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1. WO2020110534 - 封止方法、封止層、封止層形成用の混合液、封止層の製造方法及び半導体装置

公開番号 WO/2020/110534
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041717
国際出願日 24.10.2019
IPC
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
31配列に特徴のあるもの
C08K 5/057 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5有機配合成分の使用
04酸素含有化合物
05アルコール;金属アルコラート
057金属アルコラート
C08K 9/04 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
9前処理された配合成分の使用
04有機物質で処理された配合成分
C08L 63/00 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
63エポキシ樹脂の組成物;エポキシ樹脂の誘導体の組成物
H01L 21/56 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56封緘,例.封緘層,被覆
CPC
C08K 5/057
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
5Use of organic ingredients
04Oxygen-containing compounds
05Alcohols; Metal alcoholates
057Metal alcoholates
C08K 9/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
9Use of pretreated ingredients
04Ingredients treated with organic substances
C08L 63/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
63Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
出願人
  • コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 志田 有章 SHIDA, Kuniaki
  • 井 宏元 II, Hiromoto
  • 牧島 幸宏 MAKISHIMA, Yukihiro
代理人
  • 特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM
優先権情報
2018-22469730.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEALING METHOD, SEALING LAYER, MIXED LIQUID FOR SEALING LAYER FORMATION, METHOD FOR PRODUCING SEALING LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉTANCHÉITÉ, COUCHE D'ÉTANCHÉITÉ, LIQUIDE MÉLANGÉ POUR FORMATION DE COUCHE D'ÉTANCHÉITÉ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE D'ÉTANCHÉITÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 封止方法、封止層、封止層形成用の混合液、封止層の製造方法及び半導体装置
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing: a sealing method which prevents a semiconductor element and a component that constitute a semiconductor device from corrosion caused by harmful substances; a sealing layer which is used for the sealing method; a mixed liquid which is used for the formation of the sealing layer; a method for producing a sealing layer; and a semiconductor device which uses the sealing method. A sealing method of the present invention for sealing a semiconductor element and a component that constitute a semiconductor device is characterized by forming a sealing layer by any one of (1) a method 1 which uses a composition that contains an epoxy resin and an organic metal oxide, (2) a method 2 which uses a composition that contains an epoxy resin and a filler that is coated with an organic metal oxide, and (3) a method 3 wherein the component is sealed by means of an organic metal oxide, and is subsequently coated with an epoxy resin.
(FR)
La présente invention aborde le problème consistant à fournir : un procédé d'étanchéité qui protège un élément semi-conducteur et un composant qui constituent un dispositif à semi-conducteur contre la corrosion provoquée par des substances nocives ; une couche d'étanchéité qui est utilisée pour le procédé d'étanchéité ; un liquide mélangé qui est utilisé pour la formation de la couche d'étanchéité ; un procédé de production d'une couche d'étanchéité ; et un dispositif à semi-conducteur qui utilise le procédé d'étanchéité. Un procédé d'étanchéité de la présente invention pour étanchéifier un élément semi-conducteur et un composant qui constituent un dispositif à semi-conducteur est caractérisé par la formation d'une couche d'étanchéité par l'un quelconque parmi (1) un procédé 1 qui utilise une composition qui contient une résine époxy et un oxyde métallique organique, (2) un procédé 2 qui utilise une composition qui contient une résine époxy et une charge qui est revêtue d'un oxyde métallique organique, et (3) un procédé 3 dans lequel le composant est étanchéifié au moyen d'un oxyde métallique organique, et est ensuite revêtu d'une résine époxy.
(JA)
本発明の課題は、半導体装置を構成する半導体素子や部品の有害物質からの腐食を防止する封止方法、それに用いる封止層、当該封止層の形成に用いる混合液、封止層の製造方法と、それを用いた半導体装置を提供することである。 本発明の封止方法は、半導体装置を構成する半導体素子及び部品の封止方法であって、(1)エポキシ樹脂と有機金属酸化物とを含有する組成物を用いる方法1、(2)エポキシ樹脂と、有機金属酸化物で被覆されたフィラーとを含有する組成物を用いる方法2、又は(3)前記部品を有機金属酸化物で封止した後、エポキシ樹脂で被覆する方法3のいずれかにより封止層を形成することを特徴とする。
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