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1. WO2020105298 - シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法

公開番号 WO/2020/105298
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/039403
国際出願日 04.10.2019
IPC
B24B 9/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
B24B 53/06 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
53研削面のドレッシングまたは正常化のための装置または手段
06総型砥石車のもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 53/06
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
53Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
06of profiled abrasive wheels
B24B 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 石田 賢太郎 ISHIDA Kentarou
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2018-21658519.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON WAFER HELICAL CHAMFER MACHINING METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'USINAGE DE CHANFREIN HÉLICOÏDAL DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法
要約
(EN)
Provided is a silicon wafer chamfer machining method capable of increasing the number of times a chamfer wheel used for helical chamfer machining is able to machine when a finished wafer slope angle is to be at a low angle. This silicon wafer chamfer machining method is for performing helical chamfer machining in such a manner that, at an edge portion of a silicon wafer W, a finished wafer slope angle θ satisfies an allowed angular range of a target wafer slope angle θ0, the method including a first truing step S10, a first chamfer machining step S20, a step S30 of determining, after the grinding stone part 10 has undergone the first chamfer machining step, the groove bottom diameter ⌀A thereof, a second truing step S40, and a second chamfering step S50, wherein the second truer inclination angle α2 is set to be smaller than the first truer inclination angle α1.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'usinage de chanfrein de tranche de silicium capable d'augmenter le nombre de fois qu'une roue de chanfrein utilisée pour un usinage de chanfrein hélicoïdal est capable d'usiner lorsqu'un angle de pente de tranche fini doit être à un angle faible. Le présent procédé d'usinage de chanfrein de tranche de silicium est destiné à effectuer un usinage de chanfrein hélicoïdal de telle sorte que, au niveau d'une partie de bord d'une tranche de silicium W, un angle de pente θ de tranche fini satisfait une plage angulaire autorisée d'un angle de pente de tranche cible θ0, le procédé comprenant une première étape de centrage S10, une première étape d'usinage de chanfrein S20, une étape S30 consistant à déterminer, après que la partie de pierre de meulage 10 a subi la première étape d'usinage de chanfrein, le diamètre de fond de rainure ⌀A de celui-ci, une seconde étape de centrage S40, et une seconde étape de chanfreinage S50, le second angle d'inclinaison de centrage α2 étant défini pour être inférieur au premier angle d'inclinaison de centrage α1.
(JA)
仕上がりウェーハ傾斜角度を低角度とする場合に、ヘリカル面取り加工に用いる面取りホイールの加工可能回数を増大できるシリコンウェーハの面取り加工方法を提供する。シリコンウェーハWのエッジ部における仕上がりウェーハ傾斜角度θが目標ウェーハ傾斜角度θ0の許容角度範囲内を満足するようヘリカル面取り加工するシリコンウェーハの面取り加工方法において、第1ツルーイング工程S10と、第1面取り加工工程S20と、前記第1面取り加工工程を経た後の前記砥石部10の溝底径φAを求める工程S30と、第2ツルーイング工程S40と、第2面取り工程S50と、を含み、前記第2のツルアー傾斜角度α2を、前記第1のツルアー傾斜角度α1よりも小さくする。
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