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1. WO2020110271 - 接合体及び半導体装置の製造方法、並びに接合用銅ペースト

公開番号 WO/2020/110271
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/044068
国際出願日 29.11.2018
IPC
C23C 20/04 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
20固体化合物または懸濁物のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの
02金属質材料による被覆
04金属によるもの
H01L 21/52 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
CPC
C23C 20/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
20Chemical coating by decomposition of either solid compounds or suspensions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating
02Coating with metallic material
04with metals
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
出願人
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 川名 祐貴 KAWANA Yuki
  • 中子 偉夫 NAKAKO Hideo
  • 根岸 征央 NEGISHI Motohiro
  • 須鎌 千絵 SUGAMA Chie
  • 江尻 芳則 EJIRI Yoshinori
  • 谷中 勇一 YANAKA Yuichi
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING BONDED OBJECT AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND COPPER BONDING PASTE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'OBJET COLLÉ ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PÂTE DE COLLAGE DE CUIVRE
(JA) 接合体及び半導体装置の製造方法、並びに接合用銅ペースト
要約
(EN)
An embodiment of the present invention provides a method for producing a bonded object wherein: the method comprises a step for preparing a laminate in which a first member, a copper bonding paste, and a second member are laminated in said order and a step for sintering the copper bonding paste under a pressure of 0.1-1 MPa; the copper bonding paste contains metal particles and a dispersion medium; the content of metal particles is at least 50 mass% with respect to the total mass of the copper bonding paste; and the metal particles contain at least 95 mass% of submicro copper particles with respect to the total mass of the metal particles.
(FR)
Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un objet collé, ledit procédé comprenant une étape de préparation d'un stratifié dans laquelle un premier élément, une pâte de collage de cuivre, et un second élément sont stratifiés dans cet ordre, et une étape de frittage de la pâte de collage de cuivre sous une pression de 0,1-1 MPa ; la pâte de collage de cuivre contient des particules métalliques et un milieu de dispersion ; la teneur en particules métalliques est d'au moins 50% en masse rapporté à la masse totale de la pâte de collage de cuivre ; et les particules métalliques contiennent au moins 95% en masse de particules de sous-micro cuivre rapporté à la masse totale des particules métalliques.
(JA)
本発明の一態様は、第一の部材、接合用銅ペースト、及び第二の部材がこの順に積層されている積層体を用意する工程と、接合用銅ペーストを、0.1~1MPaの圧力を受けた状態で焼結する工程と、を備え、接合用銅ペーストは、金属粒子及び分散媒を含有し、金属粒子の含有量が、接合用銅ペーストの全質量を基準として、50質量%以上であり、金属粒子が、前記金属粒子の全質量を基準として、95質量%以上のサブマイクロ銅粒子を含有する、接合体の製造方法を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報