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1. WO2020105319 - 欠陥検査装置、欠陥検査方法

公開番号 WO/2020/105319
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040545
国際出願日 16.10.2019
IPC
G01N 21/956 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84特殊な応用に特に適合したシステム
88きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956物体表面のパターンの検査
G03F 1/84 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
82補助的なプロセス,例.クリーニング
84検査
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01N 21/956
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
G03F 1/84
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
84Inspecting
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 広井 高志 HIROI Takashi
  • 広瀬 展明 HIROSE Nobuaki
  • 浦野 貴裕 URANO Takahiro
代理人
  • 特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES
優先権情報
2018-21621219.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEFECT INSPECTION DEVICE AND DEFECT INSPECTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'INSPECTION DE DÉFAUTS ET PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DÉFAUTS
(JA) 欠陥検査装置、欠陥検査方法
要約
(EN)
The purpose of this invention is to make it possible to efficiently and accurately detect a reticle defect at an earlier stage in a manufacturing process. The inspection device according to this invention uses the results of comparing die images of wafers that have had patterns transferred thereto using the same reticle after subjecting the die images to averaging processing and the results of comparing the die images without subjecting the same to averaging processing to distinguish a random defect signal caused by a huge defect, or the like, and having an extremely high brightness from a repeated defect signal, and only extracts repeated defects with higher accuracy (see FIG. 4A).
(FR)
L'objectif de la présente invention est de permettre de détecter efficacement et précisément un défaut de réticule à un stade précoce dans un processus de fabrication. Le dispositif d'inspection selon cette invention utilise les résultats de la comparaison d'images de puce de tranches qui ont eu des motifs transférés sur celles-ci à l'aide du même réticule après la soumission des images de puce à un traitement de moyenne et les résultats de la comparaison des images de puce sans les soumettre à un traitement de moyenne pour distinguer un signal de défaut aléatoire provoqué par un énorme défaut, ou similaire, et ayant une luminosité extrêmement élevée à partir d'un signal de défaut répété, et extrait uniquement des défauts répétés avec une plus grande précision (voir FIG. 4A).
(JA)
本発明は、レチクルが有する欠陥を製造工程のより早い段階において効率的かつ精度よく検出することができる技術を提供することを目的とする。本発明に係る検査装置は、同一のレチクルを用いてパターンを転写したウェハのダイ画像において、平均化処理したダイ画像同士の比較結果と、平均化処理しないダイ画像同士の比較結果を用いて、巨大欠陥等の輝度の非常に強いランダム欠陥信号とリピート欠陥の信号とを区別し、リピート欠陥のみをより精度高く抽出する(図4A参照)。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報