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1. WO2020110620 - 半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/110620
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043200
国際出願日 05.11.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 四宮 圭亮 SHINOMIYA Keisuke
代理人
  • 特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES
優先権情報
2018-22121327.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
要約
(EN)
This method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resin layer (13) on a bump forming face (2A) of a member with bumps (2) on which a plurality of bumps (22) are formed, and a step of buffing the resin layer (13) to remove the resin layer (13) that covers the surface of the bumps (22).
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape qui consiste à former une couche de résine (13) sur la surface de formation de bossage (2A) d'un élément (2) pourvu de bossages (2) sur lequel ont été formés une pluralité de bossages (22) ; et une étape qui consiste à polir la couche de résine (13) pour éliminer la couche de résine (13) qui recouvre la surface des bossages (22).
(JA)
複数のバンプ(22)が形成されているバンプ付部材(2)のバンプ形成面(2A)に樹脂層(13)を形成する工程と、樹脂層(13)にバフ研磨を施して、バンプ(22)の表面を覆っている樹脂層(13)を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報