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1. WO2020105605 - 銅および銅合金を選択的にエッチングするためのエッチング液およびそれを用いた半導体基板の製造方法

公開番号 WO/2020/105605
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045158
国際出願日 19.11.2019
IPC
C23F 1/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1化学的手段による金属質材料のエッチング
10エッチング組成物
14水溶液組成物
16酸性組成物
18銅または銅合金をエッチングするためのもの
H01L 21/308 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308マスクを用いるもの
CPC
C23F 1/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
10Etching compositions
14Aqueous compositions
16Acidic compositions
18for etching copper or alloys thereof
H01L 21/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
出願人
  • 三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 深澤 隼 FUKAZAWA Shun
  • 藤井 智子 FUJII Tomoko
  • 松永 裕嗣 MATSUNAGA Hiroshi
代理人
  • 小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi
  • 杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa
  • 田村 恭子 TAMURA Kyoko
  • 鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito
優先権情報
2018-21706720.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHANT FOR SELECTIVELY ETCHING COPPER AND COPPER ALLOY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING SAID ETCHANT
(FR) AGENT DE GRAVURE POUR LA GRAVURE SÉLECTIVE DE CUIVRE ET D'ALLIAGE DE CUIVRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT AGENT DE GRAVURE
(JA) 銅および銅合金を選択的にエッチングするためのエッチング液およびそれを用いた半導体基板の製造方法
要約
(EN)
The present invention relates to an etchant capable of selectively etching copper and a copper alloy while suppressing dissolution of nickel, tin, gold, and an alloy thereof. This etchant is characterized by including: (A) 5-10.5% by mass of hydrogen peroxide with respect to the total mass of the etchant; (B) 0.3-6% by mass of nitric acid with respect to the total mass of the etchant; (C) one or more nitrogen-containing 5-membered ring compounds selected from the group consisting of triazoles and tetrazoles, which may have one or more substituents selected from the group consisting of substituted amino groups having a C1-6 alkyl group, an amino group, and a substituent selected from the group consisting of a C1-6 alkyl group and a phenyl group; and (D) (d1) one or more pH adjusters selected from the group consisting of an alkali metal hydroxide, ammonia, an amine, and an ammonium salt, (d2) a phosphonic acid compound, or (d3) a combination of (d1) and (d2).
(FR)
La présente invention concerne un agent de gravure apte à graver sélectivement le cuivre et un alliage de cuivre tout en supprimant une dissolution de nickel, d'étain, d'or et d'un alliage de ceux-ci. Cet agent de gravure est caractérisé en ce qu'il comprend : (A) 5 à 10,5 % en masse de peroxyde d'hydrogène par rapport à la masse totale de l'agent de gravure; (B) 0,3 à 6 % en masse d'acide nitrique par rapport à la masse totale de l'agent de gravure; (C) un ou plusieurs composés cycliques à 5 chaînons contenant de l'azote choisis dans le groupe constitué de triazoles et de tétrazoles, qui peuvent avoir un ou plusieurs substituants choisis dans le groupe constitué de groupements amines substitués ayant un groupement alkyle en C1-6, d'un groupement amine et d'un substituant choisi dans le groupe constitué d'un groupement alkyle en C1-6 et d'un groupement phényle; et (D) (d1) un ou plusieurs ajusteurs de pH choisis dans le groupe constitué d'un hydroxyde de métal alcalin, d'ammoniac, d'une amine et d'un sel d'ammonium, (d2) un composé d'acide phosphonique, ou (d3) une combinaison de (d1) et (d2).
(JA)
本発明は、ニッケル、錫、金およびこれらの合金の溶解を抑制しつつ、銅および銅合金を選択的にエッチングすることができるエッチング液に関する。本発明のエッチング液は、(A)過酸化水素をエッチング液の全質量に対して5~10.5質量%、(B)硝酸をエッチング液の全質量に対して0.3~6質量%、(C)炭素数1~6のアルキル基、アミノ基、ならびに炭素数1~6のアルキル基およびフェニル基からなる群より選択される置換基を有する置換アミノ基からなる群より選択される1種以上の置換基を有していてもよい、トリアゾールおよびテトラアゾールからなる群より選択される1種以上の含窒素5員環化合物、ならびに(D)(d1)アルカリ金属水酸化物、アンモニア、アミンおよびアンモニウム塩からなる群より選択される1種以上のpH調整剤、(d2)ホスホン酸化合物、または(d3)これらの組み合わせを含むことを特徴とする。
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