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1. WO2020105676 - スパッタリングターゲット

公開番号 WO/2020/105676
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045407
国際出願日 20.11.2019
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C22C 1/04 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
1非鉄合金の製造
04粉末冶金によるもの
C22C 12/00 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
12アンチモンまたはビスマスを基とする合金
C22C 28/00 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
28グループC22C5/00~C22C27/00に分類されない金属を基とする合金
C22C 30/00 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
30各成分を50重量%未満含有する合金
CPC
C22C 1/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
1Making alloys
04by powder metallurgy
C22C 12/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
12Alloys based on antimony or bismuth
C22C 28/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
28Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
C22C 30/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
30Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
出願人
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 林 雄二郎 HAYASHI Yujiro
  • 近藤 佑一 KONDO Yuichi
  • 小路 雅弘 SHOJI Masahiro
代理人
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 寺本 光生 TERAMOTO Mitsuo
  • 細川 文広 HOSOKAWA Fumihiro
  • 大浪 一徳 ONAMI Kazunori
優先権情報
2018-21717720.11.2018JP
2019-20786518.11.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリングターゲット
要約
(EN)
A sputtering target according to the present invention contains Ge, Sb, and Te; has a high-oxygen region (11) having a high oxygen concentration and a low-oxygen region (12) having an oxygen concentration that is lower than in the high-oxygen region (11); and has a structure in which the low-oxygen region (12) is dispersed in island form in a matrix of the high-oxygen region (11). Voids with a diameter of 0.5-5.0 μm may be present in the sputtering target in the range of 2-10 in an area of 0.12 mm2 for the average density.
(FR)
Une cible de pulvérisation cathodique selon la présente invention contient du Ge, du Sb et du Te. Ladite cible une région à haute teneur en oxygène (11) ayant une concentration élevée en oxygène et une région à faible teneur en oxygène (12) ayant une concentration en oxygène qui est inférieure à celle dans la région à haute teneur en oxygène (11). De plus, ladite cible a une structure dans laquelle la région à faible teneur en oxygène (12) est dispersée sous forme d'îlot dans une matrice de la région à haute teneur en oxygène (11). Des vides ayant un diamètre de 0,5 à 5,0 µm peuvent être présents dans la cible de pulvérisation dans la plage de 2 à 10 sur une surface de 0,12 mm2 pour la densité moyenne.
(JA)
このスパッタリングターゲットは、GeとSbとTeを含有し、酸素濃度が高い高酸素領域(11)と、この高酸素領域(11)よりも酸素濃度が低い低酸素領域(12)とを有し、高酸素領域(11)のマトリックス内に、低酸素領域(12)が島状に分散した組織を有する。スパッタリングターゲット中には、直径0.5μm以上5.0μm以下の空隙が、平均密度として、0.12mmの範囲内に2個以上かつ10個以下の範囲内で存在していてもよい。
他の公開
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