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1. WO2020110195 - 結合ループ回路、ノイズフィルタ回路及び回路生成方法

公開番号 WO/2020/110195
公開日 04.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/043557
国際出願日 27.11.2018
IPC
H03H 7/09 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
7回路網の部品として受動的電気素子のみを含む多端子対回路網
01周波数選択二端子対回路網
09相互インダクタンスを含む濾波器
H01F 17/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
F磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
17信号用の固定インダクタンス
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
CPC
H01F 17/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
17Fixed inductances of the signal type
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H03H 7/09
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
7Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
01Frequency selective two-port networks
09Filters comprising mutual inductance
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 米田 諭 YONEDA, Satoshi
  • 廣瀬 健二 HIROSE, Kenji
代理人
  • 田澤 英昭 TAZAWA, Hideaki
  • 濱田 初音 HAMADA, Hatsune
  • 中島 成 NAKASHIMA, Nari
  • 坂元 辰哉 SAKAMOTO, Tatsuya
  • 辻岡 将昭 TSUJIOKA, Masaaki
  • 井上 和真 INOUE, Kazuma
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COUPLING LOOP CIRCUIT, NOISE FILTER CIRCUIT, AND CIRCUIT GENERATION METHOD
(FR) CIRCUIT DE BOUCLE DE COUPLAGE, CIRCUIT DE FILTRE DE BRUIT ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE CIRCUIT
(JA) 結合ループ回路、ノイズフィルタ回路及び回路生成方法
要約
(EN)
A coupling loop circuit (10) is configured such that: a sixth conductor (16) is made to cross a second conductor (12) at a different level; an eighth conductor (18) is made to cross each of the second conductor (12) and a fourth conductor (14) at a different level; a first loop area (61) and a second loop area (62) overlap one another spatially; and an overlapping area (63), which is an overlap between the first loop area (61) and the second loop area (62), is formed by the second conductor (12), the fourth conductor (14), the sixth conductor (16), and the eighth conductor (18).
(FR)
Circuit de boucle de couplage (10) conçu de telle sorte que : un sixième conducteur (16) est amené à croiser un second conducteur (12) à un niveau différent ; un huitième conducteur (18) est amené à croiser le deuxième conducteur (12) et un quatrième conducteur (14) respectivement à un niveau différent ; une première zone de boucle (61) et une seconde zone de boucle (62) se chevauchent spatialement ; et une zone de chevauchement (63), qui est un chevauchement entre la première zone de boucle (61) et la seconde zone de boucle (62), est formée par le second conducteur (12), le quatrième conducteur (14), le sixième conducteur (16) et le huitième conducteur (18).
(JA)
第6の導体(16)が、第2の導体(12)と立体交差され、第8の導体(18)が、第2の導体(12)及び第4の導体(14)のそれぞれと立体交差され、第1のループ領域(61)と第2のループ領域(62)とが空間的に重なっており、第1のループ領域(61)と第2のループ領域(62)との重なり領域(63)が、第2の導体(12)、第4の導体(14)、第6の導体(16)及び第8の導体(18)によって形成されているように、結合ループ回路(10)を構成した。
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