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1. WO2020105463 - 半導体モジュール、電力変換装置および半導体モジュールの製造方法

公開番号 WO/2020/105463
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043801
国際出願日 08.11.2019
IPC
H01L 23/473 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
46流動流体による熱の移動によるもの
473液体を流すことによるもの
H02M 7/48 2007.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/473
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
46involving the transfer of heat by flowing fluids
473by flowing liquids
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 露野 円丈 TSUYUNO Nobutake
  • 松下 晃 MATSUSHITA Akira
  • 金子 裕二朗 KANEKO Yujiro
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
2018-21930422.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR MODULE, POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN MODULE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール、電力変換装置および半導体モジュールの製造方法
要約
(EN)
A semiconductor module 900 comprises: a semiconductor device 300 comprising first and second fin bases 800 comprising first and second connection parts 810 and a resin 850 which seals off outer circumference lateral surfaces of first through fourth conductors 410-413; and a passage forming body 600 which is connected to the first and second connection parts 810 of the first and second fin bases 800. First plastic deformation parts 801 are provided which are plastically deformed such that a thickness direction gap between outer circumference end parts 810a of the first and second connection parts 810 is narrower than a thickness direction gap between intermediate parts 804 of the first and second connection parts 810. A space between the first and second connection parts 810 of the first and second fin bases 800 is filled with the resin 850.
(FR)
La présente invention concerne un module à semi-conducteur 900 comprenant : un dispositif à semi-conducteur 300 comprenant des première et seconde bases d'ailette 800 comprenant des première et seconde parties de connexion 810 et une résine 850 qui isole des surfaces latérales de circonférence externe de premier à quatrième conducteurs 410-413 ; et un corps de formation de passage 600 qui est relié aux première et seconde parties de connexion 810 des première et seconde bases d'ailette 800. Des premières parties de déformation plastique 801 sont déformées plastiquement de telle sorte qu'un intervalle de direction d'épaisseur entre des parties extrémité de circonférence externes 810a des première et seconde parties de connexion 810 est plus étroit qu'un intervalle de direction d'épaisseur entre des parties intermédiaires 840 des première et seconde parties de connexion 810. Un espace entre les première et seconde parties de connexion 810 des première et seconde bases d'ailette 800 est rempli avec la résine 850.
(JA)
半導体モジュール900は、第1、第2の接続部810を有する第1、第2のフィンベース800と、第1~第4の導体410~413の外周側面を封止する樹脂850とを備える半導体装置300と、第1、第2のフィンベース800の第1、第2の接続部810に接続された流路形成体600と、を備え、第1、第2の接続部810の外周端部810a間の厚さ方向の間隔は、第1、第2の接続部810の中間部804間の厚さ方向の間隔よりも小さくなるように塑性変形された第1の塑性変形部801を有し、樹脂850は、第1、第2のフィンベース800の第1、第2の接続部810間に充填されている。
他の公開
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