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1. WO2020105483 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/105483
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044082
国際出願日 11.11.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 川口 義広 KAWAGUCHI, Yoshihiro
  • 中野 征二 NAKANO, Seiji
  • 児玉 宗久 KODAMA, Munehisa
  • 森 弘明 MORI, Hirotoshi
  • 田之上 隼斗 TANOUE, Hayato
  • 山脇 陽平 YAMAWAKI, Yohei
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-21856721.11.2018JP
2019-03495427.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
Provided is a substrate processing apparatus for processing a substrate, the apparatus comprising: a substrate holding part for holding a second substrate of a polymer substrate obtained by joining a first substrate and the second substrate; a circumferential edge removing part for removing, starting from a circumferential edge modified layer formed on the first substrate along a boundary between a circumferential edge part to be removed and a central part of the first substrate, the circumferential edge part from the polymer substrate held by the substrate holding part; and a recovery part provided with a recovery mechanism for recovering the circumferential edge part removed by the circumferential edge removing part.
(FR)
L'invention concerne un appareil de traitement de substrat pour traiter un substrat, l'appareil comprenant : une partie de maintien de substrat pour maintenir un second substrat d'un substrat polymère obtenu en joignant un premier substrat et le second substrat; une partie d'élimination de bord circonférentiel pour retirer, à partir d'une couche modifiée de bord circonférentiel formée sur le premier substrat le long d'une limite entre une partie de bord circonférentiel à retirer et une partie centrale du premier substrat, la partie de bord circonférentiel à partir du substrat polymère maintenu par la partie de maintien de substrat; et une partie de récupération pourvue d'un mécanisme de récupération pour récupérer la partie de bord circonférentiel retirée par la partie d'élimination de bord circonférentiel.
(JA)
基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する基板保持部と、前記第1の基板には除去対象の周縁部と前記第1の基板の中央部の境界に沿って周縁改質層が形成され、前記基板保持部に保持された前記重合基板に対し、前記周縁改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去部と、前記周縁除去部で除去された前記周縁部を回収する回収機構を備える回収部と、を有する。
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