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1. WO2020110406 - 酸化膜形成装置

公開番号 WO/2020/110406
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/034881
国際出願日 05.09.2019
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/42 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42けい化物
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
CPC
C23C 16/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
40Oxides
C23C 16/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
42Silicides
C23C 16/455
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社明電舎 MEIDENSHA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 亀田 直人 KAMEDA, Naoto
  • 三浦 敏徳 MIURA, Toshinori
  • 花倉 満 KEKURA, Mitsuru
代理人
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
  • 富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi
  • 鵜澤 英久 UZAWA, Hidehisa
  • 太田 友幸 OTA, Tomoyuki
優先権情報
2018-22508330.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OXIDE FILM FORMING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE PELLICULE D’OXYDE
(JA) 酸化膜形成装置
要約
(EN)
Provided is an oxide film forming device (1) that includes a furnace housing (6a) in which a substrate (8) on which a film is to be formed is disposed and a furnace cover (6b). A mixed gas diffusing part (6c) is provided inside the furnace cover (6b) via a shield plate (12). A mixed gas buffer space (21) is formed in the mixed gas diffusing part (6c). A shower head plate (13) is formed on the mixed gas diffusing part (6c). An ozone gas buffer space (17) is formed in the furnace cover (6b) and the ozone gas buffer space (17) has a gas flow diffusion plate (20). Holes (13a) through which ozone gas passes and holes (13b) through which mixed gas passes are formed in the shower head plate (13). The holes (13a, 13b) are arranged in rectangular grids. The distance between adjacent holes 13a (and adjacent holes 13b) is 1 to 100 mm and the holes (13a, 13b) have a hole diameter of 0.1 to 10 mm.
(FR)
L’invention concerne un dispositif de formation de pellicule d’oxyde (1) qui inclut un logement de four (6a) dans lequel un substrat (8) sur lequel une pellicule doit être formée est disposé et un couvercle de four (6b). Une partie de diffusion de mélange gazeux (6c) est installée à l’intérieur du couvercle de four (6b) par le biais d’une plaque de blindage (12). Un espace tampon de mélange gazeux (21) est formé dans la partie de diffusion de mélange gazeux (6c). Une plaque de tête de douche (13) est formée sur la partie de diffusion de mélange gazeux (6c). Un espace tampon d’ozone gazeux (17) est formé dans le couvercle de four (6b) et l’espace tampon d’ozone gazeux (17) a une plaque de diffusion de flux gazeux (20). Des trous (13a) à travers lesquels l’ozone gazeux passe et des trous (13b) à travers lesquels le mélange gazeux passe sont formés dans la plaque de tête de douche (13). Les trous (13a, 13b) sont agencés dans des grilles rectangulaires. La distance entre des trous (13a) adjacents (et des trous (13b) adjacents) est comprise entre 1 et 100 mm et les trous (13a, 13b) ont un diamètre de trou compris entre 0,1 et 10 mm.
(JA)
被成膜基体(8)が配置される炉筐体(6a)と炉蓋(6b)を備える酸化膜形成装置(1)である。炉蓋(6b)の内側に、遮蔽板(12)を介して混合ガス拡散部(6c)を設ける。混合ガス拡散部(6c)に混合ガスバッファ空間(21)を形成する。混合ガス拡散部(6c)にシャワーヘッド板(13)を設ける。炉蓋(6b)にオゾンガスバッファ空間(17)を形成し、オゾンガスバッファ空間(17)にガス流拡散板(20)を備える。シャワーヘッド板(13)に、オゾンガスが通過する孔(13a)と、混合ガスが通過する孔(13b)を形成する。孔(13a、13b)をそれぞれ矩形格子状に配置する。隣り合う孔13a(および隣り合う孔13b)の距離は1mm以上、100mm以下であり、孔(13a、13b)の穴径は0.1mm以上、10mm以下である。
他の公開
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