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1. WO2020110299 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/110299
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/044221
国際出願日 30.11.2018
IPC
H01L 21/338 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
338ショットキーゲートを有するもの
H01L 29/812 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
80PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812ショットキーゲートを有するもの
CPC
H01L 29/812
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
80with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate ; , i.e. potential-jump barrier
812with a Schottky gate
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山口 裕太郎 YAMAGUCHI, Yutaro
  • 大塚 友絢 OTSUKA, Tomohiro
  • 半谷 政毅 HANGAI, Masatake
  • 新庄 真太郎 SHINJO, Shintaro
代理人
  • 田澤 英昭 TAZAWA, Hideaki
  • 濱田 初音 HAMADA, Hatsune
  • 中島 成 NAKASHIMA, Nari
  • 坂元 辰哉 SAKAMOTO, Tatsuya
  • 辻岡 将昭 TSUJIOKA, Masaaki
  • 井上 和真 INOUE, Kazuma
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device comprising a plurality of gate fingers (2-1 - 2-8) extending symmetrically from both sides of a gate connection part (2a-1 - 2a-3), a drain electrode (3-1, 3-2) adjacent to both of the gate fingers (2-1 - 2-8) extending from both sides of the gate connection part (2a-1 - 2a-3), and a plurality of source electrodes (4-1 - 4-6) adjacent to the gate fingers (2-1 - 2-8) extending from both sides of the gate connection part (2a-1 - 2a-3), wherein a gate air bridge (8-1 - 8-3) connects the gate connection part (2a-1 - 2a-3) to a gate routing line (6) over a source electrode (4-2, 4-4, 4-6).
(FR)
La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant une pluralité de doigts de grille (2-1 - 2-8) partant symétriquement des deux côtés d'une partie de connexion de grille (2a-1 - 2a3), une électrode drain (3-1, 3-2) adjacente aux deux doigts de grille (2-1 - 2-8) partant des deux côtés de la partie de connexion de grille (2a-1 - 2a-3), et une pluralité d'électrodes source (4-1 - 4-6) adjacentes aux doigts de grille (2-1 - 2-8) partant des deux côtés de la partie de connexion de grille (2a-1 - 2a-3), un pont aérien de grille (8-1 - 8-3) connectant la partie de connexion de grille (2a-1 - 2a3) à une ligne de routage de grille (6) au-dessus d'une électrode source (4-2, 4-4, 4-6).
(JA)
ゲート接続部(2a-1~2a-3)の両側から対称的に延びた複数のゲートフィンガー(2-1~2-8)と、ゲート接続部(2a-1~2a-3)の両側から延びたゲートフィンガー(2-1~2-8)の両方に隣接しているドレイン電極(3-1,3-2)と、ゲート接続部(2a-1~2a-3)の両側から延びたゲートフィンガー(2-1~2-8)に個々に隣接している複数のソース電極(4-1~4-6)とを備え、ゲートエアブリッジ(8-1~8-3)が、ソース電極(4-2,4-4,4-6)を跨いでゲート接続部(2a-1~2a-3)とゲート引き回し線路(6)とを接続している。
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