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1. WO2020110258 - ポリッシングパッドおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/110258
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/043989
国際出願日 29.11.2018
IPC
B24B 37/24 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
11ラップ工具
20平面を加工するためのラッピングパッド
24パッドの材料の組成または特性に特徴のあるもの
B24B 37/26 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
11ラップ工具
20平面を加工するためのラッピングパッド
26ラッピングパッドの表面の形状,例.溝切りに特徴のあるもの
B24D 11/06 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
D研削,バフ加工,または刃砥ぎ用工具
11可撓性研磨素材の構造的特徴;そのような素材の製造における特徴
06素材の端を接合したもの,例.研磨ベルトを作るためのもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 37/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
24characterised by the composition or properties of the pad materials
B24B 37/26
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
26characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
B24D 11/06
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING
11Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
06Connecting the ends of materials, e.g. for making abrasive belts
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社大輝 DAIKI CO.,LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 大石 邦晴 OISHI Kuniharu
  • 海野 達広 UNNO Tatsuhiro
代理人
  • 久米川 正光 KUMEGAWA Masamitsu
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TAMPON DE POLISSAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ポリッシングパッドおよびその製造方法
要約
(EN)
Provided is a polishing pad the size of which can be set freely and which is easily attachable to a polishing device. A polishing pad (1) comprises a plurality of pad pieces (3a–3f), a plurality of joining sections, and a plurality of groove sections (2). Each of the pad pieces (3a–3f) has a planar shape obtained by dividing the polishing pad (1) into a plurality of regions, and the combination of the pad pieces (3a–3f) as a whole forms a polishing layer. The joining sections are disposed along joining boundaries (B) of the pad pieces (3a–3f) and join end surfaces of neighboring pad pieces to sections which can't be integrated. The plurality of groove sections (2) are recessed in stripe shapes in the surface of the polishing layer, and at least a portion thereof correspond positionally to the joining boundaries (B) (joining sections).
(FR)
L'invention concerne un tampon de polissage dont la taille peut être réglée librement, et qui peut être facilement fixé à un dispositif de polissage. Un tampon de polissage (1) comprend une pluralité de pièces de tampon (3a-3f), une pluralité de sections de jonction et une pluralité de sections de rainure (2). Chacune des pièces de tampon (3a-3f) a une forme plane obtenue en divisant le tampon de polissage (1) en une pluralité de régions, et la combinaison des pièces de tampon (3a-3f), en un tout, forme une couche de polissage. Les sections de jonction sont disposées le long de limites de jonction (B) des pièces de tampon (3a-3f) et relient des surfaces d'extrémité de pièces de tampon voisines à des sections qui ne peuvent pas être intégrées. La pluralité de sections de rainure (2) sont évidées dans des formes de bande dans la surface de la couche de polissage, et au moins une partie de celles-ci correspond, en position, aux limites de jonction (B) (sections de jonction).
(JA)
任意のサイズを設定でき、かつ、研磨装置への取り付けが容易なポリッシングパッドを提供する。ポリッシングパッド(1)は、複数のパッド片(3a~3f)と、複数の接合部と、複数の溝部(2)とを有する。パッド片(3a~3f)は、ポリッシングパッド(1)を複数の領域に分割した面形状をそれぞれが有し、これらを組み合わせることによって、全体として研磨層を構成する。接合部は、パッド片(3a~3f)の接合境界(B)に沿って設けられ、隣り合ったパッド片の端面同士を一体不可分に接合する。複数の溝部(2)は、研磨層の表面に筋状に陥没して設けられ、少なくとも一部が、接合境界(B)(接合部)と位置的に対応している。
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