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1. WO2020105648 - 半導体素子中間体、及び半導体素子中間体の製造方法

公開番号 WO/2020/105648
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045323
国際出願日 19.11.2019
IPC
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
C23C 16/40 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
出願人
  • 三井化学株式会社 MITSUI CHEMICALS, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 和知 浩子 WACHI, Hiroko
  • 田中 博文 TANAKA, Hirofumi
  • 茅場 靖剛 KAYABA, Yasuhisa
  • 藤井 謙一 FUJII, Kenichi
代理人
  • 中島 淳 NAKAJIMA, Jun
  • 加藤 和詳 KATO, Kazuyoshi
  • 福田 浩志 FUKUDA, Koji
優先権情報
2018-21949822.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT INTERMEDIATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT INTERMEDIATE
(FR) INTERMÉDIAIRE D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'INTERMÉDIAIRE D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子中間体、及び半導体素子中間体の製造方法
要約
(EN)
A method for producing a semiconductor element intermediate, which comprises: a preparation step for preparing a substrate that has a recessed part in the surface; and a filling step wherein the recessed part is filled with tin oxide by an atomic layer deposition method with use of a tin oxide precursor that contains a compound represented by general formula (1), while maintaining the temperature of the substrate at 250°C or higher. In general formula (1), each of R1-R4 independently represents an alkyl group having 1-6 carbon atoms.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de production d'un intermédiaire d'élément semi-conducteur qui comprend : une étape de préparation consistant à préparer un substrat qui comporte une partie évidée à la surface ; et une étape de remplissage lors de laquelle la partie évidée est remplie d'oxyde d'étain par un procédé de dépôt de couche atomique à l'aide d'un précurseur d'oxyde d'étain qui contient un composé représenté par la formule générale (1), tout en maintenant la température du substrat à 250 °C ou plus. Dans la formule générale (1), chacun de R1 à R4 représente indépendamment un groupe alkyle comprenant 1 à 6 atomes de carbone.
(JA)
凹部を表面に有する基板を準備する準備工程と、前記基板の温度を250℃以上とし、原子層堆積法により、下記一般式(1)で表される化合物を含む酸化スズ前駆体を用いて、上記凹部に酸化スズを充填する充填工程と、を含む半導体素子中間体の製造方法。 一般式(1)中、R~Rは、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。
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