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1. WO2020105361 - 撮像装置及び撮像システム

公開番号 WO/2020/105361
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041830
国際出願日 25.10.2019
IPC
H01L 31/0232 2014.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0232装置と結合した光学素子または光学装置
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 27/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
H01L 31/0232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 徳原 健富 TOKUHARA Takeyoshi
  • 宍戸 三四郎 SHISHIDO Sanshiro
  • 三宅 康夫 MIYAKE Yasuo
  • 町田 真一 MACHIDA Shinichi
代理人
  • 鎌田 健司 KAMATA Kenji
  • 野村 幸一 NOMURA Koichi
優先権情報
2018-21649919.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING DEVICE AND IMAGING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ET SYSTÈME D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置及び撮像システム
要約
(EN)
This imaging device of one mode of the present disclosure comprises: a semiconductor substrate that has a first surface for receiving light from outside and a second surface on the opposite side to the first surface; a first transistor that is positioned on the second surface; and a photoelectric conversion unit that faces the second surface, and that receives light that was transmitted through the semiconductor substrate. The semiconductor substrate is a silicon substrate or a silicon compound substrate. The photoelectric conversion unit includes: a first electrode that is electrically connected to the first transistor; a second electrode; and a photoelectric conversion layer that is positioned between the first electrode and the second electrode, and that includes a material for absorbing light of a first wavelength of 1.1 µm or greater. The first electrode is positioned between the second surface and the photoelectric conversion layer. The spectral sensitivity of the material in the wavelength region of 1.0 µm or greater to less than 1.1 µm is within a range of 0% to 5% [inclusive] of the maximum value of the spectral sensitivity of the material in the wavelength region of 1.1 µm or greater.
(FR)
Le dispositif d'imagerie d'un mode de la présente invention comprend : un substrat semi-conducteur qui a une première surface pour recevoir de la lumière de l'extérieur et une seconde surface sur le côté opposé à la première surface ; un premier transistor qui est positionné sur la seconde surface ; et une unité de conversion photoélectrique qui fait face à la seconde surface, et qui reçoit la lumière qui a été transmise à travers le substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur est un substrat de silicium ou un substrat de composé de silicium. L'unité de conversion photoélectrique comprend : une première électrode qui est électriquement connectée au premier transistor ; une seconde électrode ; et une couche de conversion photoélectrique qui est positionnée entre la première électrode et la seconde électrode, et qui comprend un matériau pour absorber la lumière d'une première longueur d'onde inférieure ou égale à 1,1 µm. La première électrode est positionnée entre la seconde surface et la couche de conversion photoélectrique. La sensibilité spectrale du matériau dans la région de longueur d'onde de 1,0 µm ou plus à moins de 1,1 µm se situe dans une plage de 0 % à 5 % [inclus] de la valeur maximale de la sensibilité spectrale du matériau dans la région de longueur d'onde de 1,1 µm ou plus.
(JA)
本開示の一態様に係る撮像装置は、外部からの光を受ける第1面および前記第1面の反対側の第2面を有する半導体基板と、前記第2面上に位置する第1トランジスタと、前記第2面に面しており、前記半導体基板を透過した光を受ける光電変換部と、を備える。前記半導体基板は、シリコン基板またはシリコン化合物基板である。前記光電変換部は、前記第1トランジスタに電気的に接続された第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、1.1μm以上の第1波長の光を吸収する材料を含む光電変換層と、を含む。前記第1電極は、前記第2面と前記光電変換層との間に位置する。前記材料の1.0μm以上1.1μm未満の波長域における分光感度は、前記材料の1.1μm以上の波長域における分光感度の最大値の0%以上5%以下の範囲内である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報