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1. WO2020105505 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/105505
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044308
国際出願日 12.11.2019
IPC
C08F 220/28 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
26カルボキシ酸素以外の酸素を含有するエステル
28アルコール残基中に芳香族環をもたないもの
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C08F 220/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
28containing no aromatic rings in the alcohol moiety
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 王 惠瑜 OU Keiyu
  • 丹呉 直紘 TANGO Naohiro
  • 高橋 秀知 TAKAHASHI Hidenori
  • 後藤 研由 GOTO Akiyoshi
  • 川端 健志 KAWABATA Takeshi
  • 吉村 務 YOSHIMURA Tsutomu
代理人
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
優先権情報
2018-21944122.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU À UN RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that can be used to form a pattern having a cross-sectional shape having excellent rectangularity, and can be used to form a pattern having a line width which is less likely to undergo dimensional variations even over time after the formulation thereof. The present invention also addresses the problem of providing a resist film, pattern formation method, and electronic device production method that use the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention contains a resin that decomposes due to the action of an acid to increase the polarity thereof, a compound that generates an acid due to irradiation with actinic rays or radiation, and a halogen solvent, wherein the contained amount of the halogen solvent is 1 ppb by mass to 50 ppm by mass with respect to the total amount of the composition.
(FR)
La présente invention aborde le problème consistant à proposer une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement qui peut être utilisée pour former un motif dont la forme de la section transversale est remarquablement rectangulaire, et qui peut être utilisée pour former un motif dont la largeur de trait est moins susceptible de subir des variations dimensionnelles même avec le temps après sa formulation. La présente invention concerne également le problème consistant à proposer un film de réserve, un procédé de formation de motif et un procédé de production de dispositif électronique qui utilisent la composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement. La composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement selon la présente invention contient une résine qui se décompose sous l'effet d'un acide en vue d'une hausse de sa polarité, un composé qui génère un acide sous l'effet de son exposition à des rayons actiniques ou à un rayonnement, et un solvant halogéné, la quantité de solvant halogéné présente variant de 1 ppb en masse à 50 ppm en masse par rapport à la quantité totale de composition.
(JA)
本発明の課題は、形成されるパターンの断面形状が矩形性に優れ、且つ調製後に経時させても、形成されるパターンの線幅の寸法変動が生じにくい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することである。また、本発明の他の課題は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することである。 本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解して極性が増大する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、ハロゲン系溶剤と、を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、上記ハロゲン系溶剤の含有量が、組成物の全質量に対して、1質量ppb以上50質量ppm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報