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1. WO2020105556 - 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/105556
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044875
国際出願日 15.11.2019
IPC
H01L 23/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H01L 21/56 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56封緘,例.封緘層,被覆
CPC
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 藤野 純司 FUJINO Junji
  • 小川 翔平 OGAWA Shohei
  • 松井 智香 MATSUI Chika
  • 宮本 昇 MIYAMOTO Noboru
  • 大島 功 OSHIMA Isao
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-21835221.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法
要約
(EN)
The present invention makes a polishing step by which resin adhered to two heat dissipation surfaces is removed to expose the two heat dissipation surfaces unnecessary, improving productivity and reliability of this semiconductor device. Also, leakage of a liquid sealing material is suppressed. The semiconductor device comprises a first heat dissipation member, a frame member, a second heat dissipation member, a semiconductor element, and a sealing resin part. The first heat dissipation member is buried in the frame member. The frame member comprises a frame shaped part and a positioning unit. The positioning unit is inside the frame shaped part. The second heat dissipation member contacts the positioning unit, and is positioned by the positioning unit. A first heat dissipation surface of the first heat dissipation member and a second heat dissipation surface of the second heat dissipation member face in mutually opposite directions, and are exposed to the outside. The semiconductor element is sandwiched by the first heat dissipation member and the second heat dissipation member. The sealing resin part fills the gap between the frame member and the second heat dissipation member.
(FR)
La présente invention réalise une étape de polissage par laquelle la résine collée à deux surfaces de dissipation de chaleur est retirée pour exposer les deux surfaces de dissipation de chaleur inutiles, améliorant la productivité et la fiabilité de ce dispositif à semi-conducteur. De plus, la fuite d'un matériau d'étanchéité liquide est supprimée. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier élément de dissipation de chaleur, un élément de cadre, un second élément de dissipation de chaleur, un élément semi-conducteur et une partie de résine d'étanchéité. Le premier élément de dissipation de chaleur est enfoui dans l'élément de cadre. L'élément de cadre comprend une partie en forme de cadre et une unité de positionnement. L'unité de positionnement est à l'intérieur de la partie en forme de cadre Le second élément de dissipation de chaleur entre en contact avec l'unité de positionnement, et est positionné par l'unité de positionnement. Une première surface de dissipation de chaleur du premier élément de dissipation de chaleur et une seconde surface de dissipation de chaleur du second élément de dissipation de chaleur se font face dans des directions mutuellement opposées, et sont exposées à l'extérieur. L'élément semi-conducteur est pris en sandwich par le premier élément de dissipation de chaleur et le second élément de dissipation de chaleur. La partie de résine d'étanchéité remplit l'espace entre l'élément de cadre et le second élément de dissipation de chaleur.
(JA)
2個の放熱面に付着した樹脂を除去し2個の放熱面を露出させる研磨工程を不要とし、半導体装置の生産性及び信頼性を向上する。また、液体封止材の漏れ出しを抑制する。半導体装置は、第1の放熱部材、枠部材、第2の放熱部材、半導体素子及び封止樹脂部を備える。第1の放熱部材は、枠部材に埋設されている。枠部材は、枠状部及び位置決め部を備える。位置決め部は、枠状部の内側にある。第2の放熱部材は、位置決め部に当たり、位置決め部により位置決めされる。第1の放熱部材の第1の放熱面及び第2の放熱部材の第2の放熱面は、互いに反対の方向を向き、外部に露出する。半導体素子は、第1の放熱部材と第2の放熱部材とに挟まれる。封止樹脂部は、枠部材と第2の放熱部材との間隙を充填する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報