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1. WO2020105523 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/105523
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044494
国際出願日 13.11.2019
IPC
C08F 220/28 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
26カルボキシ酸素以外の酸素を含有するエステル
28アルコール残基中に芳香族環をもたないもの
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C08F 220/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
28containing no aromatic rings in the alcohol moiety
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 丹呉 直紘 TANGO Naohiro
  • 王 惠瑜 OU Keiyu
  • 高橋 秀知 TAKAHASHI Hidenori
  • 後藤 研由 GOTO Akiyoshi
代理人
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
優先権情報
2018-21958222.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACTIVE RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS OU AU RAYONNEMENT ACTIFS, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a resist film having excellent post-exposure delay stability. Another purpose of the present invention is to provide: a resist film using the active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; a pattern forming method; and a method for manufacturing an electronic device. This active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising: a resin X having a specific structure; a resin Y having a specific structure; a compound producing an acid by being irradiated with active rays or radiation; and a solvent. The receding contact angle, to water, of a film formed by using the active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is 73° or greater.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir une composition de résine sensible aux rayons ou au rayonnement actifs, capable de former un film de réserve ayant une excellente stabilité de retard post-exposition. L'invention vise également à fournir un film de réserve qui utilise la composition de résine sensible aux rayons ou au rayonnement actifs, un procédé de formation de motif, et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Cette composition de résine sensible aux rayons actifs ou sensible au rayonnement actif est une composition de résine sensible aux rayons actifs ou sensible au rayonnement actif comprenant : une résine X ayant une structure spécifique; une résine Y ayant une structure spécifique; un composé produisant un acide en étant irradié par des rayons actifs ou un rayonnement actif; et un solvant. L'angle de contact en retrait, avec l'eau, d'un film formé en utilisant la composition de résine sensible aux rayons actifs ou sensible au rayonnement actif est de 73° ou plus.
(JA)
本発明の課題は、引き置き経時安定性に優れたレジスト膜を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することである。また、本発明の他の課題は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することである。 本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特定構造を有する樹脂Xと、特定構造を有する樹脂Yと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤と、を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、 上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される膜の水に対する後退接触角が73°以上である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報