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1. WO2020105362 - 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法

公開番号 WO/2020/105362
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041860
国際出願日 25.10.2019
IPC
H01S 5/343 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
343A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01S 5/042 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
04励起方法またはその装置,例.ポンピング
042電気的励起
H01S 5/22 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
CPC
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01S 5/042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
H01S 5/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
H01S 5/343
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 丹下 貴志 TANGE, Takashi
  • 田才 邦彦 TASAI, Kunihiko
  • 徳田 耕太 TOKUDA, Kota
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2018-21695720.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
要約
(EN)
This nitride semiconductor laser element according to one embodiment comprises: a single crystal substrate that extends along one direction; a base layer comprising a nitride semiconductor provided on the single crystal substrate; a sheet-like structure that comprises a nitride semiconductor and that is erected on the base layer in a vertical direction with respect to the base layer, the sheet-like structure being configured so that the side surface thereof extends in the longitudinal direction of the single crystal substrate and has a larger surface area than the top surface of the sheet-like structure; a light emitting layer comprising a nitride semiconductor provided on at least the side surface of the sheet-like structure; and a resonator mirror configured from a pair of end faces of the sheet-like structure which oppose each other in the longitudinal direction.
(FR)
L'élément laser à semi-conducteur au nitrure selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat monocristallin qui s'étend le long d'une direction ; une couche de base comprenant un semi-conducteur au nitrure disposé sur le substrat monocristallin ; une structure de type feuille qui comprend un semi-conducteur au nitrure et qui est dressée sur la couche de base dans une direction verticale par rapport à la couche de base, la structure de type feuille étant configurée de telle sorte que la surface latérale de celle-ci s'étend dans la direction longitudinale du substrat monocristallin et a une surface plus grande que la surface supérieure de la structure de type feuille ; une couche électroluminescente comprenant un semi-conducteur au nitrure disposée sur au moins la surface latérale de la structure de type feuille ; et un miroir de résonateur configuré à partir d'une paire de faces d'extrémité de la structure de type feuille qui s'opposent l'une à l'autre dans la direction longitudinale.
(JA)
本開示の一実施形態の窒化物半導体レーザ素子は、一方向に延在する単結晶基板と、単結晶基板上に設けられた窒化物半導体からなるベース層と、ベース層上において、ベース層に対して垂直方向に立設され、単結晶基板の長手方向に延在する側面の面積が上面の面積よりも大きく、窒化物半導体からなるシート状構造体と、少なくともシート状構造体の側面に設けられた窒化物半導体からなる発光層と、シート状構造体の長手方向に対向する一対の端面によって構成される共振器ミラーとを備える。
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