処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020105360 - 光センサ及び光検出システム

公開番号 WO/2020/105360
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041829
国際出願日 25.10.2019
IPC
H01L 31/0232 2014.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0232装置と結合した光学素子または光学装置
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/0232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 宍戸 三四郎 SHISHIDO Sanshiro
  • 町田 真一 MACHIDA Shinichi
  • 徳原 健富 TOKUHARA Takeyoshi
  • 能澤 克弥 NOZAWA Katsuya
代理人
  • 鎌田 健司 KAMATA Kenji
  • 野村 幸一 NOMURA Koichi
優先権情報
2018-21649819.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL SENSOR AND OPTICAL DETECTION SYSTEM
(FR) CAPTEUR OPTIQUE ET SYSTÈME DE DÉTECTION OPTIQUE
(JA) 光センサ及び光検出システム
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing an optical sensor (100) which can image a narrow band and can be manufactured inexpensively and to be robust. This optical sensor (100) comprises: a photoelectric conversion layer (10); and a long pass filter (60) that is disposed above the photoelectric conversion layer (10) and selectively transmits components of incident light that have a wavelength greater than or equal to a cut-on wavelength (λC). The photoelectric conversion layer (10) has spectral sensitivity characteristics in which a first peak (Pk1) is exhibited at a first wavelength (λ1) which is longer than the cut-on wavelength (λC) of the long pass filter (60). The spectral sensitivity of the photoelectric conversion layer (10) in the cut-on wavelength (λC) is 0-50% of the spectral sensitivity of the photoelectric conversion layer (10) in the first wavelength (λ1).
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un capteur optique (100) permettant de former une image d'une bande étroite et pouvant être fabriqué de manière peu coûteuse et être robuste. Le présent capteur optique (100) comprend : une couche de conversion photoélectrique (10) ; et un filtre passe-long (60) qui est disposé au-dessus de la couche de conversion photoélectrique (10) et qui transmet sélectivement des composantes de lumière incidente qui ont une longueur d'onde supérieure ou égale à une longueur d'onde de coupure (λC). La couche de conversion photoélectrique (10) a des caractéristiques de sensibilité spectrale selon lesquelles un premier pic (Pk1) est présenté à une première longueur d'onde (λ1) qui est plus longue que la longueur d'onde de coupure (λC) du filtre passe-long (60). La sensibilité spectrale de la couche de conversion photoélectrique (10) dans la longueur d'onde de coupure (λC) est comprise entre 0 et 50 % de la sensibilité spectrale de la couche de conversion photoélectrique (10) dans la première longueur d'onde (λ1).
(JA)
本発明は狭帯域の撮像が可能な、ロバストかつ安価に製造可能な光センサ(1 00)を提供することを課題とする。光センサ(100)は、光電変換層(1 0)と、前記光電変換層(10)の上方に配置され、入射した光のうちカッ トオン波長(λC)以上の波長を有する成分を選択的に透過させるロングパ スフィルタ(60)とを備える。前記光電変換層(10)は、前記ロングパ スフィルタ(60)の前記カットオン波長(λC)よりも長い第1波長(λ1) に第1ピーク(Pk1)を示す分光感度特性を有する。前記カットオン波長 (λC)における前記光電変換層(10)の分光感度は、前記第1波長(λ1) における前記光電変換層(10)の分光感度の0%以上50%以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報