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1. WO2020105367 - 金属化合物膜の成膜方法及び反応性スパッタ装置

公開番号 WO/2020/105367
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041940
国際出願日 25.10.2019
IPC
C23C 14/08 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
出願人
  • 株式会社シンクロン SHINCRON CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 税所 慎一郎 SAISHO, Shinichiro
  • 田中 康仁 TANAKA, Yasuhito
代理人
  • とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM
優先権情報
2018-21731920.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METALLIC COMPOUND FILM DEPOSITION METHOD AND REACTIVE SPUTTERING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM DE COMPOSÉ MÉTALLIQUE ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RÉACTIVE
(JA) 金属化合物膜の成膜方法及び反応性スパッタ装置
要約
(EN)
This method is for depositing a metallic compound film, the method comprising: a first step for attaching, to a sputter electrode, at least two targets having different maximal values for the absolute value of the change rate of deposition speed with respect to a reactive gas flow rate, supplying a first sputtering intended electric power that is set in accordance with a pulse control signal pattern, to the sputter electrode having a first target attached thereto in a state where an electric discharge gas is introduced in a deposition chamber, and forming a metallic super-thin film of the first target on a substrate by stopping the introduction of the reactive gas into the deposition chamber from a reactive gas introducer only at an intended introduction timing set from the pulse control signal pattern; and a second step for supplying a second sputtering intended electric power that is set in accordance with the pulse control signal pattern, to the sputter electrode having a second target attached thereto in a state where the electric discharge gas is introduced in the deposition chamber, and forming a metallic super-thin film of the second target on the substrate by introducing the reactive gas into the deposition chamber from the reactive gas introducer only at the intended introduction timing set from the pulse control signal pattern.
(FR)
L’invention concerne un procédé destiné à déposer un film de composé métallique, le procédé comprenant : une première étape de fixation, à une électrode de pulvérisation, d’au moins deux cibles ayant des valeurs maximales différentes en terme de valeur absolue du taux de changement de vitesse de dépôt par rapport à un débit de gaz réactif, de fourniture d’une première puissance électrique destinée à la pulvérisation qui est réglée en fonction d'un motif de signal de commande d'impulsion, à l'électrode de pulvérisation sur laquelle une première cible est fixée dans un état dans lequel un gaz de décharge électrique est introduit dans une chambre de dépôt, et de formation d'un film métallique ultra-mince de la première cible sur un substrat par l'arrêt de l'introduction du gaz réactif dans la chambre de dépôt en provenance d'un dispositif d'introduction de gaz réactif, uniquement à un instant d'introduction prévu réglé à partir du motif de signal de commande d'impulsion ; et une seconde étape de fourniture d’une seconde puissance électrique destinée à la pulvérisation qui est réglée en fonction du motif de signal de commande d'impulsion, à l'électrode de pulvérisation sur laquelle une seconde cible est fixée dans un état dans lequel le gaz de décharge électrique est introduit dans la chambre de dépôt, et de formation d'un film métallique ultra-mince de la seconde cible sur le substrat par introduction du gaz réactif dans la chambre de dépôt en provenance du dispositif d'introduction de gaz réactif, uniquement à l'instant d'introduction prévu réglé à partir du motif de signal de commande d'impulsion.
(JA)
反応ガス流量に対する成膜速度の変化率の絶対値の極大値が異なる少なくとも2つのターゲットをスパッタ電極に装着し、成膜室に放電ガスを導入した状態で第1のターゲットが装着されたスパッタ電極にパルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ反応ガス導入機から成膜室へ反応ガスを導入しないで基板に第1のターゲットの金属超薄膜を形成する第1の工程と、成膜室に放電ガスを導入した状態で第2のターゲットが装着されたスパッタ電極に前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から成膜室へ反応ガスを導入し、基板に第2のターゲットの金属超薄膜を形成する第2の工程とを備える方法により金属化合物膜を成膜する。
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