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1. WO2020105403 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2020/105403
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043060
国際出願日 01.11.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 根来 世 NEGORO, Sei
  • 岩尾 通矩 IWAO, Michinori
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2018-21805821.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN)
According to the present invention, a low-oxygen gas having an oxygen concentration lower than the oxygen concentration in the air is supplied into a first gas generation tank 122 which stores a treatment liquid, and low-oxygen gas bubbles are generated in the treatment liquid in the first gas generation tank 122. Thus, a first adjustment gas including the low-oxygen gas and the treatment liquid is generated. Then, the first adjustment gas is dissolved in a treatment liquid in a first supply tank 72A, and the dissolved oxygen concentration in the treatment liquid in the first supply tank 72A is adjusted. Then, the treatment liquid in the first supply tank 72A is supplied to a substrate W.
(FR)
Selon la présente invention, un gaz à faible teneur en oxygène ayant une concentration en oxygène inférieure à la concentration en oxygène dans l'air est introduit dans un premier réservoir de génération de gaz 122 qui stocke un liquide de traitement, et des bulles de gaz à faible teneur en oxygène sont générées dans le liquide de traitement dans le premier réservoir de génération de gaz 122. Ainsi, un premier gaz d'ajustement comprenant le gaz à faible teneur en oxygène et le liquide de traitement est généré. Ensuite, le premier gaz de réglage est dissous dans un liquide de traitement dans un premier réservoir d'alimentation 72A, et la concentration en oxygène dissous dans le liquide de traitement dans le premier réservoir d'alimentation 72A est ajustée. Ensuite, le liquide de traitement dans le premier réservoir d'alimentation 72A est fourni à un substrat W.
(JA)
処理液を貯留する第1ガス生成タンク122内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、第1ガス生成タンク122内の処理液中に低酸素ガスの気泡を形成する。これにより、低酸素ガスと処理液とを含む第1調整ガスが生成される。その後、第1供給タンク72A内の処理液に第1調整ガスを溶解させ、第1供給タンク72A内の処理液の溶存酸素濃度を調整する。その後、第1供給タンク72A内の処理液を基板Wに供給する。
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