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1. WO2020105596 - 駆動回路及び電子デバイス

公開番号 WO/2020/105596
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045128
国際出願日 18.11.2019
予備審査請求日 01.05.2020
IPC
G11C 7/22 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
7デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構
22読出し-書込みのタイミング,またはクロック回路;読出し-書込み制御信号発生器または管理
G11C 8/08 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
8デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構
08ワード線制御回路,例.ワード線用のドライバ,ブースター,プルアップ回路,プルダウン回路,プリチャージ回路
G11C 16/08 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
16消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02電気的にプログラム可能なもの
06周辺回路,例.メモリへの書込み用
08アドレス回路;デコーダ;ワード線制御回路
G11C 16/32 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
16消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02電気的にプログラム可能なもの
06周辺回路,例.メモリへの書込み用
32タイミング回路
CPC
G11C 16/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
08Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
G11C 16/32
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
32Timing circuits
G11C 7/22
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
G11C 8/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
08Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
出願人
  • 国立大学法人静岡大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 丹沢 徹 TANZAWA Toru
  • 松山 和樹 MATSUYAMA Kazuki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 諏澤 勇司 SUZAWA Yuji
優先権情報
2018-21713620.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRIVE CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIRCUIT D'EXCITATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 駆動回路及び電子デバイス
要約
(EN)
A NAND flash memory 1 according to one embodiment includes a memory array 11; a detection circuit 17; and a drive circuit 19. The drive circuit 19 is a circuit for driving, via a linear word line WL connected to a plurality of memory cells which are arranged linearly, the plurality of memory cells. The drive circuit 19 is provided with the function of generating, at a timing corresponding to a rise of a voltage signal at which the voltage signal is raised in a step-like manner by a level corresponding to voltage value E, a drive voltage to which a prepulse having a predetermined peak value αE is set, and applying the drive voltage to the word line WL; and the function of detecting a voltage value of a predetermined point of the word line WL, and setting a duration of the prepulse according to the detected voltage value.
(FR)
Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une mémoire flash NON-ET 1 qui comprend un réseau de mémoire 11 ; un circuit de détection 17 ; et un circuit d'excitation 19. Le circuit d'excitation 19 est un circuit pour exciter, par l'intermédiaire d'une ligne de mots linéaire WL connectée à une pluralité de cellules de mémoire qui sont agencées de façon linéaire, la pluralité de cellules de mémoire. Le circuit d'excitation 19 est pourvu de la fonction de génération, à un instant correspondant à une élévation d'un signal de tension auquel le signal de tension est élevé de manière étagée par un niveau correspondant à la valeur de tension E, une tension d'excitation à laquelle une pré-impulsion comprenant une valeur de pic prédéterminée αE est établie, et l'application de la tension d'excitation à la ligne de mots WL ; et la fonction de détection d'une valeur de tension d'un point prédéterminé de la ligne de mots WL, et le réglage d'une durée de la pré-impulsion selon la valeur de tension détectée.
(JA)
一形態にかかるNANDフラッシュメモリ1は、メモリアレイ11と、検出回路17と駆動回路19とを含む。駆動回路19は、直線的に配列された複数のメモリセルに接続される直線状のワード線WLを介して、複数のメモリセルを駆動する回路であって、ステップ状に電圧値Eほど立ち上がる電圧信号の立ち上りに対応するタイミングにおいて、所定波高値αEのプリパルスが設定された駆動電圧を生成し、その駆動電圧をワード線WLに印加する機能と、ワード線WLの所定箇所の電圧値を検出し、検出した電圧値に応じてプリパルスの時間幅を設定する機能とを備える。
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