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1. WO2020105591 - Cr-Si系焼結体

公開番号 WO/2020/105591
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045113
国際出願日 18.11.2019
IPC
C04B 35/58 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
515非酸化物を基とするもの
58ほう化物,窒化物またはけい化物を基とするもの
C01B 33/06 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
06金属けい化物
C04B 35/626 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
622製造方法;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理方法
626個々のまたは一括しての粉末の製造または処理
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C01B 33/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
06Metal silicides
C04B 35/58
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
515based on non-oxide ceramics
58based on borides, nitrides, ; i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides; or silicides
C04B 35/626
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
626Preparing or treating the powders individually or as batches
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
出願人
  • 東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 原浩之 HARA Hiroyuki
  • 倉持 豪人 KURAMOCHI Hideto
  • 伊藤 謙一 ITOH Kenichi
優先権情報
2018-21883222.11.2018JP
2019-10866111.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CR-SI SINTERED BODY
(FR) CORPS FRITTÉ EN CR-SI
(JA) Cr-Si系焼結体
要約
(EN)
It is difficult for a Cr-Si sintered body made from chromium silicide (CrSi2) and silicon (Si) to have high strength. Provided is a Cr-Si sintered body including chromium (Cr) and silicon (Si), the Cr-Si sintered body being characterized in that the crystal structure assigned by x-ray diffraction is configured from chromium silicide (CrSi2) and silicon (Si), a CrSi2 phase is present at 60 wt.% or higher in bulk, the sintered body density is 95% or higher, and the average grain size of the CrSi2 phase is 60 μm or lower.
(FR)
Il est difficile pour un corps fritté en Cr-Si à base de siliciure de chrome (CrSi2) et de silicium (Si) d'avoir une résistance élevée. L'invention concerne un corps fritté en Cr-Si comprenant du chrome (Cr) et du silicium (Si), le corps fritté en Cr-Si étant caractérisé en ce que la structure cristalline attribuée par diffraction des rayons x est constituée de siliciure de chrome (CrSi2) et de silicium (Si), une phase de CrSi2 est présente à 60 % en poids ou plus en masse, la densité du corps fritté est de 95 % ou plus, et la taille moyenne des grains de la phase de CrSi2 est de 60 µm ou moins.
(JA)
クロムシリサイド(CrSi)、シリコン(Si)からなるCr-Si系焼結体は高強度が困難である。 Cr(クロム)、シリコン(Si)を含むCr-Si系焼結体であり、X線回折で帰属される結晶構造がクロムシリサイド(CrSi)、シリコン(Si)から構成され、CrSi相がバルク中に60wt%以上存在し、焼結体密度が95%以上であり、CrSi相の平均粒径が60μm以下であることを特徴とするCr-Si系焼結体を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報