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1. WO2020105376 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2020/105376
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042188
国際出願日 28.10.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • ▲高▼橋 弘明 TAKAHASHI, Hiroaki
  • 藤原 直澄 FUJIWARA, Naozumi
  • 尾辻 正幸 OTSUJI, Masayuki
  • 吉田 幸史 YOSHIDA, Yukifumi
  • 上田 大 UEDA, Dai
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2018-21942922.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN)
This substrate processing method includes: a first liquid film forming step for supplying a processing liquid containing a solid forming substance to a surface of a substrate to form a first liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate; a first solid film forming step for forming, from the first liquid film, a first solid film containing the solid forming substance in a solid state; a first solid film peeling removal step for supplying a peeling liquid for peeling the first solid film to the surface of the substrate to peel and remove the first solid film from the surface of the substrate; a second liquid film forming step for supplying the processing liquid to the surface of the substrate, after the first solid film has been removed from the surface of the substrate, to form a second liquid film of the processing liquid on the surface of the substrate; a second solid film forming step for forming, from the second liquid film, a second solid film containing the solid forming substance in a solid state; and a second solid film vaporizing removal step for removing the second solid film from the surface of the substrate by vaporizing the second solid film in such a manner that the liquid state thereof is skipped.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une première étape de formation de film liquide pour fournir un liquide de traitement contenant une substance de formation solide à une surface d'un substrat pour former un premier film liquide du liquide de traitement sur la surface du substrat; une première étape de formation de film solide pour former, à partir du premier film liquide, un premier film solide contenant la substance de formation solide dans un état solide; une première étape de retrait de pelage de film solide pour fournir un liquide de pelage pour peler le premier film solide à la surface du substrat pour peler et retirer le premier film solide de la surface du substrat; une seconde étape de formation de film liquide pour fournir le liquide de traitement à la surface du substrat, après que le premier film solide a été retiré de la surface du substrat, pour former un second film liquide du liquide de traitement sur la surface du substrat; une seconde étape de formation de film solide pour former, à partir du second film liquide, un second film solide contenant la substance de formation solide dans un état solide; et une seconde étape de retrait de vaporisation de film solide pour retirer le second film solide de la surface du substrat par vaporisation du second film solide de telle sorte que l'état liquide de celui-ci est ignoré.
(JA)
基板処理方法は、固体形成物質を含有する処理液を、基板の表面に供給することによって、前記処理液の第1液膜を前記基板の表面に形成する第1液膜形成工程と、固体状態の前記固体形成物質を含有する第1固体膜を前記第1液膜から形成する第1固体膜形成工程と、前記第1固体膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給することによって、前記基板の表面から前記第1固体膜を剥離して除去する第1固体膜剥離除去工程と、前記第1固体膜を前記基板の表面から除去した後に、前記処理液を前記基板の表面に供給することによって、前記基板の表面に前記処理液の第2液膜を形成する第2液膜形成工程と、固体状態の前記固体形成物質を含有する第2固体膜を前記第2液膜から形成する第2固体膜形成工程と、液体状態を経ないように前記第2固体膜を気化させて、前記第2固体膜を前記基板の表面から除去する第2固体膜気化除去工程とを含む。
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