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1. WO2020105407 - パワー半導体装置

公開番号 WO/2020/105407
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043182
国際出願日 05.11.2019
IPC
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H02M 1/00 2007.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
H02M 1/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人
  • 日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 島津 ひろみ SHIMAZU Hiromi
  • 金子 裕二朗 KANEKO Yujiro
  • 加藤 徹 KATO Toru
  • 松下 晃 MATSUSHITA Akira
  • 井出 英一 IDE Eiichi
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
2018-21785921.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体装置
要約
(EN)
This power semiconductor device comprises an insulation substrate in which a first conductor layer is arranged on one surface, a first conductor connected to the first conductor layer via a first connection material, and a semiconductor element connected to the first conductor via the first connection material. As viewed from a direction perpendicular to an electrode surface of the semiconductor element, the first conductor has a peripheral part formed so as to be larger than the semiconductor element, and a first recess for increasing the thickness of the first connection material so as to be greater than the thickness of other portions is formed in the peripheral part.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur de puissance comprenant un substrat isolant dans lequel une première couche conductrice est disposée sur une surface, un premier conducteur connecté à la première couche conductrice par l'intermédiaire d'un premier matériau de connexion, et un élément semi-conducteur connecté au premier conducteur par l'intermédiaire du premier matériau de connexion. Vu depuis une direction perpendiculaire à une surface d'électrode de l'élément semi-conducteur, le premier conducteur a une partie périphérique formée de manière à être plus grande que l'élément semi-conducteur, et un premier renfoncement pour augmenter l'épaisseur du premier matériau de connexion de façon à être supérieur à l'épaisseur d'autres parties est formé dans la partie périphérique
(JA)
一面に第1導体層が配置される絶縁基板と、前記第1導体層に第1接続材を介して接続される第1導体と、前記第1導体と第1接続材を介して接続される半導体素子と、を備え、前記半導体素子の電極面の直角方向から見た場合、前記第1導体は、前記半導体素子よりも大きく形成される周辺部を有し、前記周辺部には、前記第1接続材の厚みが他の部分よりも厚くなるための第1凹部が形成されているパワー半導体装置。
他の公開
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