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1. WO2020110619 - 半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/110619
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043199
国際出願日 05.11.2019
IPC
B23K 26/36 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
B23K 26/36
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 四宮 圭亮 SHINOMIYA Keisuke
代理人
  • 特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES
優先権情報
2018-22121227.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device manufacturing method comprising: a step of forming a resin layer (13) on a bump formation surface (2A) of a bumped member (2) on which a plurality of bumps (22) have been formed; and a step of irradiating the resin layer (13) with a laser (LB) to remove the resin layer (13) covering the surface of the bumps (22).
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape qui consiste à former une couche de résine (13) sur la surface de formation de bossage (2A) d'un élément (2) pourvu de bossages sur lequel ont été formés une pluralité de bossages (22) ; et une étape qui consiste à exposer la couche de résine (13) à un rayonnement laser (LB) pour éliminer la couche de résine (13) qui recouvre la surface des bossages (22).
(JA)
複数のバンプ(22)が形成されているバンプ付部材(2)のバンプ形成面(2A)に樹脂層(13)を形成する工程と、樹脂層(13)にレーザー(LB)を照射して、バンプ(22)の表面を覆っている樹脂層(13)を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報