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1. WO2020105449 - 熱処理方法および熱処理装置

公開番号 WO/2020/105449
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043651
国際出願日 07.11.2019
IPC
H01L 21/26 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
H01L 21/265 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
265イオン注入法
CPC
H01L 21/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
H01L 21/265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 上野 智宏 UENO Tomohiro
  • 布施 和彦 FUSE Kazuhiko
  • 大森 麻央 OMORI Mao
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-21733220.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理方法および熱処理装置
要約
(EN)
When a command is issued for the commencement of dummy treatment in which heat treatment is carried out on a dummy wafer and a susceptor or other structure in a chamber is temperature controlled, the reflectivity of the surface of the dummy wafer is measured. If the measured reflectivity falls outside a prescribed range, the dummy wafer is not a normal dummy wafer, so an alarm is activated and, furthermore, the dummy treatment is suspended. Thus, the occurrence of a problem resulting from a dummy wafer, a product wafer, or the like in which degradation has progressed being erroneously subjected to dummy treatment can be prevented, and an appropriate dummy treatment can be carried out on a normal dummy wafer.
(FR)
Lors de l'émission d'une instruction de commencement d'un traitement factice durant lequel un traitement thermique est appliqué à une tranche factice et un suscepteur ou une autre structure dans une chambre est régulé en température, la réflectivité de la surface de la tranche factice est mesurée. Si la réflectivité mesurée ne s'inscrit pas dans une plage prescrite, la tranche factice n'est pas une tranche factice normale, ce qui active une alarme et suspend en outre le traitement factice. Il est ainsi possible d'empêcher l'apparition d'un problème consécutif à une tranche factice, une tranche de produit, ou analogue, selon lequel une dégradation a progressé du fait qu'elle est soumise à un traitement erroné, et un traitement factice approprié peut être appliqué à une tranche factice normale.
(JA)
ダミーウェハーに対して加熱処理を行ってサセプタ等のチャンバー内構造物を温調するダミー処理の開始が指示されると、当該ダミーウェハーの表面の反射率が測定される。測定された反射率が予め設定された所定範囲から外れている場合には、当該ダミーウェハーは正常なダミーウェハーではないため、アラームを発報し、さらにダミー処理を停止するようにしている。このため、劣化が進行したダミーウェハーまたはプロダクトウェハー等が誤ってダミー処理に供されることによる不具合の発生を防止し、正常なダミーウェハーに対して適正なダミー処理を行うことができる。
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