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1. WO2020105340 - ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法

公開番号 WO/2020/105340
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/041349
国際出願日 21.10.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/312 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312有機物層,例.フォトレジスト
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 福井 由季 FUKUI Yuki
  • 奥村 雄三 OKUMURA Yuzo
  • 照井 貴陽 TERUI Yoshiharu
  • 公文 創一 KUMON Soichi
代理人
  • 速水 進治 HAYAMI Shinji
優先権情報
2018-21894222.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BEVELED PART TREATMENT AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER
(FR) COMPOSITION D'AGENT DE TRAITEMENT DE PARTIE BISEAUTÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE
(JA) ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法
要約
(EN)
This beveled part treatment agent composition is used to treat a beveled part of a wafer and contains a silylating agent, wherein the bevel part treatment agent composition has characteristics in which a surface modification index Y and a surface modification index Z measured by prescribed procedures satisfies 0.5 ≤ Y / Z ≤ 1.0.
(FR)
La présente invention concerne une composition d'agent de traitement de partie biseautée, qui est utilisée pour traiter une partie biseautée d'une tranche et contient un agent silylant, la composition d'agent de traitement de partie biseautée ayant des caractéristiques dans lesquelles un indice de modification de surface Y et un indice de modification de surface Z mesurés par des procédures prescrites satisfont à 0,5 ≤ Y/Z ≤ 1,0.
(JA)
本発明のベベル部処理剤組成物は、ウェハのベベル部を処理するために用いる、シリル化剤を含有するベベル部処理剤組成物であって、所定の手順で測定される表面改質指標Yと表面改質指標Zとが0.5≦Y/Z≦1.0を満たすという特性を有するものである。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報