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1. WO2020105734 - セラミックス-銅複合体、セラミックス-銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール

公開番号 WO/2020/105734
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045833
国際出願日 22.11.2019
IPC
C04B 37/02 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
37焼成セラミック物品と他の焼成セラミック物品または他の物品との加熱による接合
02金属物品との
H01L 23/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
14材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H01L 23/15 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
14材料またはその電気特性に特徴のあるもの
15セラミックまたはガラス基板
H05K 3/38 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3印刷回路を製造するための装置または方法
38絶縁基体と金属間の接着の改良
CPC
C04B 37/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
37Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
02with metallic articles
H01L 23/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
H01L 23/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
15Ceramic or glass substrates
H05K 3/38
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
出願人
  • デンカ株式会社 DENKA COMPANY LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 湯浅 晃正 YUASA Akimasa
  • 中村 貴裕 NAKAMURA Takahiro
  • 森田 周平 MORITA Shuhei
  • 西村 浩二 NISHIMURA Koji
代理人
  • 速水 進治 HAYAMI Shinji
優先権情報
2018-21896422.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CERAMIC-COPPER COMPOSITE, METHOD FOR PRODUCING CERAMIC-COPPER COMPOSITE, CERAMIC CIRCUIT BOARD, AND POWER MODULE
(FR) COMPOSITE CÉRAMIQUE-CUIVRE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSITE CÉRAMIQUE-CUIVRE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ CÉRAMIQUE, ET MODULE DE PUISSANCE
(JA) セラミックス-銅複合体、セラミックス-銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール
要約
(EN)
Provided is a flat ceramic-copper composite equipped with a ceramic layer, a copper layer, and a brazing material layer present between the ceramic layer and the copper layer. The average crystal grain size D1 of copper crystals present at least partially in region P1 within 50 μm on the copper-layer side from the interface of the ceramic layer and the brazing material layer in region P is 30-100 μm, where the region P is a region having a length of 1700 μm in the lengthwise direction on a cut surface obtained by cutting the ceramic-copper composite along a plane perpendicular to the main surface.
(FR)
L'invention concerne un composite céramique-cuivre plat muni d'une couche de céramique, d'une couche de cuivre et d'une couche de matériau de brasage présente entre la couche de céramique et la couche de cuivre. La taille moyenne D1 des grains cristallins de cristaux de cuivre présents au moins partiellement dans la région P1 à 50 µm du côté couche de cuivre à partir de l'interface de la couche de céramique et de la couche de matériau de brasage dans la région P est comprise entre 30 et 100 µm, la région P étant une région ayant une longueur de 1 700 µm dans la direction longitudinale sur une surface de coupe obtenue par découpe du composite céramique-cuivre le long d'un plan perpendiculaire à la surface principale.
(JA)
セラミックス層と、銅層と、セラミックス層と銅層の間に存在するろう材層とを備えた、平板状のセラミックス-銅複合体。ここで、このセラミックス-銅複合体を、その主面に垂直な面で切断したときの切断面における、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域Pとしたとき、領域Pにおける、セラミックス層とろう材層との界面から銅層側に50μm以内の領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1は、30μm以上100μm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報