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1. WO2020110679 - 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法

公開番号 WO/2020/110679
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044097
国際出願日 11.11.2019
IPC
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 朱 弘博 ZHU, Hongbo
代理人
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
優先権情報
2018-22348029.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE TRANSISTORISÉ, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE TRANSISTORISÉ
(JA) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
要約
(EN)
The present invention causes a solid-state imaging element that detects an address event to further capture an image. This solid-state imaging element is provided with a photoelectric conversion element, a charge storage unit, a transfer transistor, a detection unit, and a connection transistor. The photoelectric conversion element generates an electric charge by photoelectric conversion. The charge storage unit stores the electric charge and generates voltage corresponding to the amount of the electric charge. The transfer transistor transfers the electric charge from the photoelectric conversion element to the charge storage unit. The detection unit detects whether or not the amount of change in photocurrent corresponding to the amount of the electric charge exceeds a predetermined threshold value. The connection transistor connects the charge storage unit and the detection unit, and passes the photocurrent.
(FR)
La présente invention amène un élément d'imagerie transistorisé qui détecte un événement d'adresse à capturer en plus une image. Un tel élément d'imagerie transistorisé est pourvu d'un élément de conversion photoélectrique, d'une unité de stockage de charge, d'un transistor de transfert, d'une unité de détection et d'un transistor de connexion. L'élément de conversion photoélectrique génère une charge électrique au moyen d'une conversion photoélectrique. L'unité de stockage de charge stocke la charge électrique et génère une tension correspondant à la quantité de la charge électrique. Le transistor de transfert transfère la charge électrique de l'élément de conversion photoélectrique à l'unité de stockage de charge. L'unité de détection détecte si la quantité de variation d'un courant photoélectrique correspondant à la quantité de la charge électrique est supérieure à une valeur seuil prédéterminée. Le transistor de connexion connecte l'unité de stockage de charge à l'unité de détection et fait passer le courant photoélectrique.
(JA)
アドレスイベントを検出する固体撮像素子において、さらに画像を撮像する。 固体撮像素子は、光電変換素子、電荷蓄積部、転送トランジスタ、検出部、および、接続トランジスタを具備する。光電変換素子は、光電変換により電荷を生成する。電荷蓄積部は、電荷を蓄積して電荷の量に応じた電圧を生成する。転送トランジスタは、光電変換素子から電荷蓄積部へ電荷を転送する。検出部は、電荷の量に応じた光電流の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出する。接続トランジスタは、電荷蓄積部と検出部とを接続して光電流を流す。
他の公開
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