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1. WO2020105634 - 固体撮像装置および電子機器

公開番号 WO/2020/105634
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045276
国際出願日 19.11.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 古屋 晶吾 FURUYA, Shogo
  • 坂野 頼人 SAKANO, Yorito
  • 高橋 了 TAKAHASHI, Ryo
  • 鈴木 篤 SUZUKI, Atsushi
  • 吉川 良一 YOSHIKAWA, Ryoichi
  • 末永 淳 SUENAGA, Jun
  • 古賀 慎一 KOGA, Shinichi
  • 千葉 洋平 CHIBA, Yohei
  • 塩山 正真 SHIOYAMA, Tadamasa
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2018-21634219.11.2018JP
2019-20678515.11.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置および電子機器
要約
(EN)
Provided is a solid-state imaging device which has a structure suitable for high integration. This solid-state imaging device includes a semiconductor layer, a photoelectric conversion unit, a storage capacitor element, and a first transistor. The photoelectric conversion unit is provided on the semiconductor layer and generates charge by photoelectric conversion according to the amount of light received . The storage capacitor element is provided on the semiconductor layer and has a first insulating film that has a first electrical thickness. The first transistor is provided on the semiconductor layer and has a second insulating film that has a second electrical thickness that is thicker than the first electrical thickness.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ayant une structure se prêtant à une intégration élevée. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend une couche semi-conductrice, une unité de conversion photoélectrique, un élément condensateur de stockage et un premier transistor. L'unité de conversion photoélectrique est placée sur la couche semi-conductrice et génère une charge par conversion photoélectrique suivant la quantité de lumière reçue. L'élément condensateur de stockage est placé sur la couche semi-conductrice et comporte un premier film isolant qui présente une première épaisseur électrique. Le premier transistor est placé sur la couche semi-conductrice et comporte un second film isolant qui présente une seconde épaisseur électrique supérieure à la première épaisseur électrique.
(JA)
高集積化に適した構造を有する固体撮像装置を提供する。この固体撮像装置は、半導体層と、光電変換部と、蓄積容量素子と、第1のトランジスタとを備える。光電変換部は、半導体層に設けられ、受光量に応じた電荷を光電変換により生成する。蓄積容量素子は、半導体層に設けられ、第1の電気的膜厚を有する第1の絶縁膜を含む。第1のトランジスタは、半導体層に設けられ、第1の電気的膜厚よりも厚い第2の電気的膜厚を有する第2の絶縁膜を含む。
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