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1. WO2020105476 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/105476
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043872
国際出願日 08.11.2019
IPC
H01L 23/48 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
CPC
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 吉原 克彦 YOSHIHARA Katsuhiko
代理人
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
優先権情報
2018-21943822.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
The semiconductor device A1 according to the present disclosure is provided with: semiconductor elements 10 (semiconductor elements 10A, 10B) having an element main surface and an element reverse surface facing mutually opposite directions in the z-direction; a support substrate 20 for supporting the semiconductor element 10; electroconductive blocks 60 (first block 61, second block 62) bonded to the element main surface with a first electroconductive bonding material (block bonding materials 610, 620) interposed therebetween; and metal members (lead member 40, input terminal 32) electrically connected to the semiconductor element 10 with an electroconductive block 60 interposed therebetween. The electroconductive blocks 60 have a thermal expansion coefficient smaller than that of the metal members. The electroconductive blocks 60 and the metal members are bonded by a welded part (welded parts M4, M2) in which a part of the electroconductive block 60 and a part of the metal member are fused together. Such a configuration makes it possible to improve resistance against heat cycles.
(FR)
Le dispositif à semi-conducteur A1 selon la présente invention comprend : des éléments semi-conducteurs 10 (éléments semi-conducteurs 10A, 10B) ayant une surface principale d'élément et une surface inverse d'élément faisant face à des directions mutuellement opposées dans la direction z ; un substrat de support 20 pour supporter l'élément semi-conducteur 10 ; des blocs électroconducteurs 60 (premier bloc 61, second bloc 62) liés à la surface principale d'élément avec un premier matériau de liaison électroconducteur (matériaux de liaison de bloc 610, 620) interposé entre ceux-ci ; et des éléments métalliques (élément conducteur 40, borne d'entrée 32) électriquement connectés à l'élément semi-conducteur 10 avec un bloc électroconducteur 60 interposé entre ceux-ci. Les blocs électroconducteurs 60 ont un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui des éléments métalliques. Les blocs électroconducteurs 60 et les éléments métalliques sont liés par une partie soudée (parties soudées M4, M2) dans lesquelles une partie du bloc électroconducteur 60 et une partie de l'élément métallique sont fusionnées ensemble. Une telle configuration permet d'améliorer la résistance aux cycles thermiques.
(JA)
本開示の半導体装置A1は、z方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子10(半導体素子10A,10B)と、半導体素子10を支持する支持基板20と、第1導電性接合材(ブロック接合材610,620)を介して素子主面に接合された導電ブロック60(第1ブロック61、第2ブロック62)と、導電ブロック60を介して半導体素子10に導通する金属部材(リード部材40、入力端子32)と、を備えている。導電ブロック60は、熱膨張係数が金属部材の熱膨張係数よりも小さい。導電ブロック60と金属部材とは、導電ブロック60の一部と金属部材の一部とが融接された溶接部(溶接部M4,M2)によって接合されている。このような構成により、熱サイクルに対する耐性の向上を図ることができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報