高さ位置に配置される。迂回搬送機構41は、第1液処理部35の下端35aと同等またはそれよりも高い高さ位置に配置される。迂回搬送機構41は、側面視において、第1液処理部35と重なる。すなわち、迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31と重なる。迂回搬送機構41は、第1液処理部35の基板搬送口39よりも低い高さ位置に配置される。迂回搬送機構41は、第1液処理部35の右方に配置される。
[0119]
 図9は、基板処理装置1の平面図である。図9は、第1非液処理部32の図示を省略する。迂回搬送機構41の少なくとも一部は、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置される。迂回搬送機構41の少なくとも一部は、平面視において、第1搬送スペース23と重なる位置に配置される。迂回搬送機構41は、平面視において、第1液処理部35と重ならない位置に配置される。
[0120]
 図8、9、図10(a)、10(b)、10(c)を参照する。図10(a)は、迂回搬送機構41の平面図である。図10(b)は、迂回搬送機構41の左側面図である。図10(b)は、迂回搬送機構41の正面図である。
[0121]
 迂回搬送機構41は、迂回支持部42を備える。迂回支持部42は、固定的に設けられる。迂回支持部42は、フレーム22に支持される。迂回支持部42は、フレーム22に固定される。迂回支持部42は、フレーム22に対して移動不能である。迂回支持部42は、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置される。迂回支持部42は、平面視において、第1搬送スペース23と重ならない位置に配置される。迂回支持部42は、略前後方向Xに延びる。迂回支持部42は、例えば、レールである。
[0122]
 迂回搬送機構41は、迂回可動部43を備える。迂回可動部43は、迂回支持部42に支持される。迂回可動部43は、迂回支持部42に対して移動可能である。迂回可動部43は、迂回支持部42から略水平方向に延びる。具体的には、迂回可動部43は、迂回支持部42の側部から第1搬送スペース23に向かって延びる。迂回可動部43の少なくとも一部は、第1搬送スペース23の内部に配置される。迂回可動部43は、基板Wを保持する。
[0123]
 迂回可動部43は、第1迂回可動部43aを備える。第1迂回可動部43aは、水平移動部44aを備える。水平移動部44aは、迂回支持部42に支持される。水平移動部44aは、迂回支持部42の側部に接続される。水平移動部44aは、迂回支持部42に対して略水平方向(具体的には、略前後方向X)に移動可能である。
[0124]
 図9を参照する。前後方向Xにおける迂回支持部42の長さは、前後方向Xにおける第1搬送機構27の垂直移動部29aの長さを略同じである。迂回支持部42が設置される前後方向Xの範囲は、垂直移動部29aが設置される前後方向Xの範囲と略同じである。
[0125]
 水平移動部44aが前後方向Xに移動可能な距離は、第1搬送機構27の水平移動部29bが前後方向Xに移動可能な距離と略同じである。水平移動部44aが前後方向Xに移動可能な範囲は、第1搬送機構27の水平移動部29bが前後方向Xに移動可能な範囲と略同じである。
[0126]
 図8、9、図10(a)-10(c)を参照する。第1迂回可動部43aは、アーム部44bを備える。アーム部44bは、水平移動部44aに支持される。アーム部44bは、水平移動部44aに接続される。アーム部44bは、水平移動部44aから略水平方向に延びる。アーム部44bは、水平移動部44aに対して回転可能である。具体的には、アーム部44bは、水平移動部44aに対して回転軸線A44b回りに回転可能である。回転軸線A44bは、上下方向Zと略平行な仮想線である。
[0127]
 第1迂回可動部43aは、保持部44cを備える。保持部44cは、アーム部44bに支持される。保持部44cは、アーム部44bに接続される。保持部44cは、アーム部44bに固定される。保持部44cは、アーム部44bを介して、水平移動部44aに支持される。保持部44cは、水平移動部44aに対して回転可能である。保持部44cは、水平移動部44aよりも前方の位置および水平移動部44aよりも後方の位置に移動可能である。保持部44cの少なくとも一部は、第1搬送スペース23の内部に配置される。保持部44cの少なくとも一部は、平面視において、第1搬送スペース23と重なる位置に配置される。保持部44cは、平面視において、略I字形状を有する。保持部44cは、基板Wを保持する。保持部44cは、1枚の基板Wを水平姿勢で保持する。保持部44cに保持される基板Wの少なくとも一部は、第1搬送スペース23の内部に位置する。
[0128]
 図10(a)-10(c)を参照する。保持部44cは、保持部本体45aとパッド45bを備える。保持部本体45aは、アーム部44bに接続される。保持部本体45aは、アーム部44bから略水平方向に延びる。パッド45bは、保持部本体45aに接続される。パッド45bは、保持部本体45aから上方に突出する。上下方向Zにおけるパッド45bの長さは、上下方向Zにおける保持部19dの長さよりも大きいことが好ましい。同様に、上下方向Zにおけるパッド45bの長さは、上下方向Zにおける保持部19eの長さよりも大きいことが好ましい。パッド45bは、基板Wと接触する。具体的には、パッド45bは、上面を有する。パッド45bの上面は、基板Wの裏面と接触する。
[0129]
 第1迂回可動部43aは、さらに、アーム部44dと保持部44eを備える。アーム部44dと保持部44eはそれぞれ、アーム部44bと保持部44cと略同じ形状および構造を有する。アーム部44dは、アーム部44bの下方に配置される。アーム部44dは、水平移動部44aに支持される。アーム部44dは、水平移動部44aに対して回転軸線A44d回りに回転可能である。回転軸線A44dは、例えば、回転軸線A44bと同軸上に位置する。アーム部44dは、アーム部44bとは独立して回転可能である。保持部44eはアーム部44dに固定される。
[0130]
 このように、保持部44c、44eはそれぞれ、前後方向Xに平行移動可能である。さらに、保持部44c、44eはそれぞれ、回転軸線A44b、A44d回りに回転可能である。但し、保持部44c、44eはそれぞれ、幅方向Yおよび上下方向Zに平行移動できない。
[0131]
 第1迂回可動部43aは、さらに、庇部44fを備える。図10(a)では、第1迂回可動部43aの庇部44fを破線で示す。庇部44fは、水平移動部44aに支持される。庇部44fは、水平移動部44aに固定される。庇部44fは、アーム部44b、44dおよび保持部44c、44eの上方に配置される。庇部44fは、略水平な板形状を有する。庇部44fは、平面視において、基板Wよりも広い。庇部44fは、保持部44c、44eに保持される基板Wの上面を覆う。庇部44fは、平面視において、保持部44c、44eに保持される基板Wと重なる。
[0132]
 迂回可動部43は、第2迂回可動部43bを備える。第2迂回可動部43bは、第1迂回可動部43aよりも低い高さ位置に配置される。第2迂回可動部43bは、第1迂回可動部43aと略同じ形状および構造を有する。第2迂回可動部43bは、第1迂回可動部43aとは独立して、移動可能である。具体的には、第2迂回可動部43bは、水平移動部44aとアーム部44b、44dと保持部44c、44eと庇部44fを備える。第2迂回可動部43bの水平移動部44aは、第1迂回可動部43aを介さずに、迂回支持部42に支持される。第2迂回可動部43bの水平移動部44aは、迂回支持部42に対して略水平方向に移動可能である。第2迂回可動部43bの水平移動部44aは、第1迂回可動部43aの水平移動部44aとは独立して移動可能である。
[0133]
 第1迂回可動部43aの水平移動部44aは、本発明の第1水平移動部の例である。第1迂回可動部43aのアーム部44b、44dは、本発明の第1アーム部の例である。第1迂回可動部43aの保持部44c、44eは、本発明の第1保持部の例である。第2迂回可動部43bの水平移動部44aは、本発明の第2水平移動部の例である。第2迂回可動部43bのアーム部44b、44dは、本発明の第2アーム部の例である。第2迂回可動部43bの保持部44c、44eは、本発明の第2保持部の例である。
[0134]
 迂回搬送機構41は、第1処理部31にアクセスできない。迂回搬送機構41は、第1処理部31に基板Wを搬送できない。
[0135]
 <第2ブロック51>
 図3-6を参照する。第2ブロック51は、迂回搬送機構41を備えていない点で、第1ブロック21と異なる。しかしながら、第2ブロック51は、第1ブロック21の構造と類似する多くの構造を有する。
[0136]
 第2ブロック51は、略箱形状を有する。第2ブロック51は、平面視および側面視において、略矩形である。図示を省略するが、第2ブロック51は、正面視においても、略矩形である。
[0137]
 第2ブロック51は、フレーム52を有する。フレーム52は、第2ブロック51の骨組み(骨格)として、設けられる。フレーム52は、第2ブロック51の形状を画定する。フレーム52は、例えば、金属製である。フレーム52は、第2処理部61と第2搬送機構57を支持する。
[0138]
 基板処理装置1は、第2搬送スペース53を備える。第2搬送スペース53は、第2ブロック51に形成される。第2搬送スペース53は、幅方向Yにおける第2ブロック51の中央部に形成される。第2搬送スペース53は、第2ブロック51の前部から第2ブロック51の後部まで前後方向Xに延びる。第2搬送スペース53は、第1ブロック21の第1搬送スペース23と略同じ高さ位置に配置される。第1搬送スペース23と第2搬送スペース53は、前後方向Xに並ぶように配置される。第2搬送スペース53は、第1搬送スペース23の後方に配置される。第2搬送スペース53は、第1搬送スペース23と接する。第2搬送スペース53は、第1搬送機構27および迂回搬送機構41の後方に配置される。
[0139]
 図5を参照する。基板処理装置1は、給気ユニット54と排気ユニット55を備える。給気ユニット54は、第2搬送スペース53の上方に配置される。給気ユニット54は、第2搬送スペース53に気体を供給する。排気ユニット55は、第2搬送スペース53の下方に配置される。排気ユニット55は、第2搬送スペース53の気体を排出する。給気ユニット54および排気ユニット55は、第2搬送スペース53において、下向きの気体の流れ(ダウンフロー)を形成する。これにより、第2搬送スペース53の気体は、清浄に保たれる。給気ユニット54は、給気ユニット24と略同じ構造を有する。排気ユニット55は、排気ユニット25と略同じ構造を有する。
[0140]
 第2搬送機構57は、第2搬送スペース53に設けられる。第2搬送機構57は、第1搬送機構27と略同じ構造を有する。このため、第2搬送機構57の構造の説明を省略する。
[0141]
 図3-6を参照する。第2処理部61は、第2搬送スペース53と略同じ高さ位置に配置される。第2処理部61は、第2搬送スペース53に隣接する。
[0142]
 第2処理部61は、第2非液処理部62と第2液処理部65を備える。第2非液処理部62は、基板Wに非液処理を行う。第2液処理部65は、基板Wに液処理を行う。第2非液処理部62は、第2搬送スペース53の第1側方(例えば、右方)に配置される。第2液処理部65は、第2搬送スペース53の第2側方(例えば、左方)に配置される。
[0143]
 第2非液処理部62は、第1非液処理部32と略同じ高さ位置に配置される。第1非液処理部32と第2非液処理部62は、略前後方向Xに並ぶように配置される。第2非液処理部62は、第1非液処理部32の後方に配置される。
[0144]
 図4を参照する。第2非液処理部62は、下端62aを有する。第2非液処理部62の下端62aは、第1非液処理部32の下端32aよりも低い高さ位置に配置される。
[0145]
 図4は、上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32を示す。図4は、上下方向Zにおける第2非液処理部62の長さL62を示す。長さL32は、長さL62よりも小さい。
[0146]
 第2非液処理部62は、複数(例えば20個)の第2熱処理ユニット63を備える。各第2熱処理ユニット63は、1枚の基板Wに熱処理を行う。第2熱処理ユニット63は、基板Wに処理液を供給しない。第2熱処理ユニット63によって行われる処理は、非液処理である。第2熱処理ユニット63は、非液処理ユニットに相当する。第2熱処理ユニット63の数は、第2処理部61に含まれる非液処理ユニットの数に相当する。第2処理部61に含まれる非液処理ユニットの数は、第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数よりも多い。
[0147]
 4個の第2熱処理ユニット63は、疎水化処理ユニットAHPである。疎水化処理ユニットAHPは、基板Wに疎水化処理を行う。疎水化処理は、ヘキサメチルジシラザン(HMDS:Hexamethyldisilazane)を含む処理ガスを基板Wに供給しつつ、基板Wを所定の温度に調整する処理である。疎水化処理は、基板Wと塗膜との密着性を高めるために行われる。他の8個の第2熱処理ユニット63は、中温加熱ユニットMHPである。中温加熱ユニットMHPは、基板Wに加熱処理を行う。残りの8個の第2熱処理ユニット63は、高温加熱ユニットHHPである。高温加熱ユニットHHPは、基板Wに加熱処理を行う。高温加熱ユニットHHPは、中温加熱ユニットMHPよりも高い温度で基板Wを加熱する。以下では、中温加熱ユニットMHPによる加熱処理を、中温加熱処理と適宜に呼ぶ。高温加熱ユニットHHPによる加熱処理を、高温加熱処理と適宜に呼ぶ。
[0148]
 各第2熱処理ユニット63は、第2搬送スペース53に接する。複数の第2熱処理ユニット63は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第2熱処理ユニット63は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに5段で、配置される。
[0149]
 第2熱処理ユニット63は、第1熱処理ユニット33と略同じ構造を有する。このため、第2熱処理ユニット63の構造の説明を省略する。なお、第2熱処理ユニット63の構造は、疎水化処理ユニットAHPと中温加熱ユニットMHPと高温加熱ユニットHHPの間で、異なってもよい。例えば、疎水化処理ユニットAHPは、さらに、第2プレート34b上の基板Wに処理ガスを供給するガス供給部を備えてもよい。
[0150]
 図6を参照する。第2液処理部65は、第1液処理部35と略同じ高さ位置に配置される。第1液処理部35と第2液処理部65は、略前後方向Xに並ぶように配置される。第2液処理部65は、第1液処理部35の後方に配置される。
[0151]
 第2液処理部65は、複数(例えば6個)の第2液処理ユニット66を備える。各第2液処理ユニット66は、1枚の基板Wに液処理を行う。
[0152]
 第2液処理ユニット66は、例えば、塗布処理ユニットである。第2液処理ユニット66によって行われる液処理は、例えば、塗布処理である。第2液処理ユニット66が基板Wに塗布する塗膜材料は、基板処理装置1の動作に応じて、適宜に選択される。各第2液処理ユニット66は、同種の塗膜材料を使用してもよい。
[0153]
 各第2液処理ユニット66は、第2搬送スペース53に接する。複数の第2液処理ユニット66は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第2液処理ユニット66は、前後方向Xに3列、および、上下方向Zに2段で、配置される。
[0154]
 第2液処理ユニット66は、第1液処理ユニット36と略同じ構造を有する。このため、第2液処理ユニット66の構造の説明を省略する。なお、第2液処理ユニット66が使用する処理液に応じて、第2液処理ユニット66は、第1液処理ユニット36とは異なる構造を有してもよい。例えば、第2液処理ユニット66のノズル37bは、第1液処理ユニット36のノズル37bとは異なる構造を有してもよい。
[0155]
 第2搬送機構57は、第2熱処理ユニット63および第2液処理ユニット66に基板Wを搬送する。例えば、第2搬送機構57は、疎水化処理ユニットAHPと第2液処理ユニット66と中温加熱ユニットMHPと高温加熱ユニットHHPに、この順番で基板Wを搬送する。第2処理部61は、疎水化処理と塗布処理と中温加熱処理と高温加熱処理を、この順番で基板Wに行う。これにより、第2処理部61は、基板Wに塗膜を形成する。第2処理部61が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第2塗膜と呼ぶ。
[0156]
 第2塗膜は、第1処理部31によって形成される第1塗膜と同じであってもよい。第2塗膜は、第1塗膜と異なってもよい。
[0157]
 <搬送機構同士の間で基板Wを搬送するための構成>
 図3を参照する。第1搬送機構27は、平面視において、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。主搬送機構17と第1搬送機構27と第2搬送機構57は、平面視において、この順番で並ぶように配置される。主搬送機構17と第1搬送機構27と第2搬送機構57は、前後方向Xに並ぶように配置される。第1搬送機構27は、主搬送機構17の後方に配置される。第2搬送機構57は、第1搬送機構27の後方に配置される。
[0158]
 図4、5、6を参照する。第1搬送機構27は、主搬送機構17および第2搬送機構57と略同じ高さ位置に配置される。すなわち、第1搬送機構27と主搬送機構17と第2搬送機構57は、水平方向に並ぶように配置される。主搬送機構17は、第1搬送機構27の高さ位置に移動可能である。第2搬送機構57は、第1搬送機構27の高さ位置に移動可能である。
[0159]
 図3、5を参照する。主搬送機構17と第1搬送機構27の間で基板Wを搬送するための構成を説明する。基板処理装置1は、前載置部71を備える。前載置部71には、基板Wが載置される。前載置部71は、主搬送機構17と第1搬送機構27の間に配置される。主搬送機構17と第1搬送機構27は、前載置部71を介して、相互に基板Wを搬送する。搬送機構18aと第1搬送機構27は、前載置部71を介して、相互に基板Wを搬送する。搬送機構18bと第1搬送機構27は、前載置部71を介して、相互に基板Wを搬送する。このため、主搬送機構17と第1搬送機構27の間で基板Wを搬送するとき、主搬送機構17と第1搬送機構27は、同じ基板Wに同時に接触しない。
[0160]
 前載置部71は、インデクサ部11と第1ブロック21の間に配置される。例えば、前載置部71は、インデクサ部11と第1ブロック21にわたって配置される。例えば、前載置部71は、インデクサ部11の主搬送スペース13と第1ブロック21の第1搬送スペース23にまたがって配置される。
[0161]
 前載置部71は、主搬送機構17および第1搬送機構27と略同じ高さ位置に配置される。前載置部71は、主搬送機構17の後方に配置される。前載置部71は、搬送機構18aの後方かつ左方に配置される。前載置部71は、搬送機構18bの後方かつ右方に配置される。前載置部71は、第1搬送機構27の前方に配置される。前載置部71は、迂回搬送機構41よりも高い高さ位置に配置される。
[0162]
 図5を参照する。前載置部71は、複数(例えば、4個)のプレート72を備える。1枚の基板Wが、1つのプレート72上に載置される。複数のプレート72は、略上下方向Zに並ぶように配置される。このため、前載置部71は、複数(例えば、4枚)の基板Wを載置可能である。
[0163]
 主搬送機構17は、前載置部71に基板Wを載置可能である。搬送機構18a、18bはそれぞれ、前載置部71に基板Wを載置可能である。搬送機構18a、18bはそれぞれ、前載置部71に2枚の基板Wを同時に載置可能である。主搬送機構17は、前載置部71上の基板Wを取ることができる。搬送機構18a、18bはそれぞれ、前載置部71上の基板Wを取ることができる。搬送機構18a、18bはそれぞれ、前載置部71上の2枚の基板Wを同時に取ることができる。
[0164]
 第1搬送機構27は、前載置部71に基板Wを載置可能である。第1搬送機構27は、前載置部71上の基板Wを取ることができる。
[0165]
 主搬送機構17が第1搬送機構27に基板Wを渡す動作例を説明する。先ず、主搬送機構17は前載置部71に基板Wを載置する。例えば、主搬送機構17は、前載置部71に2枚の基板Wを同時に載置する。次に、第1搬送機構27は前載置部71上の基板Wを取る。例えば、第1搬送機構27は前載置部71上の基板Wを1枚ずつ取る。
[0166]
 第1搬送機構27が主搬送機構17に基板Wを渡す動作例を説明する。まず、第1搬送機構27は前載置部71に基板Wを載置する。次に、主搬送機構17が前載置部71上の基板Wを取る。
[0167]
 第1搬送機構27と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送するための構成を説明する。基板処理装置1は、後載置部77を備える。後載置部77には、基板Wが載置される。後載置部77は、第1搬送機構27と第2搬送機構57の間に配置される。第1搬送機構27と第2搬送機構57は、後載置部77を介して、相互に基板Wを搬送する。このため、第1搬送機構27と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送するとき、第1搬送機構27と第2搬送機構57は、同じ基板Wに同時に接触しない。
[0168]
 後載置部77は、第1ブロック21と第2ブロック51の間に配置される。例えば、後載置部77は、第1ブロック21と第2ブロック51にわたって配置される。例えば、後載置部77は、第1ブロック21の第1搬送スペース23と第2ブロック51の第2搬送スペース53にまたがって配置される。
[0169]
 後載置部77は、第1搬送機構27および第2搬送機構57と略同じ高さ位置に配置される。後載置部77は、第1搬送機構27の後方に配置される。後載置部77は、第2搬送機構57の前方に配置される。後載置部77は、迂回搬送機構41よりも高い高さ位置に配置される。
[0170]
 図5を参照する。後載置部77は、前載置部71と略同じ構造を有する。すなわち、後載置部77は、複数(例えば、4個)のプレート72を備える。後載置部77は、複数(例えば、4枚)の基板Wを載置可能である。
[0171]
 第1搬送機構27は、後載置部77に基板Wを載置可能である。第1搬送機構27は、後載置部77上の基板Wを取ることができる。第2搬送機構57は、後載置部77に基板Wを載置可能である。第2搬送機構57は、後載置部77上の基板Wを取ることができる。
[0172]
 第1搬送機構27が第2搬送機構57に基板Wを渡すとき、まず、第1搬送機構27は後載置部77に基板Wを載置し、次に、第2搬送機構57は後載置部77上の基板Wを取る。第2搬送機構57が第1搬送機構27に基板Wを渡すとき、まず、第2搬送機構57は後載置部77に基板Wを載置し、次に、第1搬送機構27は後載置部77上の基板Wを取る。
[0173]
 図4、5、8、9を参照する。迂回搬送機構41は、平面視において、主搬送機構17と第2搬送機構57の間に配置される。主搬送機構17と迂回搬送機構41と第2搬送機構57は、平面視において、この順番で並ぶように配置される。迂回搬送機構41は、主搬送機構17および第2搬送機構57と略同じ高さ位置に配置される。すなわち、迂回搬送機構41と主搬送機構17と第2搬送機構57は、水平方向に並ぶように配置される。主搬送機構17は、迂回搬送機構41の高さ位置に移動可能である。第2搬送機構57は、迂回搬送機構41の高さ位置に移動可能である。主搬送機構17と第1搬送機構27と第2搬送機構57は、前後方向Xに並ぶように配置される。迂回搬送機構41は、主搬送機構17の後方に配置される。第2搬送機構57は、迂回搬送機構41の後方に配置される。
[0174]
 なお、迂回搬送機構41は、第2処理部61の前方に配置される。迂回搬送機構41は、平面視において、第2処理部61と重ならない位置に配置される。
[0175]
 図9を参照する。主搬送機構17と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するための構成を説明する。主搬送機構17と迂回搬送機構41は、直接的に基板Wを受け渡す。具体的には、主搬送機構17と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するとき、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、同じ基板Wに同時に接触する。換言すれば、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、主搬送機構17および迂回搬送機構41以外の部材(例えば、載置部)を介さずに、相互に基板Wを搬送する。
[0176]
 図9は、同じ基板Wに同時に接触する主搬送機構17と迂回搬送機構41を示す。搬送機構18aの保持部19d、19eは、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。搬送機構18aの保持部19d、19eは、基板Wの部分P1と接触する。迂回搬送機構41の保持部44c、44eは、平面視において、略I字形状を有する。迂回搬送機構41の保持部44c、44e(具体的には、パッド45b)は、基板Wの部分Qと接触する。基板Wの部分P1は基板Wの部分Qと異なる。基板Wの部分P1は、例えば、基板Wの裏面の中央部以外の部分である。基板Wの部分P1は、例えば、基板Wの裏面の周縁部である。基板Wの部分Qは、例えば、基板Wの裏面の中央部である。このため、搬送機構18aと迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、搬送機構18aと迂回搬送機構41は互いに干渉しない。
[0177]
 搬送機構18bの保持部19d、19eと接触する基板Wの部分は、基板Wの部分P1と略同じである。したがって、搬送機構18bの保持部19d、19eと接触する基板Wの部分は、基板Wの部分Qと異なる。このため、搬送機構18bと迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、搬送機構18bと迂回搬送機構41は互いに干渉しない。
[0178]
主搬送機構17と第1搬送機構27が基板Wを受け渡すとき、水平移動部44aは、迂回支持部42の前端に位置する。アーム部44b、44dの回転により、保持部44c、44eは、水平移動部44aよりも前方に位置する。
[0179]
 主搬送機構17と迂回搬送機構41の間で基板Wが受け渡される位置を、第1受け渡し位置と呼ぶ。主搬送機構17と第1搬送機構27の間で基板Wが受け渡される位置を、第2受け渡し位置と呼ぶ。第1受け渡し位置は、平面視において、第2受け渡し位置と略同じである。ここで、第2受け渡し位置は、前載置部71の位置と略同じである。したがって、第1受け渡し位置は、平面視において、前載置部71の位置と略同じである。
[0180]
 第1受け渡し位置は、第2受け渡し位置の下方の位置である。第1受け渡し位置は、前載置部71の下方の位置である。
[0181]
 図11(a)-11(e)は、主搬送機構17と第1搬送機構27が基板Wを受け渡す動作例を示す側面図である。主搬送機構17が迂回搬送機構41に基板Wを渡す動作例を説明する。
[0182]
 図11(a)、(b)を参照する。保持部19dは、基板Wを保持する。保持部19dは、保持部44cの上方の位置に移動する。保持部44cは、基板Wを保持していない。
[0183]
 図11(b)-11(d)を参照する。保持部19dは下方に移動する。保持部19dがパッド45bの上面と略同じ高さ位置に移動したとき、保持部44cは、保持部19dに保持される基板Wと接触する。すなわち、保持部19dがパッド45bの上面と略同じ高さ位置に移動したとき、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、同じ基板Wに同時に接触する。保持部19dがパッド45bの上面よりも低い高さ位置に移動したとき、基板Wが保持部44cに接触した状態で、基板Wは保持部19dから離れる。これにより、基板Wは、主搬送機構17から迂回搬送機構41に直接的に渡される。
[0184]
 保持部19dが、パッド45bの上面よりも低く、かつ、保持部本体45aよりも高い位置に移動したとき、保持部19dは下方への移動を停止する。なお、平面視において、保持部19dが保持部44cと重ならない場合、保持部19dは、保持部44cよりも低い位置まで、下方に移動できる。
[0185]
 図11(d)-11(e)を参照する。保持部19dは、水平方向に移動し、保持部44cから遠ざかる。
[0186]
 迂回搬送機構41が主搬送機構17に基板Wを渡す動作例を説明する。迂回搬送機構41が主搬送機構17に基板Wを渡す動作は、主搬送機構17が迂回搬送機構41に基板Wを渡す動作の逆である。
[0187]
 図11(e)-11(d)を参照する。保持部44cは、基板Wを保持する。保持部19dは、基板Wを保持していない。保持部19dは、パッド45bに保持される基板Wよりも低く、かつ、保持部本体45aよりも高い高さ位置において、水平移動する。これにより、保持部19dは、側面視において、基板Wの下方、かつ、保持部本体45aの上方の位置に移動する。
[0188]
 図11(d)-11(b)を参照する。保持部19dは、上方に移動する。保持部19dがパッド45bの上面と略同じ高さ位置に移動したとき、保持部19dは、保持部44cに保持される基板Wと接触する。すなわち、保持部19dがパッド45bの上面と略同じ高さ位置に移動したとき、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、同じ基板Wに同時に接触する。保持部19dがパッド45bよりも高い高さ位置に移動したとき、基板Wが保持部19dに接触した状態で、基板Wは保持部44cから離れる。これにより、基板Wは、第1搬送機構27から主搬送機構17に直接的に渡される。
[0189]
 図11(b)-11(a)を参照する。保持部19dは、基板Wを保持した状態で水平方向に移動し、保持部44cから遠ざかる。
[0190]
 主搬送機構17は、迂回搬送機構41に2枚の基板Wを同時に渡すことができる。具体的には、搬送機構18aの保持部19d、19eは、迂回搬送機構41の保持部44c、44eに2枚の基板Wを同時に載置できる。同様に、搬送機構18bの保持部19d、19eは、迂回搬送機構41の保持部44c、44eに2枚の基板Wを同時に載置できる。
[0191]
 主搬送機構17は、迂回搬送機構41から2枚の基板Wを同時に受けることができる。具体的には、搬送機構18aの保持部19d、19eは、迂回搬送機構41の保持部44c、44e上の基板Wを同時に取ることができる。同様に、搬送機構18bの保持部19d、19eは、迂回搬送機構41の保持部44c、44e上の基板Wを同時に取ることができる。
[0192]
 図9を参照する。迂回搬送機構41と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送するための構成を説明する。迂回搬送機構41と第2搬送機構57は、直接的に基板Wを受け渡す。具体的には、迂回搬送機構41と第2搬送機構57の間で基板Wを搬送するとき、迂回搬送機構41と第2搬送機構57は、同じ基板Wに同時に接触する。
[0193]
 図9は、同じ基板Wに同時に接触する迂回搬送機構41と第2搬送機構57を示す平面図である。第2搬送機構57の保持部29d、29eは、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。第2搬送機構57の保持部29d、29eは、基板Wの部分P2と接触する。迂回搬送機構41の保持部44c、44e(具体的には、パッド45b)は、基板Wの部分Qと接触する。基板Wの部分P2は、基板Wの部分Qと異なる。基板Wの部分P2は、例えば、基板Wの裏面の中央部以外の部分である。部分P2は、例えば、基板Wの裏面の周縁部である。基板Wの部分Qは、例えば、基板Wの裏面の中央部である。このため、第2搬送機構57と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、第2搬送機構57と迂回搬送機構41は互いに干渉しない。
[0194]
 第2搬送機構57が迂回搬送機構41に基板Wを渡す動作は、主搬送機構17が迂回搬送機構41に基板Wを渡す動作例と略同じである。迂回搬送機構41が第2搬送機構57に基板Wを渡す動作は、迂回搬送機構41が主搬送機構17に基板Wを渡す動作と略同じである。ただし、第2搬送機構57が迂回搬送機構41に基板Wを渡すとき、および、迂回搬送機構41が第2搬送機構57に基板Wを渡すとき、水平移動部44aは、迂回支持部42の後端に位置する。さらに、アーム部44b、44dの回転により、保持部44c、44eは、水平移動部44aよりも後方に位置する。
[0195]
 第2搬送機構57と迂回搬送機構41の間で基板Wが受け渡される位置を、第3受け渡し位置と呼ぶ。第1搬送機構27と第2搬送機構57の間で基板Wが受け渡される位置を、第4受け渡し位置と呼ぶ。第3受け渡し位置は、平面視において、第4受け渡し位置と略同じである。ここで、第4受け渡し位置は、後載置部77の位置と略同じである。したがって、第3受け渡し位置は、平面視において、後載置部77の位置と略同じである。
[0196]
 第3受け渡し位置は、第4受け渡し位置の下方の位置である。第3受け渡し位置は、後載置部77の下方の位置である。
[0197]
 <制御部>
 図3を参照する。基板処理装置1は、制御部79を備える。制御部79は、例えば、インデクサ部11に設置される。制御部79は、インデクサ部11と第1ブロック21と第2ブロック51を制御する。より具体的には、制御部79は、主搬送機構17と第1処理部31と第1搬送機構27と迂回搬送機構41と第2処理部61と第2搬送機構57を制御する。
[0198]
 制御部79は、各種処理を実行する中央演算処理装置(CPU)、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、基板Wを処理するための処理レシピ(処理プログラム)や、各基板Wを識別するための情報など各種情報を記憶されている。
[0199]
 <基板処理装置1の動作例>
 図12(a)は、図2(a)に示す第1動作例における基板Wの搬送経路を模式的に示す図である。図12(b)は、図2(b)に示す第2動作例における基板Wの搬送経路を模式的に示す図である。図12(c)は、図2(c)に示す第3動作例における基板Wの搬送経路を模式的に示す図である。なお、図12(a)-12(c)では、キャリア載置部12a1、12b1を、図3とは異なる位置に示す。
[0200]
 図12(a)を参照して、第1動作例を改めて説明する。搬送機構18aは、キャリア載置部12a1上のキャリアCから迂回搬送機構41に基板Wを搬送する。迂回搬送機構41は、搬送機構18aから第2搬送機構57に基板Wを搬送する。第2搬送機構57は、迂回搬送機構41から第2処理部61に基板Wを搬送し、かつ、第2処理部61から後載置部77に基板Wを搬送する。第1搬送機構27は、後載置部77から第1処理部31に基板Wを搬送し、かつ、第1処理部31から前載置部71に基板Wを搬送する。搬送機構18bは、前載置部71からキャリア載置部12b1上のキャリアCに基板Wを搬送する。
[0201]
 第1動作例では、基板処理装置1は、基板Wに2層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、基板Wの上面に第2塗膜を形成し、第2塗膜の上面に第1塗膜を形成する。
[0202]
 例えば、第2塗膜は、下層膜および中間膜のいずれかであり、第1塗膜は、中間膜および上層膜のいずれかであってもよい。例えば、第2塗膜は、反射防止膜であり、第1塗膜は、レジスト膜であってもよい。
[0203]
 迂回搬送機構41の詳しい動作例を説明する。第1迂回可動部43aは、第1受け渡し位置において、主搬送機構17から、1枚または2枚の基板Wを受ける。続いて、第1迂回可動部43aは基板Wを第2搬送機構57に搬送する。具体的には、第1迂回可動部43aは、第1受け渡し位置から第2受け渡し位置に移動し、第2搬送機構T2に基板Wを渡し、第1受け渡し位置に戻る。第1迂回可動部43aが第2搬送機構57に基板Wを搬送している間、第2迂回可動部43bは、第1受け渡し位置において、主搬送機構17から1枚または2枚の基板Wを受ける。第2迂回可動部43bが主搬送機構17から基板Wを受けた後、第2迂回可動部43bは基板Wを第2搬送機構57に搬送する。第2迂回可動部43bが第2搬送機構57に基板Wを搬送している間、第1迂回可動部43aは、第1受け渡し位置において、主搬送機構17から基板Wを受ける。
[0204]
 このように、第1迂回可動部43aは、主搬送機構17から基板Wを受ける第1受け取り動作と、第2搬送機構57に基板Wを搬送する第1搬送動作を、交互に繰り返す。第2迂回可動部43bも、第1受け取り動作と第1搬送動作を、交互に繰り返す。第1迂回可動部43aと第2迂回可動部43bは互いに独立して移動可能である。このため、第1迂回可動部43aおよび第2迂回可動部43bの一方が第1搬送動作を行っているとき、第1迂回可動部43aおよび第2迂回可動部43bの他方は第1受け取り動作を行うことができる。これにより、迂回搬送機構41が主搬送機構17から基板Wを受けることができない期間を短くできる。したがって、迂回搬送機構41は、主搬送機構17から第2搬送機構57に基板Wを効率良く搬送できる。
[0205]
 図12(b)を参照して、第2動作例を改めて説明する。搬送機構18aは、キャリア載置部12a1上のキャリアCから前載置部71に基板Wを搬送する。第1搬送機構27は、前載置部71から第1処理部31に基板Wを搬送し、かつ、第1処理部31から後載置部77に基板Wを搬送する。第2搬送機構57は、後載置部77から第2処理部61に基板Wを搬送し、かつ、第2処理部61から迂回搬送機構41に基板Wを搬送する。迂回搬送機構41は、第2搬送機構57から搬送機構18bに基板Wを搬送する。搬送機構18bは、迂回搬送機構41からキャリア載置部12b1上のキャリアCに基板Wを搬送する。
[0206]
 第2動作例では、基板処理装置1は、基板Wに2層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、基板Wの上面に第1塗膜を形成し、第1塗膜の上面に第2塗膜を形成する。
[0207]
 例えば、第1塗膜は、下層膜および中間膜のいずれかであり、第2塗膜は、中間膜および上層膜のいずれかであってもよい。例えば、第1塗膜は、反射防止膜であり、第2塗膜は、レジスト膜であってもよい。
[0208]
 迂回搬送機構41の詳しい動作例を説明する。第1迂回可動部43aは、第2受け渡し位置において、第2搬送機構57から1枚または2枚の基板Wを受ける。続いて、第1迂回可動部43aは基板Wを主搬送機構17に搬送する。具体的には、第1迂回可動部43aは、第2受け渡し位置から第1受け渡し位置に移動し、搬送機構18bに基板Wを渡し、第2受け渡し位置に戻る。第1迂回可動部43aが主搬送機構17に基板Wを搬送している間、第2迂回可動部43bは、第2受け渡し位置において、第2搬送機構57から1枚または2枚の基板Wを受ける。第2迂回可動部43bが第2搬送機構57から基板Wを受けた後、第2迂回可動部43bは基板Wを主搬送機構17に搬送する。第2迂回可動部43bが主搬送機構17に基板Wを搬送している間、第1迂回可動部43aは、第2受け渡し位置において、第2搬送機構57から基板Wを受ける。
[0209]
 このように、第1迂回可動部43aは、第2搬送機構57から基板Wを受ける第2受け取り動作と、主搬送機構17に基板Wを搬送する第2搬送動作を、交互に繰り返す。第2迂回可動部43bも、第2受け取り動作と第2搬送動作を、交互に繰り返す。第1迂回可動部43aと第2迂回可動部43bは互いに独立して移動可能である。このため、第1迂回可動部43aおよび第2迂回可動部43bの一方が第2搬送動作を行っているとき、第1迂回可動部43aおよび第2迂回可動部43bの他方は第2受け取り動作を行うことができる。これにより、迂回搬送機構41が第2搬送機構57から基板Wを受けることができない期間を短くできる。したがって、迂回搬送機構41は、第2搬送機構57から主搬送機構17に基板Wを効率良く搬送できる。
[0210]
 図12(c)を参照して、第3動作例を改めて説明する。搬送機構18aは、キャリア載置部12a1上のキャリアCから前載置部71に第1基板W1を搬送し、キャリア載置部12a1上のキャリアCから迂回搬送機構41に第2基板W2を搬送する。第1搬送機構27は、前載置部71から第1処理部31に第1基板W1を搬送し、第1処理部31から前載置部71に第1基板W1を搬送する。迂回搬送機構41は、搬送機構18aから第2搬送機構57に第2基板W2を搬送する。第2搬送機構57は、迂回搬送機構41から第2処理部61に第2基板W2を搬送し、かつ、第2処理部61から迂回搬送機構41に第2基板W2を搬送する。迂回搬送機構41は、第2搬送機構57から搬送機構18bに第2基板W2を搬送する。搬送機構18bは、前載置部71からキャリア載置部12b1上のキャリアCに第1基板W1を搬送し、迂回搬送機構41からキャリア載置部12b1上のキャリアCに第2基板W2を搬送する。
[0211]
 第3動作例では、基板処理装置1は、第1基板W1に1層の塗膜を形成し、第2基板W2に1層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、第1基板W1の上面に第1塗膜を形成し、第2基板W2の上面に第2塗膜を形成する。
[0212]
 迂回搬送機構41の詳しい動作例を説明する。第1迂回可動部43aは、主搬送機構17から第2基板W2を受ける第1受け取り動作と、第2搬送機構57に第2基板W2を搬送する第1搬送動作と、第2搬送機構57から第2基板W2を受け取る第2受け取り動作と、主搬送機構17に第2基板W2を搬送する第2搬送動作を、繰り返す。第2迂回可動部43bも、第1受け取り動作と第1搬送動作と第2受け取り動作と第1搬送動作を、繰り返す。第1迂回可動部43aと第2迂回可動部43bは互いに独立して移動可能である。このため、迂回搬送機構41が主搬送機構17から基板Wを受けることができない期間を短くできる。迂回搬送機構41が第2搬送機構57から基板Wを受けることができない期間を短くできる。したがって、迂回搬送機構41は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを効率良く搬送できる。
[0213]
<第1実施形態の他の効果>
 第1実施形態の主たる効果は、上述した通りである。以下、第1実施形態のその他の効果を説明する。
[0214]
 主搬送機構17と迂回搬送機構41は、直接的に基板Wを受け渡す。より具体的には、主搬送機構17と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するとき、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、同じ基板Wに同時に接触する。これによれば、主搬送機構17および迂回搬送機構41が、主搬送機構17および迂回搬送機構41とは別体の部材(例えば、載置部)に基板Wを一時的に載置することなく、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを搬送できる。このため、主搬送機構17と迂回搬送機構41の間で基板Wを効率良く搬送できる。
[0215]
 主搬送機構17と接触する基板Wの部分P1は、迂回搬送機構41と接触する基板Wの部分Qと異なる。このため、主搬送機構17と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、主搬送機構17と迂回搬送機構41が干渉することを好適に防止できる。
[0216]
 主搬送機構17の保持部19d、19eはそれぞれ、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。迂回搬送機構41の保持部44c、44eはそれぞれ、平面視において、略I字形状を有する。このため、主搬送機構17と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、主搬送機構17と迂回搬送機構41が干渉することを好適に防止できる。
[0217]
 第1受け渡し位置は、平面視において、第2受け渡し位置と略同じである。このため、主搬送機構17が第1受け渡し位置に移動する量を抑制できる。具体的には、主搬送機構17が第1受け渡し位置に移動するときの主搬送機構17の水平方向の移動量を、主搬送機構17が第2受け渡し位置に移動するときの主搬送機構17の水平方向の移動量と同程度に抑制できる。よって、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを容易に搬送できる。
[0218]
 第1受け渡し位置は、平面視において、前載置部71の位置と略同じである。このため、主搬送機構17が第1受け渡し位置に移動する量を抑制できる。よって、主搬送機構17と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを容易に搬送できる。
[0219]
 第2搬送機構57と迂回搬送機構41とは、直接的に基板を受け渡す。より具体的には、第2搬送機構57と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するとき、第2搬送機構57と迂回搬送機構41は、同じ基板Wに同時に接触する。このため、第2搬送機構57と迂回搬送機構41の間で基板Wを効率良く搬送できる。
[0220]
 第2搬送機構57と接触する基板Wの部分P2は、迂回搬送機構41と接触する基板Wの部分Qと異なる。このため、第2搬送機構57と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、第2搬送機構57と迂回搬送機構41が干渉することを好適に防止できる。
[0221]
 第2搬送機構57の保持部29d、29eはそれぞれ、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。迂回搬送機構41の保持部44c、44eはそれぞれ、平面視において、略I字形状を有する。このため、第2搬送機構57と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、第2搬送機構57と迂回搬送機構41が干渉することを好適に防止できる。
[0222]
 第3受け渡し位置は、平面視において、第4受け渡し位置と略同じである。このため、第2搬送機構57が第3受け渡し位置に移動する量を抑制できる。具体的には、第2搬送機構57が第3受け渡し位置に移動するときの第2搬送機構57の水平方向の移動量を、第2搬送機構57が第4受け渡し位置に移動するときの第2搬送機構57の水平方向の移動量と同程度に抑制できる。よって、第2搬送機構57と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを容易に搬送できる。
[0223]
 第3受け渡し位置は、平面視において、後載置部77の位置と略同じである。このため、第2搬送機構57が第3受け渡し位置に移動する量を抑制できる。よって、第2搬送機構57と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを容易に搬送できる。
[0224]
 迂回搬送機構41に保持される基板Wの少なくとも一部は、第1搬送スペース23に位置する。このため、迂回搬送機構41に保持される基板Wの周囲の環境は、第1搬送機構27に保持される基板Wの周囲の環境と等しい。よって、迂回搬送機構41に保持される基板Wの周囲の環境を、容易に清浄に保つことができる。
[0225]
 給気ユニット24は、第1搬送スペース23の上方に設けられ、気体を第1搬送スペース23に供給する。排気ユニット25は、第1搬送スペース23の下方に設けられ、第1搬送スペース23の気体を排出する。これにより、第1搬送スペース23は、清浄に保たれる。よって、第1搬送機構27によって保持される基板Wのみならず、迂回搬送機構41によって保持される基板Wを、パーティクルや塵埃などから好適に保護できる。
[0226]
 迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1搬送スペース23に配置される。換言すれば、迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1搬送機構27と同一の空間(すなわち、第1搬送スペース23)に配置される。このため、迂回搬送機構41の周囲の環境を容易に清浄に保つことができる。よって、迂回搬送機構41が搬送する基板Wを、パーティクルや塵埃などから好適に保護できる。
[0227]
 第1搬送スペース23の一部を迂回搬送機構41の設置スペースとして活用する。このため、基板処理装置1の大型化を好適に抑制できる。
[0228]
 迂回搬送機構41の少なくとも一部は、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置される。このため、基板処理装置1のフットプリント(平面視における基板処理装置1の設置面積)が増大することを抑制できる。
[0229]
 上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32は、上下方向Zにおける第1搬送スペース23の長さL23よりも小さい。このため、迂回搬送機構41の少なくとも一部を、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。
[0230]
 上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32は、上下方向Zにおける第1液処理部35の長さL35よりも小さい。このため、迂回搬送機構41の少なくとも一部を、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。迂回搬送機構41を、平面視において、第1液処理部35と重ならない位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。
[0231]
 上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32は、上下方向Zにおける第2非液処理部62の長さL62よりも小さい。このため、迂回搬送機構41の少なくとも一部を、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。迂回搬送機構41を、平面視において、第2非液処理部62と重ならない位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。
[0232]
 第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数は、第2処理部61に含まれる非液処理ユニットの数よりも少ない。したがって、第1非液処理部32の設置スペースは、第2非液処理部62の設置スペースよりも小さい。このため、迂回搬送機構41の少なくとも一部を、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。迂回搬送機構41を、平面視において、第2非液処理部62と重ならない位置に配置することによって、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。
[0233]
 迂回搬送機構41は、第1非液処理部32の下方のスペース40および第1搬送スペース23にわたって配置される。このため、基板処理装置1のフットプリントが増大することを抑制できる。
[0234]
 第1非液処理部32は、第1搬送スペース23に隣接しており、かつ、第1非液処理部32は、第1搬送スペース23の下端23cよりも高い高さ位置に配置される。このため、第1非液処理部32の下方のスペース40は、第1搬送スペース23と連続する。よって、迂回搬送機構41の設置スペースを容易に確保できる。
[0235]
 第1非液処理部32の下方のスペース40は、第1搬送スペース23の第1側部23aに接する。第1搬送機構27の第1支持部28は、第1搬送スペース23の第2側部23bに配置される。すなわち、第1支持部28は、スペース40と第1搬送スペース23との間に配置されない。よって、第1搬送スペース23は、スペース40と、支障無く、連続する。すなわち、スペース40と第1搬送スペース23によって、1つの比較的に大きな空間を形成できる。したがって、迂回搬送機構41の設置スペースを容易に確保できる。
[0236]
 迂回搬送機構41は、第1非液処理部32の下端32aと同等またはそれよりも低い位置に配置される。このため、迂回搬送機構41が第1非液処理部32と干渉することを好適に防止できる。
[0237]
 迂回搬送機構41は、第1液処理部35の下端35aと同等またはそれよりも高い位置に配置される。このため、上下方向Zにおける基板処理装置1の長さが増大することを抑制できる。
[0238]
 第1可動部29が第1搬送スペース23の底部23dに移動すること無く、第1可動部29は第1非液処理部32および第1液処理部35にアクセスする。すなわち、第1可動部29が第1非液処理部32の下端32aよりも低い高さ位置に移動することなく、第1可動部29は第1非液処理部32および第1液処理部35にアクセスする。迂回搬送機構41は、第1非液処理部32の下端32aと同等またはそれもよい低い位置に配置される。このため、迂回搬送機構41が第1可動部29と干渉することを好適に防止できる。
[0239]
 迂回可動部43の少なくとも一部は、第1搬送スペース23の内部に配置される。このため、迂回可動部43に保持される基板Wを、第1搬送スペース23の内部に容易に位置させることができる。これにより、迂回搬送機構41に保持される基板Wの周囲の環境を容易に清浄に保つことができる。
[0240]
 迂回支持部42は、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置される。このため、迂回可動部43の少なくとも一部を、第1搬送スペース23の内部に容易に設置できる。
[0241]
 迂回支持部42は、第1搬送スペース23に設置されない。このため、迂回可動部43の少なくとも一部の設置スペースを、第1搬送スペース23において容易に確保できる。
[0242]
 迂回可動部43は、水平移動部44aと保持部44c、44eを備える。このため、迂回可動部43は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを好適に搬送できる。
[0243]
 迂回可動部43はアーム部44b、44dを備える。このため、保持部44c、44eは、水平移動部44aに対して回転可能である。よって、保持部44c、44eは、水平移動部44aよりも前方に移動できる。したがって、迂回搬送機構41は、主搬送機構17に基板Wを好適に渡すことができ、かつ、主搬送機構17から基板Wを好適に受けることができる。さらに、保持部44c、44eは、水平移動部44aよりも後方に移動できる。したがって、迂回搬送機構41は、第2搬送機構57に基板Wを好適に渡すことができ、かつ、第2搬送機構57から基板Wを好適に受けることができる。
[0244]
 迂回可動部43は、第1迂回可動部43aに加えて、第2迂回可動部43bを備える。このため、迂回搬送機構41が単位時間当たりに搬送可能な基板Wの枚数を容易に増やすことができる。
[0245]
 第2迂回可動部43bは、第1迂回可動部43aとは独立して、移動可能である。具体的には、第2迂回可動部43bの水平移動部44aは、第1迂回可動部43aの水平移動部44aとは独立して移動可能である。このため、迂回搬送機構41は、主搬送機構17と第2搬送機構57の間で基板Wを効率良く搬送できる。
[0246]
 迂回搬送機構41の構造は、比較的に簡素である。具体的には、迂回搬送機構41は、保持部44c、44eを幅方向Yに平行移動するための構成を備えてない。迂回搬送機構41は、保持部44c、44eを上下方向Zに平行移動するための構成を備えてない。このため、迂回搬送機構41を容易に小型化できる。例えば、上下方向Zにおける迂回搬送機構41の長さを、上下方向Zにおける第1搬送機構27の長さよりも容易に小さくできる。したがって、基板処理装置1の大型化を好適に抑制できる。
[0247]
 [第2実施形態]
 図面を参照して、第2実施形態の基板処理装置1を説明する。なお、第1実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
[0248]
 <基板処理装置の概要>
 図13は、第2実施形態の基板処理装置1の概念図である。基板処理装置1は、第1処理部31と第2処理部61に加えて、第3処理部91と第4処理部131を備える。基板処理装置1は、主搬送機構17と第1搬送機構27と迂回搬送機構41と第2搬送機構57に加えて、第3搬送機構87と第4搬送機構127を備える。第3処理部91は、第1処理部31の下方に配置される。第3処理部91は、基板Wに処理を行う。第3搬送機構87は、第1搬送機構27および迂回搬送機構41の下方に配置される。第3搬送機構87は、第3処理部91に基板Wを搬送する。第4処理部131は、第2処理部61の下方に配置される。第4処理部131は、基板Wに処理を行う。第4搬送機構127は、第2搬送機構57の下方に配置される。第4搬送機構127は、第4処理部131に基板Wを搬送する。
[0249]
 基板処理装置1は、第5処理部111と第5搬送機構107と第6処理部151と第6搬送機構147を備える。第5処理部111は、第1処理部31の上方に配置される。第5処理部111は、基板Wに処理を行う。第5搬送機構107は、第1搬送機構27および迂回搬送機構41の上方に配置される。第5搬送機構107は、第5処理部111に基板Wを搬送する。第6処理部151は、第2処理部61の上方に配置される。第6処理部151は、基板Wに処理を行う。第6搬送機構147は、第2搬送機構57の上方に配置される。第6搬送機構147は、第6処理部151に基板Wを搬送する。
[0250]
 主搬送機構17は、第1搬送機構27の高さ位置、迂回搬送機構41の高さ位置、第3搬送機構87の高さ位置および第5搬送機構107の高さ位置に移動可能である。すなわち、主搬送機構17と第1搬送機構27は、水平方向に並ぶように配置される。主搬送機構17は、迂回搬送機構41と水平方向に並ぶように配置される。主搬送機構17と第3搬送機構87は、水平方向に並ぶように配置される。主搬送機構17と第5搬送機構107は、水平方向に並ぶように配置される。まとめると、第1搬送機構27と迂回搬送機構41と第3搬送機構87と第5搬送機構107はそれぞれ、主搬送機構17と略同じ高さ位置に配置される。主搬送機構17と第1搬送機構27は、相互に基板Wを搬送可能である。主搬送機構17と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを搬送可能である。主搬送機構17と第3搬送機構87は、相互に基板Wを搬送可能である。主搬送機構17と第5搬送機構107は、相互に基板Wを搬送可能である。
[0251]
 主搬送機構17と第2搬送機構57は、相互に基板Wを搬送できない。主搬送機構17と第4搬送機構127は、相互に基板Wを搬送できない。主搬送機構17と第6搬送機構147は、相互に基板Wを搬送できない。具体的には、主搬送機構17は、第2搬送機構57、第4搬送機構127および第6搬送機構147に基板Wを渡すことはできない。主搬送機構17は、第2搬送機構57、第4搬送機構127および第6搬送機構147から基板Wを受けることはできない。
[0252]
 基板処理装置1は、中継搬送機構167を備える。中継搬送機構167は、基板Wを搬送する。中継搬送機構167は、第1搬送機構27と第2搬送機構57の間の位置に移動可能である。中継搬送機構167は、迂回搬送機構41と第2搬送機構57の間の位置に移動可能である。中継搬送機構167は、第3搬送機構87と第4搬送機構127の間の位置に移動可能である。中継搬送機構167は、第5搬送機構107と第6搬送機構147の間の位置に移動可能である。中継搬送機構167は、第1搬送機構27と第2搬送機構57と第3搬送機構87と第4搬送機構127と第5搬送機構107と第6搬送機構147と迂回搬送機構41の間で、基板Wを搬送可能である。
[0253]
 第2搬送機構57は、第1搬送機構27の高さ位置および迂回搬送機構41の高さ位置に移動可能である。すなわち、第1搬送機構27と第2搬送機構57は、水平方向に並ぶように配置される。迂回搬送機構41と第2搬送機構57は、水平方向に並ぶように配置される。まとめると、第1搬送機構27と迂回搬送機構41はそれぞれ、第2搬送機構57と略同じ高さ位置に配置される。第4搬送機構127は、第3搬送機構87の高さ位置に移動可能である。すなわち、第3搬送機構87と第4搬送機構127は、水平方向に並ぶように配置される。第3搬送機構87は、第4搬送機構127と略同じ高さ位置に配置される。第6搬送機構147は、第5搬送機構107の高さ位置に移動可能である。すなわち、第5搬送機構107と第6搬送機構147は、水平方向に並ぶように配置される。第5搬送機構107は、第6搬送機構147と略同じ高さ位置に配置される。
[0254]
 基板処理装置1の2つの動作例を例示する。図14(a)は、基板処理装置1の第4動作例を模式的に示す図である。図14(b)は、基板処理装置1の第5動作例を模式的に示す図である。図14(a)、14(b)は、基板Wが通過する基板処理装置1の要素を模式的に示す。
[0255]
 図14(a)を参照する。第4動作例では、第4処理部131、第1処理部31および第3処理部91に、この順番で、第1基板W1を搬送する。第4動作例では、第6処理部151、第2処理部61および第5処理部111に、この順番で、第2基板W2を搬送する。
[0256]
 主搬送機構17は、迂回搬送機構41に第1基板W1および第2基板W2を搬送する。迂回搬送機構41は、主搬送機構17から中継搬送機構167に第1基板W1および第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、迂回搬送機構41から第4搬送機構127に第1基板W1を搬送し、迂回搬送機構41から第6搬送機構147に第2基板W2に搬送する。第4搬送機構127は、中継搬送機構167から第4処理部131に第1基板W1を搬送し、第4処理部131から中継搬送機構167に第1基板W1を搬送する。第6搬送機構147は、中継搬送機構167から第6処理部151に第2基板W2を搬送し、第6処理部151から中継搬送機構167に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第4搬送機構127から第1搬送機構27に第1基板W1を搬送し、第6搬送機構147から第2搬送機構57に第2基板W2を搬送する。第1搬送機構27は、中継搬送機構167から第1処理部31に第1基板W1を搬送し、かつ、第1処理部31から中継搬送機構167に第1基板W1を搬送する。第2搬送機構57は、中継搬送機構167から第2処理部61に第2基板W2を搬送し、かつ、第2処理部61から中継搬送機構167に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第1搬送機構27から第3搬送機構87に第1基板W1を搬送し、かつ、第2搬送機構57から第5搬送機構107に第2基板W2を搬送する。第3搬送機構87は、中継搬送機構167から第3処理部91に第1基板W1を搬送し、かつ、第3処理部91から主搬送機構17に第1基板W1を搬送する。第5搬送機構107は、中継搬送機構167から第5処理部111に第2基板W2を搬送し、かつ、第5処理部111から主搬送機構17に第2基板W2を搬送する。主搬送機構17は、第3搬送機構87から第1基板W1を受け、かつ、第5搬送機構107から第2基板W2を受ける。
[0257]
 これにより、第4処理部131による処理と、第1処理部31による処理と、第3処理部91による処理を、この順番で第1基板W1に行う。第6処理部151による処理と、第2処理部61による処理と、第5処理部111による処理を、この順番で第2基板W2に行う。
[0258]
 なお、第4動作例では、主搬送機構17は、第1搬送機構27および中継搬送機構167から基板Wを受けない。
[0259]
 図14(b)を参照する。第5動作例では、第3処理部91、第1処理部31および第4処理部131に、この順番で、第1基板W1を搬送する。第5動作例では、第5処理部111、第2処理部61および第6処理部151に、この順番で、第2基板W2を搬送する。
[0260]
 主搬送機構17は、第3搬送機構87に第1基板W1を搬送し、かつ、第5搬送機構107に第2基板W2を搬送する。第3搬送機構87は、主搬送機構17から第3処理部91に第1基板W1を搬送し、かつ、第3処理部91から中継搬送機構167に第1基板W1を搬送する。第5搬送機構107は、主搬送機構17から第5処理部111に第2基板W2を搬送し、かつ、第5処理部111から中継搬送機構167に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第3搬送機構87から第1搬送機構27に第1基板W1を搬送し、かつ、第5搬送機構107から第2搬送機構57に第2基板W2を搬送する。第1搬送機構27は、中継搬送機構167から第1処理部31に第1基板W1を搬送し、かつ、第1処理部31から中継搬送機構167に第1基板W1を搬送する。第2搬送機構57は、中継搬送機構167から第2処理部61に第2基板W2を搬送し、かつ、第2処理部61から中継搬送機構167に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第1搬送機構27から第4搬送機構127に第1基板W1を搬送し、かつ、第2搬送機構57から第6搬送機構147に第2基板W2を搬送する。第4搬送機構127は、中継搬送機構167から第4処理部131に第1基板W1を搬送し、かつ、第4処理部131から中継搬送機構167に第1基板W1を搬送する。第6搬送機構147は、中継搬送機構167から第6処理部151に第2基板W2を搬送し、かつ、第6処理部151から中継搬送機構167に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第4搬送機構127から迂回搬送機構41に第1基板W1を搬送し、かつ、第6搬送機構147から迂回搬送機構41に第2基板W2を搬送する。迂回搬送機構41は、中継搬送機構167から主搬送機構17に第1基板W1および第2基板W2を搬送する。主搬送機構17は、迂回搬送機構41から第1基板W1および第2基板W2を受ける。
[0261]
 これにより、第3処理部91による処理と、第1処理部31による処理と、第4処理部131による処理を、この順番で第1基板W1に行う。第5処理部111による処理と、第2処理部61による処理と、第6処理部151による処理を、この順番で第2基板W2に行う。
[0262]
 なお、第5動作例では、主搬送機構17は、第1搬送機構27および中継搬送機構167に基板Wを渡さない。
[0263]
 <第2実施形態の主たる効果>
 第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を奏する。例えば、第1搬送機構27が基板Wを搬送する負担を軽減できる。さらに、迂回搬送機構41が基板Wを搬送する負担は比較的に小さい。よって、第1処理部31が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置1のスループットを向上できる。さらに、第2処理部61が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置1のスループットを一層向上できる。
[0264]
 さらに、第2実施形態によれば、以下の主たる効果を奏する。
[0265]
 基板処理装置1は、第3処理部91と第4処理部131と第5処理部111と第6処理部151を備える。このため、第3処理部91による処理と第4処理部131による処理と第5処理部111による処理と第6処理部151による処理を、基板Wに行うことができる。
[0266]
 基板処理装置1は、第3搬送機構87と第4搬送機構127と第5搬送機構107と第6搬送機構147を備える。このため、第3処理部91と第4処理部131と第5処理部111と第6処理部151に基板を好適に搬送できる。
[0267]
 第3処理部91は、第1処理部31の下方に配置される。第4処理部131は、第2処理部61の下方に配置される。第5処理部111は、第1処理部31の上方に配置される。第6処理部151は、第2処理部61の上方に配置される。これらのため、基板処理装置1のフットプリントが増大することを抑制できる。
[0268]
 第3搬送機構87は、第1搬送機構27および迂回搬送機構41の下方に配置される。第4搬送機構127は、第2搬送機構57の下方に配置される。第5搬送機構107は、第1搬送機構27および迂回搬送機構41の上方に配置される。第6搬送機構147は、第2搬送機構57の上方に配置される。これらのため、基板処理装置1のフットプリントが増大することを抑制できる。
[0269]
 中継搬送機構167は、第1搬送機構27と第2搬送機構57と第3搬送機構87と第4搬送機構127と第5搬送機構107と第6搬送機構147と迂回搬送機構41の間で、基板Wを搬送する。このため、基板Wの搬送経路を柔軟に選択できる。ここで、第1処理部31、第2処理部61、第3処理部91、第4処理部131、第5処理部111および第6処理部151を区別しない場合、これらを処理部Kと呼ぶ。例えば、基板Wを搬送する処理部Kを、第1処理部31、第2処理部61、第3処理部91、第4処理部131、第5処理部111および第6処理部151の中から、柔軟に選択できる。例えば、基板Wを搬送する処理部Kの数を、柔軟に選択できる。例えば、基板Wを複数の処理部Kに搬送する場合、基板Wを搬送する処理部Kの順番を、柔軟に選択できる。その結果、基板Wに行う処理を柔軟に選択できる。
[0270]
 中継搬送機構167は、第1搬送機構27と第2搬送機構57の間の位置、迂回搬送機構41と第2搬送機構57の間の位置、および、第3搬送機構87と第4搬送機構127の間の位置、および、第5搬送機構107と第6搬送機構147の間の位置に移動可能に設けられる。このため、中継搬送機構167は、第1搬送機構27と第2搬送機構57と第3搬送機構87と第4搬送機構127と第5搬送機構107と第6搬送機構147と迂回搬送機構41の間で、基板Wを好適に搬送できる。
[0271]
 第1処理部31を通ることなく、主搬送機構17と中継搬送機構167の間で基板Wを搬送することを、第1直行搬送と呼ぶ。迂回搬送機構41が第1直行搬送を行い、第1搬送機構27は第1直行搬送を行わない。よって、第1搬送機構27が基板Wを搬送する負担を軽減できる。その結果、第1搬送機構27が単位時間当たりに第1処理部31に搬送可能な基板Wの枚数を増やすことができる。このため、第1処理部31が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置1のスループットを一層向上できる。
[0272]
 第3処理部91を通ることなく、主搬送機構17と中継搬送機構167の間で基板Wを搬送することを、第3直行搬送と呼ぶ。迂回搬送機構41が第3直行搬送を行い、第3搬送機構87は第3直行搬送を行わない。よって、第3搬送機構87が基板Wを搬送する負担を軽減できる。その結果、第3搬送機構87が単位時間当たりに第3処理部91に搬送可能な基板Wの枚数を増やすことができる。このため、第3処理部91が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置1のスループットを一層向上できる。
[0273]
 第5処理部111を通ることなく、主搬送機構17と中継搬送機構167の間で基板Wを搬送することを、第5直行搬送と呼ぶ。迂回搬送機構41が第5直行搬送を行うので、第5搬送機構107は、第5直行搬送を行わない。よって、第5搬送機構107が基板Wを搬送する負担を軽減できる。その結果、第5搬送機構107が単位時間当たりに第5処理部111に搬送可能な基板Wの枚数を増やすことができる。このため、第5処理部111が単位時間当たりに処理可能な基板Wの枚数を増やすことができる。したがって、基板処理装置1のスループットを一層向上できる。
[0274]
 迂回搬送機構41は、第3搬送機構87の上方、かつ、第5搬送機構107の下方に配置される。すなわち、迂回搬送機構41は、第1搬送機構27、第3搬送機構87、第5搬送機構107および迂回搬送機構41の中で、最も低い高さ位置に配置される搬送機構ではない。迂回搬送機構41は、第1搬送機構27、第3搬送機構87、第5搬送機構107および迂回搬送機構41の中で、最も高い高さ位置に配置される搬送機構ではない。このため、主搬送機構17と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するときの主搬送機構17の移動量を抑制できる。具体的には、上下方向Zにおける主搬送機構17の移動量を抑制できる。同様に、中継搬送機構167と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するときの中継搬送機構167の移動量を抑制できる。具体的には、上下方向Zにおける中継搬送機構167の移動量を抑制できる。
[0275]
 基板Wが主搬送機構17以外の搬送機構から主搬送機構17に搬送される前において、最後に基板Wに行われる処理を、「最後の処理」と呼ぶ。第4動作例では、第3搬送機構87が主搬送機構17に基板Wを渡す。具体的には、第3搬送機構87は、第3処理部91から主搬送機構17に第1基板W1を搬送する。よって、第4動作例では、第3処理部91が、第1基板W1に最後の処理を行う。第4動作例では、第5搬送機構107が主搬送機構17に基板Wを渡す。具体的には、第5搬送機構107は、第5処理部111から主搬送機構17に第2基板W2を搬送する。よって、第4動作例では、第5処理部111が、第2基板W2に最後の処理を行う。ここで、第3処理部91および第5処理部111は、比較的に主搬送機構17に近い位置に配置される。具体的には、第3処理部91および第5処理部111は、第2処理部61、第4処理部131および第6処理部151よりも主搬送機構17に近い位置に配置される。このように、最後の処理を行う第3処理部91および第5処理部111は、主搬送機構17に近い位置に配置される。よって、第4動作例では、最後の処理を基板Wに行った後、主搬送機構17に基板Wを速やかに搬送できる。
[0276]
 なお、第4動作例では、第1搬送機構27、第2搬送機構57、第4搬送機構127、第6搬送機構147および迂回搬送機構41は、主搬送機構17に基板Wを渡さない。したがって、第1処理部31、第2処理部61、第4処理部131および第6処理部151は、最後の処理を行わない。
[0277]
 基板Wが主搬送機構17から主搬送機構17以外の搬送機構に搬送された後において、最初に基板に行われる処理を、「最初の処理」と呼ぶ。第5動作例では、主搬送機構17は第3搬送機構87に基板Wを渡す。第3搬送機構87は、主搬送機構17から第3処理部91に第1基板W1を搬送する。よって、第5動作例では、第3処理部91が、第1基板W1に最初の処理を行う。第5動作例では、主搬送機構17は第5搬送機構107に基板Wを渡す。第5搬送機構107は、主搬送機構17から第5処理部111に第2基板W2を搬送する。よって、第5動作例では、第5処理部111が、第2基板W2に最初の処理を行う。ここで、第3処理部91および第5処理部111は、比較的に主搬送機構17に近い位置に配置される。具体的には、第3処理部91および第5処理部111は、第2処理部61、第4処理部131および第6処理部151よりも主搬送機構17に近い位置に配置される。このように、最初の処理を行う第3処理部91および第5処理部111は、主搬送機構17に近い位置に配置される。よって、第5動作例では、主搬送機構17から主搬送機構17以外の搬送機構に搬送された後、基板Wに速やかに最初の処理を行うことができる。
[0278]
 なお、第5動作例では、主搬送機構17は、第1搬送機構27、第2搬送機構57、第4搬送機構127、第6搬送機構147および迂回搬送機構41に基板Wを渡さない。したがって、第1処理部31、第2処理部61、第4処理部131および第6処理部151は、最初の処理を行わない。
[0279]
 以下では、基板処理装置1の構造について、さらに詳しく説明する。
[0280]
 <基板処理装置1の全体構造>
 図15は、第2実施形態の基板処理装置1の平面図である。図16は、基板処理装置1の右部の構成を示す右側面図である。図17は、幅方向における基板処理装置1の中央部の構成を示す左側面図である。図18は、基板処理装置1の左部の構成を示す左側面図である。
[0281]
 基板処理装置1は、インデクサ部11と第1ブロック21と第2ブロック51に加えて、中継ブロック161を備える。インデクサ部11は、主搬送機構17を収容する。第1ブロック21は、第1処理部31、第3処理部91および第5処理部111を収容する。第1ブロック21は、第1搬送機構27、第3搬送機構87、第5搬送機構107および迂回搬送機構41を収容する。第2ブロック51は、第2処理部61、第4処理部131および第6処理部151を収容する。第2ブロック51は、第2搬送機構57、第4搬送機構127および第6搬送機構147を収容する。中継ブロック161は、中継搬送機構167を収容する。
[0282]
 中継ブロック161は、平面視において、第1ブロック21と第2ブロック51の間に配置される。中継ブロック161は、インデクサ部11、第1ブロック21および第2ブロック51と略同じ高さ位置に配置される。インデクサ部11と第1ブロック21と中継ブロック161と第2ブロック51は、前後方向Xに並ぶように配置される。インデクサ部11と第1ブロック21と中継ブロック161と第2ブロック51は、この順番で並ぶように配置される。
[0283]
 中継ブロック161は、第1ブロック21と接続される。中継ブロック161は、第2ブロック51と接続される。中継ブロック161は、インデクサ部11と接続されない。第1ブロック21は、第2ブロック51と接続されない。
[0284]
 <インデクサ部11>
 図19は、インデクサ部11の正面図である。インデクサ部11は、キャリア載置部12a1、121b1に加えて、キャリア載置部12a2、12b2を備える。キャリア載置部12a1、12a2、12b1、12b2にはそれぞれ、1つのキャリアCが載置される。
[0285]
 キャリア載置部12a1、12a2は、上下方向Zに並ぶように配置される。キャリア載置部12a2は、キャリア載置部12a1の上方に配置される。キャリア載置部12b1、12b2は、上下方向Zに並ぶように配置される。キャリア載置部12b2は、キャリア載置部12b1の上方に配置される。
[0286]
 キャリア載置部12a2は、キャリア載置部12b2と略同じ高さ位置に配置される。キャリア載置部12a2、12b2は、幅方向Yに並ぶように配置される。キャリア載置部12b2は、キャリア載置部12a2の左方に配置される。
[0287]
 キャリア載置部12a1、12a2を区別しない場合には、「キャリア載置部12a」と記載する。キャリア載置部12b1、12b2を区別しない場合には、「キャリア載置部12b」と記載する。
[0288]
 図15-18を参照する。搬送機構18aは、キャリア載置部12aと略同じ高さ位置に配置される。搬送機構18aは、キャリア載置部12aの後方に配置される。搬送機構18aは、キャリア載置部12aに載置されるキャリアCと第1搬送機構27の間で、基板Wを搬送する。搬送機構18bは、キャリア載置部12bと略同じ高さ位置に配置される。搬送機構18bは、キャリア載置部12bの後方に配置される。搬送機構18bは、キャリア載置部12bに載置されるキャリアCと第1搬送機構27の間で、基板Wを搬送する。
[0289]
 <第1ブロック21>
 図15-18、20を参照する。図20は、第1ブロック21の正面図である。フレーム22は、第1処理部31、第3処理部91および第5処理部111を支持する。フレーム22は、第1搬送機構27、第3搬送機構87、第5搬送機構107および迂回搬送機構41を支持する。
[0290]
 基板処理装置1は、第1搬送スペース23に加えて、第3搬送スペース83と第5搬送スペース103を備える。第3搬送スペース83および第5搬送スペース103は、第1ブロック21に形成される。第3搬送スペース83は、第1搬送スペース23の下方に配置される。第3搬送スペース83は、平面視において、第1搬送スペース23と略同じ位置に配置される。第5搬送スペース103は、第1搬送スペース23の上方に配置される。第5搬送スペース103は、平面視において、第1搬送スペース23と略同じ位置に配置される。
[0291]
 第1搬送スペース23、第3搬送スペース83および第5搬送スペース103は、主搬送スペース13と略同じ高さ位置に配置される。第1搬送スペース23、第3搬送スペース83および第5搬送スペース103はそれぞれ、主搬送スペース13と接する。
[0292]
 図17、20を参照する。基板処理装置1は、給気ユニット24に加えて、給気ユニット84、104を備える。基板処理装置1は、排気ユニット25に加えて、排気ユニット85、105を備える。給気ユニット84と排気ユニット85は、第3搬送スペース83において、下向きの気体の流れを形成する。給気ユニット104と排気ユニット105は、第5搬送スペース103において、下向きの気体の流れを形成する。
[0293]
 給気ユニット24は、第1搬送スペース23の上方、かつ、第5搬送スペース103の下方に配置される。排気ユニット25は、第1搬送スペース23の下方、かつ、第3搬送スペース83の上方に配置される。給気ユニット84は、排気ユニット25の下方、かつ、第3搬送スペース83の上方に配置される。排気ユニット85は、第3搬送スペース83の下方に配置される。給気ユニット104は、第5搬送スペース103の上方に配置される。排気ユニット105は、第5搬送スペース103の下方、かつ、給気ユニット24の上方に配置される。給気ユニット84、104は、給気ユニット24と略同じ形状および構造を有する。排気ユニット85、105は、排気ユニット25と略同じ形状および構造を有する。
[0294]
 第3搬送機構87は、第3搬送スペース83に設けられる。第5搬送機構107は、第5搬送スペース103に設けられる。第3搬送機構87および第5搬送機構107は、第1搬送機構27と略同じ構造を有する。
[0295]
 図17を参照する。基板処理装置1は、前載置部71に加えて、前載置部73、75を備える。前載置部73、75には、基板Wが載置される。前載置部73は、主搬送機構17と第3搬送機構87の間に配置される。主搬送機構17と第3搬送機構87は、前載置部73を介して、相互に基板Wを搬送する。前載置部75は、主搬送機構17と第5搬送機構107の間に配置される。主搬送機構17と第5搬送機構107は、前載置部75を介して、相互に基板Wを搬送する。
[0296]
 前載置部73、75は、インデクサ部11と第1ブロック21の間に配置される。前載置部73、75は、インデクサ部11と第1ブロック21にわたって配置される。前載置部73は、主搬送スペース13と第3搬送スペース83にまたがって配置される。前載置部75は、主搬送スペース13と第5搬送スペース103にまたがって配置される。
[0297]
 前載置部73、75は、主搬送機構17と略同じ高さ位置に配置される。前載置部73、75は、主搬送機構17の後方に配置される。前載置部73、75は、搬送機構18aの後方かつ左方に配置される。前載置部73、75は、搬送機構18bの後方かつ右方に配置される。
[0298]
 前載置部73は、第3搬送機構87と略同じ高さ位置に配置される。前載置部73は、第3搬送機構87の前方に配置される。前載置部75は、第5搬送機構107と略同じ高さ位置に配置される。前載置部75は、第5搬送機構107の前方に配置される。
[0299]
 前載置部71、73、75は、上下方向Zに並ぶように配置される。前載置部73は、平面視において、前載置部71と重なる。前載置部75は、平面視において、前載置部71と重なる。
[0300]
 前載置部73、75は、前載置部71と略同じ構造を有する。すなわち、前載置部73、75は、複数(例えば、4個)のプレート72を備える。前載置部73、75は、複数の基板Wを載置可能である。
[0301]
 図20を参照する。第3処理部91は、第3搬送スペース83と略同じ高さ位置に配置される。第3処理部91は、第3搬送スペース83に隣接する。第5処理部111は、第5搬送スペース103と略同じ高さ位置に配置される。第5処理部111は、第5搬送スペース103に隣接する。
[0302]
 第3処理部91は、第3非液処理部92を備える。第5処理部111は、第5非液処理部112を備える。第3非液処理部92および第5非液処理部112は、基板Wに非液処理を行う。
[0303]
 第3非液処理部92は、第3搬送スペース83の第1側方(例えば、右方)に配置される。第3非液処理部92は、第1非液処理部32の下方に配置される。第5非液処理部112は、第5搬送スペース103の第1側方(例えば、右方)に配置される。第5非液処理部112は、第1非液処理部32の上方に配置される。
[0304]
 図20は、上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32を示す。図20は、上下方向Zにおける第3非液処理部92の長さL92を示す。図20は、上下方向Zにおける第5非液処理部112の長さL112を示す。長さL32は、長さL92よりも小さい。長さL32は、長さL112よりも小さい。
[0305]
 図16を参照する。第1非液処理部32は、複数(例えば、16個)の第1熱処理ユニット33を備える。第3非液処理部92は、複数(例えば、16個)の第3熱処理ユニット93と複数(例えば4個)の第3検査ユニット94を備える。第5非液処理部112は、複数(例えば、16個)の第5熱処理ユニット113と複数(例えば4個)の第5検査ユニット114を備える。各第1熱処理ユニット33、各第3熱処理ユニット93および各第5熱処理ユニット113は、1枚の基板Wに熱処理を行う。各第3検査ユニット94および各第5検査ユニット114は、1枚の基板Wに検査を行う。第1熱処理ユニット33、第3熱処理ユニット93、第3検査ユニット94、第5熱処理ユニット113および第5検査ユニット114は、基板Wに処理液を供給しない。第1熱処理ユニット33、第3熱処理ユニット93および第5熱処理ユニット113によって行われる処理は、非液処理である。第3検査ユニット94および第5検査ユニット114によって行われる検査は、非液処理である。第1熱処理ユニット33、第3熱処理ユニット93、第3検査ユニット94、第5熱処理ユニット113および第5検査ユニット114は、非液処理ユニットに相当する。第1熱処理ユニット33の数(すなわち、16個)は、第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数に相当する。第3熱処理ユニット93の数と第3検査ユニット94の数の和(すなわち、20個)は、第3処理部91に含まれる非液処理ユニットの数に相当する。第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数は、第3処理部91に含まれる非液処理ユニットの数よりも少ない。第5熱処理ユニット113の数と第5検査ユニット114の数の和(すなわち、20個)は、第5処理部111に含まれる非液処理ユニットの数に相当する。第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数は、第5処理部111に含まれる非液処理ユニットの数よりも少ない。
[0306]
 8個の第3熱処理ユニット93は、加熱ユニットHPである。残りの8個の第3熱処理ユニット93は、冷却ユニットCPである。8個の第5熱処理ユニット113は、加熱ユニットHPである。残りの8個の第5熱処理ユニット113は、冷却ユニットCPである。
[0307]
 複数の第3熱処理ユニット93および複数の第3検査ユニット94は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第3熱処理ユニット93および複数の第3検査ユニット94は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに5段で、配置される。複数の第5熱処理ユニット113および複数の第5検査ユニット114は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第5熱処理ユニット113および複数の第5検査ユニット114は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに5段で、配置される。
[0308]
 第3熱処理ユニット93および第5熱処理ユニット113は、第1熱処理ユニット33と略同じ構造を有する。
[0309]
 図20を参照して、第3検査ユニット94の構造を説明する。第3検査ユニット94は、プレート94aを備える。プレート94aは、略円盤形状を有する。第3搬送機構97は、プレート94aに1枚の基板Wを載置する。
[0310]
 第3検査ユニット94は、撮像部94bを備える。撮像部94bは、例えば、プレート94aの上方に配置される。撮像部94bは、プレート94a上の基板Wの上面を撮影する。
[0311]
 第3検査ユニット94は、不図示の駆動部を備えてもよい。駆動部は、プレート94aと撮像部94bの少なくともいずれかを移動させて、プレート94aと撮像部94bの相対的な位置を変える。駆動部がプレート94aと撮像部94bの相対的な位置を変えることによって、撮像部94bによって撮影される基板Wの上面の範囲を変えることができる。
[0312]
 第3検査ユニット94は、撮像部94bによって撮影された画像に基づいて、基板Wの上面を検査する。第3検査ユニット94による検査の内容を、以下に例示する。
  ・基板Wの上面の形状の測定
  ・基板Wの上面の状態の特定
  ・基板Wの上面における欠陥の検出
 ここで、基板Wの上面は、基板Wの上面自体、基板Wの上面に形成された塗膜、および、基板Wの上面に形成されたパターンの少なくともいずれかを含む意味である。上記した「基板Wの上面の形状の測定」は、例えば、基板Wの上面に形成された塗膜の膜厚を測定・検査することや、基板Wのエッジカット幅を測定・検査することを含む。
[0313]
 第5検査ユニット114は、第3検査ユニット94と略同じ構造を有する。
[0314]
 図18を参照する。第3処理部91は、第3液処理部95を備える。第5処理部111は、第5液処理部115を備える。第3液処理部95および第5液処理部115は、基板Wに液処理を行う。
[0315]
 第3液処理部95は、第3搬送スペース83の第2側方(例えば、左方)に配置される。第3液処理部95は、第1液処理部35の下方に配置される。第5液処理部115は、第5搬送スペース103の第2側方(例えば、左方)に配置される。第5液処理部115は、第1液処理部35の上方に配置される。
[0316]
 第3液処理部95は、複数(例えば6個)の第3液処理ユニット96を備える。第5液処理部115は、複数(例えば6個)の第5液処理ユニット116を備える。各第3液処理ユニット96および各第5液処理ユニット116は、1枚の基板Wに液処理を行う。
[0317]
 第3液処理ユニット96および第5液処理ユニット116は、例えば、塗布処理ユニットである。第3液処理ユニット96および第5液処理ユニット116によって行われる液処理は、例えば、基板Wに塗膜材料を塗布する塗布処理である。第3液処理ユニット96および第5液処理ユニット116が基板Wに塗布する塗膜材料は、基板処理装置1の動作に応じて、適宜に選択される。各第3液処理ユニット96は、同種の塗膜材料を使用してもよい。各第5液処理ユニット116は、同種の塗膜材料を使用してもよい。
[0318]
 複数の第3液処理ユニット96は、側面視において、行列状に配置される。複数の第5液処理ユニット116は、側面視において、行列状に配置される。第3液処理ユニット96および第5液処理ユニット116は、第1液処理ユニット36と略同じ構造を有する。
[0319]
 第3搬送機構87は、第3熱処理ユニット93と第3検査ユニット94と第3液処理ユニット96に基板Wを搬送する。例えば、第3搬送機構87は、第3液処理ユニット96と加熱ユニットHPと冷却ユニットCPと第3検査ユニット94に、この順番で基板Wを搬送する。第3処理部91は、塗布処理と加熱処理と冷却処理と検査を、この順番で基板Wに行う。これにより、第3処理部91は、基板Wに塗膜を形成する。第3処理部91が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第3塗膜と呼ぶ。
[0320]
 第5搬送機構107は、第5熱処理ユニット113と第5検査ユニット114と第5液処理ユニット116に基板Wを搬送する。例えば、第5搬送機構107は、第5液処理ユニット116と加熱ユニットHPと冷却ユニットCPと第5検査ユニット94に、この順番で基板Wを搬送する。第5処理部111は、塗布処理と加熱処理と冷却処理と検査を、この順番で基板Wに行う。これにより、第5処理部111は、基板Wに塗膜を形成する。第5処理部111が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第5塗膜と呼ぶ。
[0321]
 図16、17、20を参照する。迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31および第1搬送スペース23と重なる位置に配置される。迂回搬送機構41は、側面視において、第1非液処理部32と重ならない位置に配置される。迂回搬送機構41は、側面視において、第1液処理部35と重なる位置に配置される。
[0322]
 迂回搬送機構41は、第3搬送機構87の上方に配置される。迂回搬送機構41は、第3搬送スペース83の上方に配置される。迂回搬送機構41は、第5搬送機構107の下方に配置される。迂回搬送機構41は、第5搬送スペース103の下方に配置される。
[0323]
 迂回搬送機構41は、正面視および側面視において、第3処理部91の上方に配置される。迂回搬送機構41は、正面視および側面視において、第3処理部91と重ならない位置に配置される。迂回搬送機構41は、正面視および側面視において、第5処理部111の下方に配置される。迂回搬送機構41は、正面視および側面視において、第5処理部111と重ならない位置に配置される。
[0324]
 <第2ブロック51>
 図15-18を参照する。フレーム52は、第2処理部61、第4処理部131および第6処理部151を支持する。フレーム52は、第2搬送機構57、第4搬送機構127および第6搬送機構147を支持する。
[0325]
 基板処理装置1は、第2搬送スペース53に加えて、第4搬送スペース123と第6搬送スペース143を備える。第4搬送スペース123および第6搬送スペース143は、第2ブロック51に形成される。第4搬送スペース123は、第2搬送スペース53の下方に配置される。第4搬送スペース123は、平面視において、第2搬送スペース53と略同じ位置に配置される。第6搬送スペース143は、第2搬送スペース53の上方に配置される。第6搬送スペース143は、平面視において、第2搬送スペース53と略同じ位置に配置される。
[0326]
 図17を参照する。基板処理装置1は、給気ユニット54に加えて、給気ユニット124、144を備える。基板処理装置1は、排気ユニット55に加えて、排気ユニット125、145を備える。給気ユニット124と排気ユニット125は、第4搬送スペース123において、下向きの気体の流れを形成する。給気ユニット144と排気ユニット145は、第6搬送スペース143において、下向きの気体の流れを形成する。
[0327]
 給気ユニット54は、第2搬送スペース53の上方、かつ、第6搬送スペース143の下方に配置される。排気ユニット55は、第2搬送スペース53の下方、かつ、第4搬送スペース123の上方に配置される。給気ユニット124は、排気ユニット55の下方、かつ、第4搬送スペース123の上方に配置される。排気ユニット125は、第4搬送スペース123の下方に配置される。給気ユニット144は、第6搬送スペース143の上方に配置される。排気ユニット145は、第6搬送スペース143の下方、かつ、給気ユニット54の上方に配置される。給気ユニット54、124、144は、給気ユニット24と略同じ形状および構造を有する。排気ユニット55、125、145は、排気ユニット25と略同じ形状および構造を有する。
[0328]
 第4搬送機構127は、第4搬送スペース123に設けられる。第6搬送機構147は、第6搬送スペース143に設けられる。第4搬送機構127および第6搬送機構147は、第1搬送機構27と略同じ構造を有する。
[0329]
 第4処理部131は、第4搬送スペース123と略同じ高さ位置に配置される。第4処理部131は、第4搬送スペース123に隣接する。第6処理部151は、第6搬送スペース143と略同じ高さ位置に配置される。第6処理部151は、第6搬送スペース143に隣接する。
[0330]
 図16を参照する。第4処理部131は、第4非液処理部132を備える。第6処理部151は、第6非液処理部152を備える。第4非液処理部132および第6非液処理部152は、基板Wに非液処理を行う。
[0331]
 第4非液処理部132は、第4搬送スペース123の第1側方(例えば、右方)に配置される。第4非液処理部132は、第2非液処理部62の下方に配置される。第6非液処理部152は、第6搬送スペース143の第1側方(例えば、右方)に配置される。第6非液処理部152は、第2非液処理部62の上方に配置される。
[0332]
 第2非液処理部62は、複数(例えば、16個)の第2熱処理ユニット63を備える。第4非液処理部132は、複数(例えば、20個)の第4熱処理ユニット133を備える。第6非液処理部152は、複数(例えば、20個)の第6熱処理ユニット153を備える。各第2熱処理ユニット63、各第4熱処理ユニット133および各第6熱処理ユニット153は、1枚の基板Wに熱処理を行う。第2熱処理ユニット63、第4熱処理ユニット133および第6熱処理ユニット153は、非液処理ユニットに相当する。第2処理部61に含まれる非液処理ユニットの数は、第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数と等しい。第4処理部131に含まれる非液処理ユニットの数は、第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数よりも多い。第6処理部151に含まれる非液処理ユニットの数は、第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数よりも多い。
[0333]
 8個の第2熱処理ユニット63は、加熱ユニットHPである。残りの8個の第2熱処理ユニット63は、冷却ユニットCPである。4個の第4熱処理ユニット133は、疎水化処理ユニットAHPである。他の8個の第4熱処理ユニット133は、中温加熱ユニットMHPである。残りの8個の第4熱処理ユニット133は、高温加熱ユニットHHPである。4個の第6熱処理ユニット153は、疎水化処理ユニットAHPである。他の8個の第6熱処理ユニット153は、中温加熱ユニットMHPである。残りの8個の第6熱処理ユニット153は、高温加熱ユニットHHPである。
[0334]
 複数の第2熱処理ユニット63、複数の第4熱処理ユニット133および複数の第6熱処理ユニット153は、側面視において、行列状に配置される。例えば、複数の第2熱処理ユニット63は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに4段で、配置される。例えば、複数の第4熱処理ユニット133は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに5段で、配置される。例えば、複数の第6熱処理ユニット153は、前後方向Xに4列、および、上下方向Zに5段で、配置される。
[0335]
 第2熱処理ユニット63、第4熱処理ユニット133および第6熱処理ユニット153は、第1熱処理ユニット33と略同じ構造を有する。
[0336]
 図18を参照する。第4処理部131は、第4液処理部135を備える。第6処理部151は、第6液処理部155を備える。第4液処理部135および第6液処理部155は、基板Wに液処理を行う。
[0337]
 第4液処理部135は、第4搬送スペース123の第2側方(例えば、左方)に配置される。第4液処理部135は、第2液処理部65の下方に配置される。第6液処理部155は、第6搬送スペース143の第2側方(例えば、左方)に配置される。第6液処理部155は、第2液処理部65の上方に配置される。
[0338]
 第4液処理部135は、複数(例えば6個)の第4液処理ユニット136を備える。第6液処理部155は、複数(例えば6個)の第6液処理ユニット156を備える。各第4液処理ユニット136および各第6液処理ユニット156は、1枚の基板Wに液処理を行う。
[0339]
 第4液処理ユニット136および第6液処理ユニット156は、例えば、塗布処理ユニットである。第4液処理ユニット136および第6液処理ユニット156によって行われる液処理は、例えば、基板Wに塗膜材料を塗布する塗布処理である。第4液処理ユニット136および第6液処理ユニット156が基板Wに塗布する塗膜材料は、基板処理装置1の動作に応じて、適宜に選択される。各第4液処理ユニット136は、同種の塗膜材料を使用してもよい。各第6液処理ユニット156は、同種の塗膜材料を使用してもよい。
[0340]
 複数の第4液処理ユニット136は、側面視において、行列状に配置される。複数の第6液処理ユニット156は、側面視において、行列状に配置される。第4液処理ユニット136および第6液処理ユニット156は、第1液処理ユニット36と略同じ構造を有する。
[0341]
 第2搬送機構57は、第2熱処理ユニット63と第2液処理ユニット65に基板Wを搬送する。例えば、第2搬送機構57は、冷却ユニットCPと第2液処理ユニット65と加熱ユニットHPに、この順番で基板Wを搬送する。第2処理部61は、冷却処理と塗布処理と加熱処理を、この順番で基板Wに行う。これにより、第2処理部61は、基板Wに塗膜を形成する。第2処理部61が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第2塗膜と呼ぶ。
[0342]
 第4搬送機構127は、第4熱処理ユニット133と第4液処理ユニット136に基板Wを搬送する。例えば、第4搬送機構127は、疎水化処理ユニットAHPと第4液処理ユニット136と中温加熱ユニットMHPと高温加熱ユニットHHPに、この順番で基板Wを搬送する。第4処理部131は、疎水化処理と塗布処理と中温加熱処理と高温加熱処理を、この順番で基板Wに行う。これにより、第4処理部131は、基板Wに塗膜を形成する。第4処理部131が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第4塗膜と呼ぶ。
[0343]
 第6搬送機構147は、第6熱処理ユニット153と第6液処理ユニット156に基板Wを搬送する。例えば、第6搬送機構147は、疎水化処理ユニットAHPと第6液処理ユニット156と中温加熱ユニットMHPと高温加熱ユニットHHPに、この順番で基板Wを搬送する。第6処理部151は、疎水化処理と塗布処理と中温加熱処理と高温加熱処理を、この順番で基板Wに行う。これにより、第6処理部151は、基板Wに塗膜を形成する。第6処理部151が基板Wに形成する塗膜を、適宜に第6塗膜と呼ぶ。
[0344]
 第1-第6塗膜の少なくとも2つ以上は、同じであってもよい。第1-第6塗膜は、互いに異なってもよい。
[0345]
 <中継ブロック161>
 図15-18、図21を参照する。図21は、中継ブロック161の背面図である。図21では、参考として、第1ブロック21に含まれる要素(例えば、第1処理部31、第3処理部91、第5処理部111および迂回搬送機構41)を示す。
[0346]
 中継ブロック161は、略箱形状を有する。中継ブロック161は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
[0347]
 中継ブロック161は、フレーム162を有する。フレーム162は、中継ブロック161の骨組み(骨格)として、設けられる。フレーム162は、中継ブロック161の形状を画定する。フレーム162は、例えば、金属製である。フレーム162は、中継搬送機構167を支持する。
[0348]
 基板処理装置1は、中継搬送スペース163を備える。中継搬送スペース163は、中継ブロック161に形成される。中継搬送スペース163は、第1搬送スペース23、第3搬送スペース83および第5搬送スペース103と略同じ高さ位置に配置される。中継搬送スペース163は、第1搬送スペース23、第3搬送スペース83および第5搬送スペース103の後方に配置される。中継搬送スペース163は、第1搬送スペース23、第3搬送スペース83および第5搬送スペース103と接する。中継搬送スペース163は、第2搬送スペース53、第4搬送スペース123および第6搬送スペース143と略同じ高さ位置に配置される。中継搬送スペース163は、第2搬送スペース53、第4搬送スペース123および第6搬送スペース143の前方に配置される。中継搬送スペース163は、第2搬送スペース53、第4搬送スペース123および第6搬送スペース143と接する。
[0349]
 中継搬送機構167は、中継搬送スペース163に設けられる。中継搬送機構167は、2つの搬送機構168a、168bを備える。各搬送機構168a、168bは、基板Wを搬送する。搬送機構168aは、搬送機構168bと略同じ高さ位置に配置される。搬送機構168a、168bは、幅方向Yに並ぶように配置される。搬送機構168bは、搬送機構168aの左方に配置される。
[0350]
 搬送機構168aは、搬送機構18aと略同じ構造および形状を有する。搬送機構168bは、左右対称である点を除き、搬送機構18aと略同じ構造および形状を有する。
[0351]
 図17を参照する。基板処理装置1は、第1載置部171と第2載置部172と第3載置部173と第4載置部174と第5載置部175と第6載置部176を備える。第1-第6載置部171-176には、基板Wが載置される。第1載置部171は、中継搬送機構167と第1搬送機構27の間に配置される。中継搬送機構167と第1搬送機構27は、第1載置部171を介して、相互に基板Wを搬送可能である。第2載置部172は、中継搬送機構167と第2搬送機構57の間に配置される。中継搬送機構167と第2搬送機構57は、第2載置部172を介して、相互に基板Wを搬送可能である。第3載置部173は、中継搬送機構167と第3搬送機構87の間に配置される。中継搬送機構167と第3搬送機構87は、第3載置部173を介して、相互に基板Wを搬送可能である。第4載置部174は、中継搬送機構167と第4搬送機構127の間に配置される。中継搬送機構167と第4搬送機構127は、第4載置部174を介して、相互に基板Wを搬送可能である。第5載置部175は、中継搬送機構167と第5搬送機構107の間に配置される。中継搬送機構167と第5搬送機構107は、第5載置部175を介して、相互に基板Wを搬送可能である。第6載置部176は、中継搬送機構167と第6搬送機構147の間に配置される。中継搬送機構167と第6搬送機構147は、第6載置部176を介して、相互に基板Wを搬送可能である。
[0352]
 第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、第1ブロック21と中継ブロック161の間に配置される。第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、第1ブロック21と中継ブロック161にわたって配置される。第1載置部171は、第1搬送スペース23と中継搬送スペース163にわたって配置される。第3載置部173は、第3搬送スペース83と中継搬送スペース163にわたって配置される。第5載置部175は、第5搬送スペース103と中継搬送スペース163にわたって配置される。
[0353]
 第1載置部171は、第1搬送機構27と略同じ高さ位置に配置される。第1載置部171は、第1搬送機構27の後方に配置される。第3載置部173は、第3搬送機構87と略同じ高さ位置に配置される。第3載置部173は、第3搬送機構87の後方に配置される。第5載置部175は、第5搬送機構107と略同じ高さ位置に配置される。第5載置部175は、第5搬送機構107の後方に配置される。
[0354]
 第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、中継搬送機構167と略同じ高さ位置に配置される。第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、中継搬送機構167の前方に配置される。第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、搬送機構168aの前方かつ左方に配置される。第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、搬送機構168bの前方かつ右方に配置される。
[0355]
 第1載置部171、第3載置部173および第5載置部175は、上下方向Zに並ぶように配置される。第3載置部173は、平面視において、第1載置部171と重なる。第5載置部175は、平面視において、第1載置部171と重なる。
[0356]
 第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、第2ブロック51と中継ブロック161の間に配置される。第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、第2ブロック51と中継ブロック161にわたって配置される。第2載置部172は、第2搬送スペース53と中継搬送スペース163にわたって配置される。第4載置部174は、第4搬送スペース123と中継搬送スペース163にわたって配置される。第6載置部176は、第6搬送スペース143と中継搬送スペース163にわたって配置される。
[0357]
 第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、中継搬送機構167と略同じ高さ位置に配置される。第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、中継搬送機構167の後方に配置される。第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、搬送機構168aの後方かつ左方に配置される。第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、搬送機構168bの後方かつ右方に配置される。
[0358]
 第2載置部172は、第2搬送機構57と略同じ高さ位置に配置される。第2載置部172は、第2搬送機構57の前方に配置される。第4載置部174は、第4搬送機構127と略同じ高さ位置に配置される。第4載置部174は、第4搬送機構127の前方に配置される。第6載置部176は、第6搬送機構147と略同じ高さ位置に配置される。第6載置部176は、第6搬送機構147の前方に配置される。
[0359]
 第2載置部172、第4載置部174および第6載置部176は、上下方向Zに並ぶように配置される。第4載置部174は、平面視において、第2載置部172と重なる。第6載置部176は、平面視において、第4載置部174と重なる。
[0360]
 第1-第6載置部171-176は、前載置部71と略同じ構造を有する。すなわち、第1-第6載置部171-176は、複数(例えば、4個)のプレート72を備える。第1-第6載置部171-176は、複数の基板Wを載置可能である。
[0361]
 第1搬送機構27は、第1載置部171に基板Wを載置可能である。第1搬送機構27は、第1載置部171上の基板Wを取ることができる。第3搬送機構87は、第3載置部173に基板Wを載置可能である。第3搬送機構87は、第3載置部173上の基板Wを取ることができる。第5搬送機構107は、第5載置部175に基板Wを載置可能である。第5搬送機構107は、第5載置部175上の基板Wを取ることができる。
[0362]
 中継搬送機構167は、第1-第6載置部171-176に基板Wを載置可能である。搬送機構168a、168bはそれぞれ、第1-第6載置部171-176に基板Wを載置可能である。中継搬送機構167は、第1-第6載置部171-176上の基板Wを取ることができる。搬送機構168a、168bはそれぞれ、第1-第6載置部171-176上の基板Wを取ることができる。
[0363]
 第2搬送機構57は、第2載置部172に基板Wを載置可能である。第2搬送機構57は、第2載置部172上の基板Wを取ることができる。第4搬送機構127は、第4載置部174に基板Wを載置可能である。第4搬送機構127は、第4載置部174上の基板Wを取ることができる。第6搬送機構147は、第6載置部176に基板Wを載置可能である。第6搬送機構147は、第6載置部176上の基板Wを取ることができる。
[0364]
 図15は、平面視における第1載置部171と第2載置部172を結ぶ仮想的な線分Eを示す。線分Eは、平面視において、前後方向Xと略平行である。図15は、線分Eの垂直二等分線Fを示す。垂直二等分線Fは、仮想的な線である。中継搬送機構167は、平面視において、垂直二等分線Fと交差する位置に配置される。搬送機構168a、168bはそれぞれ、平面視において、垂直二等分線Fと交差する位置に配置される。搬送機構168aは、平面視において、線分Eの第1側方(具体的には右方)に配置される。搬送機構168bは、平面視において、線分Eの第2側方(具体的には左方)に配置される。
[0365]
 搬送機構168a、168bの一方は、本発明における第1中継搬送機構の例である。搬送機構168a、168bの他方は、本発明における第2中継搬送機構の例である。
[0366]
 図22は、基板処理装置1の平面図である。図22は、第1非液処理部32の図示を省略する。迂回搬送機構41と中継搬送機構167は、直接的に基板Wを受け渡す。具体的には、迂回搬送機構41と中継搬送機構167の間で基板Wを搬送するとき、迂回搬送機構41と中継搬送機構167は、同じ基板Wに同時に接触する。
[0367]
 搬送機構168bの保持部19d、19eは、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。搬送機構168bの保持部19d、19eは、基板Wの部分P3と接触する。迂回搬送機構41の保持部44c、44eは、平面視において、略I字形状を有する。迂回搬送機構41の保持部44c、44e(具体的には、パッド45b)は、基板Wの部分Qと接触する。基板Wの部分P3は、基板Wの部分Qと異なる。基板Wの部分P3は、例えば、基板Wの裏面の中央部以外の部分である。基板Wの部分P3は、例えば、基板Wの裏面の周縁部である。基板Wの部分Qは、例えば、基板Wの裏面の中央部である。このため、搬送機構168bと迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、搬送機構168bと迂回搬送機構41は互いに干渉しない。
[0368]
 搬送機構168aの保持部19d、19eと接触する基板Wの部分は、基板Wの部分P3と略同じである。したがって、搬送機構168aの保持部19d、19eと接触する基板Wの部分は、基板Wの部分Qと異なる。このため、搬送機構168aと迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、搬送機構168aと迂回搬送機構41は互いに干渉しない。
[0369]
 中継搬送機構167が迂回搬送機構41に基板Wを渡す動作は、主搬送機構17が迂回搬送機構41に基板Wを渡す動作例と略同じである。迂回搬送機構41が中継搬送機構167に基板Wを渡す動作は、迂回搬送機構41が主搬送機構17に基板Wを渡す動作例と略同じである。ただし、中継搬送機構167が迂回搬送機構41に基板Wを渡すとき、および、迂回搬送機構41が中継搬送機構167に基板Wを渡すとき、水平移動部44aは、迂回支持部42の後端に位置する。さらに、アーム部44b、44dの回転により、保持部44c、44eは、水平移動部44aよりも後方に位置する。
[0370]
 中継搬送機構167と迂回搬送機構41の間で基板Wが受け渡される位置を、第5受け渡し位置と呼ぶ。中継搬送機構167と第1搬送機構27の間で基板Wが受け渡される位置を、第6受け渡し位置と呼ぶ。第5受け渡し位置は、平面視において、第6受け渡し位置と略同じである。ここで、第6受け渡し位置は、第1載置部171の位置と略同じである。したがって、第5受け渡し位置は、平面視において、第1載置部171の位置と略同じである。
[0371]
 第5受け渡し位置は、第6受け渡し位置の下方の位置である。第5受け渡し位置は、第1載置部171の下方の位置である。
[0372]
 <制御部>
 制御部79は、インデクサ部11と第1ブロック21と第2ブロック51と中継ブロック161を制御する。より具体的には、制御部79は、第1処理部31、第2処理部61、第3処理部91、第4処理部131、第5処理部111および第6処理部151を制御する。制御部79は、主搬送機構17、第1搬送機構27、第2搬送機構57、第3搬送機構87、第4搬送機構127、第5搬送機構107、第6搬送機構147、迂回搬送機構41および中継搬送機構167を制御する。
[0373]
 <基板処理装置1の動作例>
 図23(a)は、図14(a)に示す第4動作例における基板Wの搬送経路を模式的に示す図である。図23(b)は、図14(b)に示す第5動作例における基板Wの搬送経路を模式的に示す図である。なお、図23(a)、23(b)では、キャリア載置部12a、12bを、図15とは異なる位置に示す。
[0374]
 図23(a)を参照して、第4動作例を改めて説明する。搬送機構18aは、キャリア載置部12a上のキャリアCから迂回搬送機構41に、第1基板W1および第2基板W2を搬送する。迂回搬送機構41は、搬送機構18aから中継搬送機構167に、第1基板W1および第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、迂回搬送機構41から第4載置部174に第1基板W1を搬送し、かつ、迂回搬送機構41から第6載置部176に第2基板W2を搬送する。第4搬送機構127は、第4載置部174から第4処理部131に第1基板W1を搬送し、かつ、第4処理部131から第4載置部174に第1基板W1を搬送する。第6搬送機構147は、第6載置部176から第6処理部151に第2基板W2を搬送し、かつ、第6処理部151から第6載置部176に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第4載置部174から第1載置部171に第1基板W1を搬送し、かつ、第6載置部176から第2載置部172に第2基板W2を搬送する。第1搬送機構27は、第1載置部171から第1処理部31に第1基板W1を搬送し、かつ、第1処理部31から第1載置部171に第1基板W1を搬送する。第2搬送機構57は、第2載置部172から第2処理部61に第2基板W2を搬送し、かつ、第2処理部61から第2載置部172に基板Wを搬送する。中継搬送機構167は、第1載置部171から第3載置部173に第1基板W1を搬送し、かつ、第2載置部172から第5載置部175に第2基板W2を搬送する。第3搬送機構87は、第3載置部173から第3処理部91に第1基板W1を搬送し、第3処理部91から前載置部73に第1基板W1を搬送する。第5搬送機構107は、第5載置部175から第5処理部111に第2基板W2を搬送し、第5処理部111から前載置部75に第2基板W2を搬送する。搬送機構18bは、前載置部73からキャリア載置部12b上のキャリアCに第1基板W1を搬送し、かつ、前載置部75からキャリア載置部12b上のキャリアCに第2基板W2を搬送する。
[0375]
 第4動作例では、基板処理装置1は、第1基板W1に3層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、第1基板W1の上面に第4塗膜を形成し、第4塗膜の上面に第1塗膜を形成し、第1塗膜の上面に第3塗膜を形成する。第4動作例では、基板処理装置1は、第2基板W2に3層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、第2基板W2の上面に第6塗膜を形成し、第6塗膜の上面に第2塗膜を形成し、第2塗膜の上面に第5塗膜を形成する。
[0376]
 例えば、第4塗膜および第6塗膜は、下層膜であり、第1塗膜および第2塗膜は、中間膜であり、第3塗膜および第5塗膜は、上層膜であってもよい。例えば、第4塗膜および第6塗膜は、反射防止膜であり、第1塗膜および第2塗膜は、レジスト膜であり、第3塗膜および第5塗膜は、保護膜であってもよい。
[0377]
 図23(b)を参照して、第5動作例を改めて説明する。搬送機構18aは、キャリア載置部12a上のキャリアCから前載置部73に第1基板W1を搬送し、かつ、キャリア載置部12a上のキャリアCから前載置部75に第2基板W2を搬送する。第3搬送機構87は、前載置部73から第3処理部91に第1基板W1を搬送し、第3処理部91から第3載置部173に第1基板W1を搬送する。第5搬送機構107は、前載置部75から第5処理部111に第2基板W2を搬送し、第5処理部111から第5載置部175に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第3載置部173から第1載置部171に第1基板W1を搬送し、かつ、第5載置部175から第2載置部172に第2基板W2を搬送する。第1搬送機構27は、第1載置部171から第1処理部31に第1基板W1を搬送し、かつ、第1処理部31から第1載置部171に第1基板W1を搬送する。第2搬送機構57は、第2載置部172から第2処理部61に第2基板W2を搬送し、かつ、第2処理部61から第2載置部172に基板Wを搬送する。中継搬送機構167は、第1載置部171から第4載置部174に第1基板W1を搬送し、かつ、第2載置部172から第6載置部176に第2基板W2を搬送する。第4搬送機構127は、第4載置部174から第4処理部131に第1基板W1を搬送し、かつ、第4処理部131から第4載置部174に第1基板W1を搬送する。第6搬送機構147は、第6載置部176から第6処理部151に第2基板W2を搬送し、かつ、第6処理部151から第6載置部176に第2基板W2を搬送する。中継搬送機構167は、第4載置部174から迂回搬送機構41に第1基板W1を搬送し、かつ、第6載置部176から迂回搬送機構41に第2基板W2を搬送する。迂回搬送機構41は、中継搬送機構167から搬送機構18bに第1基板W1および第2基板W2を搬送する。搬送機構18bは、迂回搬送機構41からキャリア載置部12b上のキャリアCに第1基板W1および第2基板W2を搬送する。
[0378]
 第5動作例では、基板処理装置1は、第1基板W1に3層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、第1基板W1の上面に第3塗膜を形成し、第3塗膜の上面に第1塗膜を形成し、第1塗膜の上面に第4塗膜を形成する。第5動作例では、基板処理装置1は、第2基板W2に3層の塗膜を形成する。具体的には、基板処理装置1は、第2基板W2の上面に第5塗膜を形成し、第5塗膜の上面に第2塗膜を形成し、第2塗膜の上面に第6塗膜を形成する。
[0379]
 例えば、第3塗膜および第5塗膜は、下層膜であり、第1塗膜および第2塗膜は、中間膜であり、第4塗膜および第6塗膜は、上層膜であってもよい。例えば、第3塗膜および第5塗膜は、反射防止膜であり、第1塗膜および第2塗膜は、レジスト膜であり、第4塗膜および第6塗膜は、保護膜であってもよい。
[0380]
<第2実施形態の他の効果>
 第2実施形態の主たる効果は、上述した通りである。以下、第2実施形態のその他の効果を説明する。
[0381]
 迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31および第1搬送スペース23と重なる位置に配置される。迂回搬送機構41は、側面視において、第3処理部91と重ならない位置に配置される。ここで、上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32は、上下方向Zにおける第3非液処理部92の長さL92よりも小さい。このため、迂回搬送機構41の設置スペースを比較的に容易に確保できる。
[0382]
 第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数は、第3処理部91に含まれる非液処理ユニットの数よりも少ない。したがって、第1非液処理部32の設置スペースは、第3非液処理部92の設置スペースよりも小さい。よって、迂回搬送機構41の設置スペースを容易に確保できる。
[0383]
 迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31および第1搬送スペース23と重なる位置に配置される。迂回搬送機構41は、側面視において、第5処理部111と重ならない位置に配置される。ここで、上下方向Zにおける第1非液処理部32の長さL32は、上下方向Zにおける第5非液処理部112の長さL112よりも小さい。このため、迂回搬送機構41の設置スペースを比較的に容易に確保できる。
[0384]
 第1処理部31に含まれる非液処理ユニットの数は、第5処理部111に含まれる非液処理ユニットの数よりも少ない。したがって、第1非液処理部32の設置スペースは、第5非液処理部112の設置スペースよりも小さい。よって、迂回搬送機構41の設置スペースを容易に確保できる。
[0385]
 中継搬送機構167は、平面視において、垂直二等分線Fと交差する位置に配置される。このため、平面視において、中継搬送機構167から第1載置部171までの距離は、中継搬送機構167から第2載置部172までの距離と略等しい。よって、中継搬送機構167は、第1載置部171に容易にアクセスでき、かつ、第2載置部172に容易にアクセスできる。
[0386]
 第3載置部173および第5載置部175は、平面視において、第1載置部171と重なる位置に配置される。よって、中継搬送機構167は、第3載置部173および第5載置部175に容易にアクセスできる。
[0387]
 第4載置部174および第6載置部176は、平面視において、第2載置部172と重なる位置に配置される。よって、中継搬送機構167は、第4載置部174および第6載置部176に容易にアクセスできる。
[0388]
 中継搬送機構167は、搬送機構168a、168bを備える。このため、中継搬送機構167が単位時間当たりに搬送可能な基板Wの枚数を容易に増やすことができる。よって、基板処理装置1のスループットをさらに向上できる。
[0389]
 搬送機構168aは、平面視において、線分Eの第1側方(具体的には右方)に配置される。搬送機構168bは、平面視において、線分Eの第2側方(具体的には左方)に配置される。このため、搬送機構168a、168bが相互に干渉することを、好適に防止できる。
[0390]
 中継搬送機構167と迂回搬送機構41とは、直接的に基板を受け渡す。より具体的には、中継搬送機構167と迂回搬送機構41の間で基板Wを搬送するとき、中継搬送機構167と迂回搬送機構41は、同じ基板Wに同時に接触する。このため、中継搬送機構167と迂回搬送機構41の間で基板Wを効率良く搬送できる。
[0391]
 中継搬送機構167と接触する基板Wの部分P3は、迂回搬送機構41と接触する基板Wの部分Qと異なる。このため、中継搬送機構167と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、中継搬送機構167と迂回搬送機構41が干渉することを好適に防止できる。
[0392]
 中継搬送機構167の保持部19d、19eはそれぞれ、平面視において、略U字形状または略Y字形状を有する。迂回搬送機構41の保持部44c、44eはそれぞれ、平面視において、略I字形状を有する。このため、中継搬送機構167と迂回搬送機構41が同じ基板Wに同時に接触するとき、中継搬送機構167と迂回搬送機構41が干渉することを好適に防止できる。
[0393]
 第5受け渡し位置は、平面視において、第6受け渡し位置と略同じである。このため、中継搬送機構167が第5受け渡し位置に移動する量を抑制できる。具体的には、中継搬送機構167が第5受け渡し位置に移動するときの中継搬送機構167の水平方向の量を、中継搬送機構167が第6受け渡し位置に移動するときの中継搬送機構167の水平方向の移動量と同程度に抑制できる。よって、中継搬送機構167と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを容易に搬送できる。
[0394]
 第5受け渡し位置は、平面視において、第1載置部171の位置と略同じである。このため、中継搬送機構167が第5受け渡し位置に移動する量を抑制できる。よって、中継搬送機構167と迂回搬送機構41は、相互に基板Wを容易に搬送できる。
[0395]
 本発明は、上記第1、第2実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
[0396]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41の保持部44cは、アーム部44bを介して、水平移動部44aに支持される。ただし、これに限られない。例えば、保持部44cは、水平移動部44aに固定されてもよい。例えば、保持部44cは、水平移動部44aに対して移動不能であってもよい。例えば、アーム部44bは水平移動部44aに固定されてもよい。例えば、アーム部44bを省略して、保持部44cが水平移動部44aに接続されてもよい。同様に、迂回搬送機構41の保持部44eの支持構造を変更してもよい。本変形実施形態によれば、迂回搬送機構41の構造は一層簡素である。よって、迂回搬送機構41をさらに小型化できる。
[0397]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31および第1搬送スペース23の両方と重なる位置に配置される。ただし、これに限られない。例えば、迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31および第1搬送スペース23の少なくともいずれかと重なる位置に配置されてもよい。例えば、迂回搬送機構41は、側面視において、第1処理部31および第1搬送スペース23のいずれかと重ならない位置に配置されてもよい。本変形実施形態によっても、迂回搬送機構41の設置スペースを容易に確保できる。
[0398]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41は、平面視において、第1非液処理部32と重なる位置に配置される。ただし、これに限られない。例えば、迂回搬送機構41は、平面視において、第1非液処理部32と重ならない位置に配置されてもよい。例えば、迂回搬送機構41の全部は、第1搬送スペース23に配置されてもよい。本変形実施形態によっても、迂回搬送機構41の設置スペースを容易に確保できる。
[0399]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41の保持部44cは、平面視において、略I字形状を有する。ただし、これに限られない。例えば、保持部44cは、略水平な平板形状を有してもよい。例えば、保持部44cは、平面視において、円形または矩形であってもよい。保持部44cは、例えば、前載置部71のプレート72と略同じ形状を有してもよい。同様に、迂回搬送機構41の保持部44eの構造を変更してもよい。例えば、保持部44c、44eの全体は、前載置部71と略同じ構造を有してもよい。
[0400]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41は、スペース40および第1搬送スペース23にわたって配置される。ただし、これに限られない。例えば、迂回搬送機構41は、スペース40および第1搬送スペース23の一方に配置されてもよい。すなわち、迂回搬送機構41は、スペース40および第1搬送スペース23の他方に配置されなくてもよい。
[0401]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41は、第1非液処理部32の下方のスペース40に配置される。ただし、これに限られない。基板処理装置1が第1非液処理部32の上方のスペースを備える場合、迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1非液処理部32の上方のスペースに配置されてもよい。
[0402]
 第1、第2実施形態では、迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1搬送スペース23の底部23dに配置される。但し、これに限られない。迂回搬送機構41の少なくとも一部は、第1搬送スペース23の上部に配置されてもよい。
[0403]
 第2実施形態において、上下方向Zにおける第1搬送スペース23の長さは、上下方向Zにおける第3搬送スペース83の長さと略同じであってもよい。上下方向Zにおける第1搬送スペース23の長さは、上下方向Zにおける第3搬送スペース83の長さよりも多少長くてもよい。上下方向Zにおける第1搬送スペース23の長さは、上下方向Zにおける第5搬送スペース103の長さと略同じであってもよい。上下方向Zにおける第1搬送スペース23の長さは、上下方向Zにおける第5搬送スペース103の長さよりも多少長くてもよい。
[0404]
 第1、第2実施形態では、排気ユニット25は第1搬送スペース23の下方に配置された。但し、これに限られない。排気ユニット25は、スペース40の下方まで延びてもよい。例えば、排気ユニット25は、第1搬送スペース23の下方に加えて、スペース40の下方に配置されてもよい。排気ユニット25は、平面視において、スペース40の少なくとも一部と重なってもよい。これによれば、スペース40を清浄に容易に保つことができる。よって、迂回搬送機構41の周囲の環境を容易に清浄に保つことができる。
[0405]
 第1、第2実施形態では、中継搬送機構167は、搬送機構168a、168bを備える。ただし、これに限られない。搬送機構168a、168bのいずれかを省略してもよい。
[0406]
 第1実施形態では、基板処理装置1は、中継搬送機構167を備えていない。但し、これに限られない。第1実施形態の基板処理装置1が、中継搬送機構167を備えてもよい。中継搬送機構167は、第1搬送機構27と迂回搬送機構41と第2搬送機構57の間で、基板Wを搬送してもよい。図15、22を、本変形実施形態の基板処理装置1の平面図とみなしてもよい。
[0407]
 第1実施形態では、主搬送機構17は、キャリア載置部12a1、12b1上のキャリアCにアクセスする。ただし、これに限られない。主搬送機構17は、キャリア載置部12a1、12b1上のキャリアCにアクセスしなくてもよい。例えば、基板処理装置1は、キャリア載置部12a1、12b1上のキャリアCにアクセスする他の搬送機構を備えてもよい。同様に、第2実施形態における主搬送機構17を変更してもよい。
[0408]
 第1、第2実施形態では、主搬送機構17は、搬送機構18a、18bを備える。ただし、これに限られない。搬送機構18a、18bのいずれかを省略してもよい。
[0409]
 第1、第2実施形態では、第1-第5動作例を例示した。ただし、これに限られない。例えば、基板処理装置1は、第1-第5動作例とは異なる動作を行ってもよい。例えば、基板Wを搬送する処理部Kの数を変更してもよい。例えば、第1基板W1を搬送する処理部Kの数は、第2基板W2を搬送する処理部Kの数と異なってもよい。基板Wを搬送する処理部Kの順番を変更してもよい。以下、変形実施形態の第6-第9動作例を説明する。
[0410]
 第6動作例では、基板Wを1個の処理部Kに搬送する。例えば、第1基板W1を第1処理部31に搬送し、第2基板W2を第2処理部61に搬送し、第3基板W3を第3処理部91に搬送し、第4基板W4を第4処理部131に搬送し、第5基板W5を第5処理部111に搬送し、第6基板W6を第6処理部151に搬送する。
[0411]
 第7動作例では、基板Wを2個の処理部Kに搬送する。例えば、第1基板W1を第1処理部31および第2処理部61に搬送し、第2基板W2を第3処理部91および第4処理部131に搬送し、第3基板W3を第5処理部111および第6処理部151に搬送する。
[0412]
 第8動作例では、基板Wを6個の処理部Kに搬送する。具体的には、基板Wを第1処理部31、第2処理部61、第3処理部91、第4処理部131、第5処理部111および第6処理部151に搬送する。
[0413]
 第9動作例では、第1基板W1を4個の処理部Kに搬送し、第2基板W2を2個の処理部Kに搬送する。例えば、第1基板W1を第1処理部31、第2処理部61、第3処理部91および第4処理部131に搬送し、第2基板W2を第5処理部111および第6処理部151に搬送する。
[0414]
 上述した第6-第9動作例においても、迂回搬送機構41が第1直行搬送、第3直行搬送および第5直行搬送を行うことが好ましい。さらに、第1搬送機構27が第1直行搬送を行わず、第3搬送機構87が第3直行搬送を行わず、第5搬送機構107が第5直行搬送を行わないことが好ましい。
[0415]
 第1、第2実施形態では、液処理として、塗布処理を例示したが、これに限られない。液処理は、例えば、基板Wを現像する現像処理または基板Wを洗浄する洗浄処理であってもよい。現像処理は、現像液を処理液として基板Wに供給する。洗浄処理は、洗浄液を処理液として基板Wに供給する。
[0416]
 第1、第2実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

符号の説明

[0417]
 1  … 基板処理装置
 11 … インデクサ部
 17 … 主搬送機構
 21 … 第1ブロック
 23 … 第1搬送スペース
 23a … 第1側部
 23b … 第2側部
 23c … 第1搬送スペースの下端
 23d … 底部
 24 … 給気ユニット
 25 … 排気ユニット
 27 … 第1搬送機構
 28 … 第1支持部
 29 … 第1可動部
 31 … 第1処理部
 32 … 第1非液処理部
 32a … 第1非液処理部の下端
 33 … 第1熱処理ユニット
 35 … 第1液処理部
 35a … 第1液処理部の下端
 36 … 第1液処理ユニット
 39 … 基板搬送口
 40 … スペース
 41 … 迂回搬送機構
 42 … 迂回支持部
 43 … 迂回可動部
 43a … 第1迂回可動部
 43b … 第2迂回可動部
 44a … 水平移動部(第1水平移動部、第2水平移動部)
 44b、44d … アーム部(第1アーム部、第2アーム部)
 44c、44e … 保持部(第1保持部、第2保持部)
 51 … 第2ブロック
 57 … 第2搬送機構
 61 … 第2処理部
 62 … 第2非液処理部
 63 … 第2熱処理ユニット
 65 … 第2液処理部
 66 … 第2液処理ユニット
 71、73、75 … 前載置部
 77 … 後載置部
 79 … 制御部
 87 … 第3搬送機構
 91 … 第3処理部
 107 … 第5搬送機構
 111 … 第5処理部
 127 … 第4搬送機構
 131 … 第4処理部
 147 … 第6搬送機構
 151 … 第6処理部
 161 … 中継ブロック
 167 … 中継搬送機構
 168a、168b … 搬送機構(第1中継搬送機構、第2中継搬送機構)
 171 … 第1載置部
 172 … 第2載置部
 E … 平面視における第1載置部と第2載置部を結ぶ線分
 F … 線分Eの垂直二等分線
 L23 … 上下方向における第1搬送スペースの長さ
 L32 … 上下方向における第1非液処理部の長さ
 L35 … 上下方向における第1液処理部の長さ
 L62 … 上下方向における第2非液処理部の長さ
 L92 … 上下方向における第3非液処理部の長さ
 L112 … 上下方向における第5非液処理部の長さ
 P1 … 主搬送機構と接触する基板の部分
 P2 … 第2搬送機構と接触する基板の部分
 P3 … 中継搬送機構と接触する基板の部分
 Q  … 迂回搬送機構と接触する基板の部分
 W  … 基板
 X  … 前後方向(第1方向)
 Y  … 幅方向(第2方向)
 Z  … 上下方向Z(第3方向)

請求の範囲

[請求項1]
 基板処理装置であって、
 基板を搬送する主搬送機構と、
 基板に処理を行う第1処理部と、
 前記第1処理部に基板を搬送する第1搬送機構と、
 前記第1搬送機構が設けられる第1搬送スペースと、
 基板に処理を行う第2処理部と、
 前記第2処理部に基板を搬送する第2搬送機構と、
 基板を搬送する迂回搬送機構と、
 を備え、
 前記第1搬送機構は、前記主搬送機構と前記第2搬送機構の間に配置され、
 前記迂回搬送機構は、前記主搬送機構と前記第2搬送機構の間に配置され、
 前記主搬送機構と前記第1搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、
 前記第1搬送機構と前記第2搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、
 前記主搬送機構と前記迂回搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、
 前記迂回搬送機構と前記第2搬送機構は、相互に基板を搬送可能である
 基板処理装置。
[請求項2]
 請求項1に記載の基板処理装置において、
 前記主搬送機構と前記迂回搬送機構の間で基板を搬送するとき、前記主搬送機構と前記迂回搬送機構は、同じ基板に同時に接触する
 基板処理装置。
[請求項3]
 請求項1に記載の基板処理装置において、
 前記主搬送機構と前記迂回搬送機構の間で基板が受け渡される位置は、平面視において、前記主搬送機構と前記第1搬送機構の間で基板が受け渡される位置と同じである
 基板処理装置。
[請求項4]
 請求項1に記載の基板処理装置において、
 前記迂回搬送機構に保持される基板の少なくとも一部は、前記第1搬送スペースの内部に位置する
 基板処理装置。
[請求項5]
 請求項1に記載の基板処理装置において、
 前記迂回搬送機構の少なくとも一部は、前記第1搬送スペースに配置される
 基板処理装置。
[請求項6]
 請求項1に記載の基板処理装置において、
 前記第1処理部は、
  基板に非液処理を行う第1非液処理部と、
 を備え、
 前記迂回搬送機構の少なくとも一部は、平面視において、前記第1非液処理部と重なる位置に配置される
 基板処理装置。
[請求項7]
 請求項6に記載の基板処理装置において、
 前記第1搬送機構は、前記主搬送機構および前記第2搬送機構と同じ高さ位置に配置され、
 前記迂回搬送機構は、前記主搬送機構および前記第2搬送機構と同じ高さ位置に配置され、
 前記第1非液処理部は、前記第1搬送スペースに隣接しており、
 前記第1搬送スペースは、下端を有し、
 前記第1非液処理部は、前記第1搬送スペースの前記下端よりも高い高さ位置に配置され、
 前記迂回搬送機構は、前記第1非液処理部の下方のスペースおよび前記第1搬送スペースにわたって配置される
 基板処理装置。
[請求項8]
 請求項7に記載の基板処理装置において、
 前記第1非液処理部は、下端を有し、
 前記迂回搬送機構は、前記第1非液処理部の前記下端と同等またはそれよりも低い高さ位置に配置され、
 前記第1処理部は、
  基板に液処理を行う第1液処理部と、
 を備え、
 前記第1液処理部は、下端を有し、
 前記第1液処理部の前記下端は、前記第1非液処理部の前記下端よりも低い高さ位置に配置され、
 前記迂回搬送機構は、前記第1液処理部の前記下端と同等またはそれよりも高い高さ位置に配置される
 基板処理装置。
[請求項9]
 請求項6に記載の基板処理装置において、
 前記迂回搬送機構は、
  固定的に設けられる迂回支持部と、
  前記迂回支持部に支持され、前記迂回支持部に対して移動可能であり、かつ、基板を保持する迂回可動部と、
 を備え、
 前記迂回支持部は、平面視において、前記第1非液処理部と重なる位置に配置され、
 前記迂回可動部の少なくとも一部は、前記第1搬送スペースの内部に配置される
 基板処理装置。
[請求項10]
 請求項9に記載の基板処理装置において、
 前記迂回可動部は、
  前記迂回支持部に支持され、前記迂回支持部に対して水平方向に移動する第1水平移動部と、
  前記第1水平移動部に支持され、基板を保持する第1保持部と、
 を備える
 基板処理装置。
[請求項11]
 請求項10に記載の基板処理装置において、
 前記迂回可動部は、
 前記第1水平移動部に支持され、前記第1水平移動部に対して回転可能な第1アーム部と、
 を備え、
 前記第1保持部は、前記第1アーム部を介して、前記第1水平移動部に支持される
 基板処理装置。
[請求項12]
 請求項10に記載の基板処理装置において、
 前記第1保持部は、前記第1水平移動部に固定され、前記第1水平移動部に対して移動不能である
 基板処理装置。
[請求項13]
 請求項9に記載の基板処理装置において、
 前記迂回可動部は、
  前記迂回支持部に支持され、前記迂回支持部に対して水平方向に移動する第2水平移動部と、
 前記第2水平移動部に支持され、基板を保持する第2保持部と、
 を備え、
 前記第2水平移動部は、前記第1水平移動部とは独立して、移動可能である
 基板処理装置。
[請求項14]
 請求項1に記載の基板処理装置において、
 前記主搬送機構は、前記第1搬送機構の高さ位置および前記迂回搬送機構の高さ位置に移動可能であり、
 前記第2搬送機構は、前記第1搬送機構の高さ位置および前記迂回搬送機構の高さ位置に移動可能であり、
 基板処理装置は、
  前記第1処理部の下方に配置され、基板に処理を行う第3処理部と、
  前記第1搬送機構および前記迂回搬送機構の下方に配置され、前記第3処理部に基板を搬送する第3搬送機構と、
  前記第2処理部の下方に配置され、基板に処理を行う第4処理部と、
  前記第2搬送機構の下方に配置され、前記第4処理部に基板を搬送する第4搬送機構と、
  前記第1搬送機構と前記第2搬送機構の間の位置、前記迂回搬送機構と前記第2搬送機構の間の位置、および、前記第3搬送機構と前記第4搬送機構の間の位置に移動可能に設けられ、基板を搬送する中継搬送機構と、
 を備え、
 前記主搬送機構と前記第3搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、
 前記中継搬送機構は、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構と前記第3搬送機構と前記第4搬送機構と前記迂回搬送機構の間で、基板を搬送可能である
 基板処理装置。
[請求項15]
 請求項14に記載の基板処理装置において、
 前記迂回搬送機構は、側面視において、前記第1処理部および前記第1搬送スペースの少なくともいずれかと重なる位置に配置され、
 前記迂回搬送機構は、側面視において、前記第3処理部と重ならない位置に配置され、
 前記第1処理部は、
  基板に非液処理を行う第1非液処理部と、
 を備え、
 前記第3処理部は、
  基板に非液処理を行う第3非液処理部と、
 を備え、
 上下方向における前記第1非液処理部の長さは、上下方向における前記第3非液処理部の長さよりも小さい
 基板処理装置。
[請求項16]
 請求項14に記載の基板処理装置において、
 基板処理装置は、
  前記中継搬送機構と前記第1搬送機構の間に配置され、基板が載置される第1載置部と、
  前記中継搬送機構と前記第2搬送機構の間に配置され、基板が載置される第2載置部と、
 を備え、
 前記中継搬送機構は、平面視において、前記第1載置部と前記第2載置部を結ぶ線分の垂直二等分線と交差する位置に配置される
 基板処理装置。
[請求項17]
 請求項16に記載の基板処理装置において、
 中継搬送機構は、
  基板を搬送する第1中継搬送機構と、
  基板を搬送する第2中継搬送機構と、
 を備え、
 前記第1中継搬送機構は、平面視において、前記第1載置部と前記第2載置部を結ぶ線分の第1側方に配置され、
 前記第2中継搬送機構は、平面視において、前記第1載置部と前記第2載置部を結ぶ前記線分の第2側方に配置される
 基板処理装置。
[請求項18]
 請求項14に記載の基板処理装置において、
 前記基板処理装置は、
  前記第1処理部の上方に配置され、基板に処理を行う第5処理部と、
  前記第1搬送機構および前記迂回搬送機構の上方に配置され、前記第5処理部に基板を搬送する第5搬送機構と、
  前記第2処理部の上方に配置され、基板に処理を行う第6処理部と、
  前記第2搬送機構の上方に配置され、前記第6処理部に基板を搬送する第6搬送機構と、
 を備え、
 前記中継搬送機構は、前記第5搬送機構と前記第6搬送機構の間の位置に移動可能であり、
 前記主搬送機構と前記第5搬送機構は、相互に基板を搬送可能であり、
 前記中継搬送機構は、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構と前記第3搬送機構と前記第4搬送機構と前記第5搬送機構と前記第6搬送機構と前記迂回搬送機構の間で、基板を搬送可能である
 基板処理装置。
[請求項19]
 請求項18に記載の基板処理装置において、
 前記主搬送機構は、前記第1搬送機構、前記第3搬送機構および前記第5搬送機構の少なくともいずれかに基板を渡し、かつ、前記迂回搬送機構に基板を渡さず、
 前記主搬送機構が前記第1搬送機構に基板を渡した場合、前記第1搬送機構は前記主搬送機構から前記第1処理部に基板を搬送し、
 前記主搬送機構が前記第3搬送機構に基板を渡した場合、前記第3搬送機構は前記主搬送機構から前記第3処理部に基板を搬送し、
 前記主搬送機構が前記第5搬送機構に基板を渡した場合、前記第5搬送機構は前記主搬送機構から前記第5処理部に基板を搬送する
 基板処理装置。
[請求項20]
 請求項18に記載の基板処理装置において、
 前記第1搬送機構、前記第3搬送機構および前記第5搬送機構の少なくともいずれかが前記主搬送機構に基板を渡し、かつ、前記迂回搬送機構は前記主搬送機構に基板を渡さず、
 前記第1搬送機構が前記主搬送機構に基板を渡す場合、前記第1搬送機構は前記第1処理部から前記主搬送機構に基板を搬送し、
 前記第3搬送機構が前記主搬送機構に基板を渡す場合、前記第3搬送機構は前記第3処理部から前記主搬送機構に基板を搬送し、
 前記第5搬送機構が前記主搬送機構に基板を渡す場合、前記第5搬送機構は前記第5処理部から前記主搬送機構に基板を搬送する
 基板処理装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]

[ 図 19]

[ 図 20]

[ 図 21]

[ 図 22]

[ 図 23]