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1. WO2020105444 - 処理方法及び処理装置

公開番号 WO/2020/105444
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043619
国際出願日 07.11.2019
IPC
C23C 16/52 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
52被覆工程の制御または調整
CPC
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 鈴木 幹夫 SUZUKI, Mikio
  • 石坂 忠大 ISHIZAKA, Tadahiro
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-21860321.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESSING METHOD AND PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT
(JA) 処理方法及び処理装置
要約
(EN)
This processing method of one embodiment is a method for a processing device that carries out film forming processing for forming a metal film on a substrate accommodated in a processing container, using the ALD method or the CVD method, such methods using an organic metal compound. The processing method includes: a step for determining whether the standby time of the processing device is at least a set time which has been pre-set; and a step for carrying out conditioning processing on the processing container if the standby time is at least the set time.
(FR)
Ce procédé de traitement, selon un mode de réalisation de la présente invention, est un procédé destiné à un dispositif de traitement qui effectue un traitement de formation de film destiné à former un film métallique sur un substrat disposé dans un récipient de traitement par un procédé ALD ou un procédé CVD, de tels procédés utilisant un composé organométallique. Le procédé de traitement comprend : une étape consistant à déterminer si la durée de veille du dispositif de traitement est au moins égale à une durée de consigne qui a été prédéfinie ; et une étape consistant à effectuer un traitement de conditionnement sur le récipient de traitement si la durée de veille est au moins égale à la durée de consigne.
(JA)
本開示の一態様による処理方法は、有機金属化合物を用いたALD法又はCVD法により処理容器内に収容された基板の上に金属膜を形成する成膜処理を実行する処理装置における処理方法であって、前記処理装置の待機時間が予め設定した設定時間以上であるか否かを判定するステップと、前記待機時間が前記設定時間以上である場合に前記処理容器に対してコンディショニング処理を実行するステップと、を有する。
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