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1. WO2020105313 - 固体撮像素子、および、撮像装置

公開番号 WO/2020/105313
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040379
国際出願日 15.10.2019
IPC
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 丹羽 篤親 NIWA, Atsumi
代理人
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
優先権情報
2018-21659019.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像素子、および、撮像装置
要約
(EN)
In this solid-state imaging element which detects the presence or absence of an address event, the power consumed during image capture is reduced. The solid-state imaging element has multiple pixels and an analog-to-digital conversion unit. In the solid-state imaging element, each of the multiple pixels generates an analog signal through photoelectric conversion. Furthermore, in the solid-state imaging element, the analog-to-digital conversion unit converts to a digital signal the analog signal of those of the multiple pixels for which the amount of change in incident light is outside of a prescribed range.
(FR)
Dans cet élément d'imagerie à semi-conducteurs qui détecte la présence ou l'absence d'un événement d'adresse, la puissance consommée pendant la capture d'image est réduite. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend de multiples pixels et une unité de conversion analogique-numérique. Dans l'élément d'imagerie à semi-conducteurs, chacun des multiples pixels génère un signal analogique par conversion photoélectrique. En outre, dans l'élément d'imagerie à semi-conducteurs, l'unité de conversion analogique-numérique convertit en un signal numérique le signal analogique de ceux des multiples pixels pour lesquels la quantité de changement de lumière incidente est à l'extérieur d'une plage prescrite.
(JA)
アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子において、画像を撮像する際の消費電力を低減する。 固体撮像素子は、複数の画素と、アナログデジタル変換部とを具備する。この固体撮像素子において、複数の画素のそれぞれは、光電変換によりアナログ信号を生成する。さらに、この固体撮像素子において、アナログデジタル変換部は、複数の画素のうち入射光量の変化量が所定範囲外である画素のアナログ信号をデジタル信号に変換する。
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