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1. WO2020105265 - 太陽電池の製造方法

公開番号 WO/2020/105265
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036765
国際出願日 19.09.2019
IPC
H01L 31/0747 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(登録商標)の太陽電池とのヘテロ結合
H01L 21/308 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308マスクを用いるもの
H01L 31/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
H01L 21/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
出願人
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 口山 崇 KUCHIYAMA Takashi
代理人
  • 藤田 隆 FUJITA Takashi
  • 大南 匡史 OHMINAMI Tadashi
優先権情報
2018-21820821.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a solar cell manufacturing method with which solar cells having high performance can be manufactured more efficiently compared to conventional art. The invention comprises: a first semiconductor layer formation step for forming a first semiconductor layer on a first principal surface side of a semiconductor substrate; a lift-off layer lamination step for laminating a lift-off layer on the first semiconductor layer; a patterning step for selectively removing each of the first semiconductor layer and the lift-off layer; a second semiconductor layer formation step for forming a second semiconductor layer on the first principal surface side in a manner extending from a section where the first semiconductor layer and the lift-off layer have been removed and spanning a section where the first semiconductor layer and the lift-off layer are laminated; and a lift-off step for removing the second semiconductor layer covering the lift-off layer by removing the lift-off layer. In the patterning step, the first semiconductor layer and the lift-off layer are removed by using a plurality of types of etching solutions so that the etching area of the first semiconductor layer becomes equal to or less than the etching area of the lift-off layer. The lift-off layer includes a metal as a main component.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellule solaire avec lequel des cellules solaires ayant une performance élevée peuvent être fabriquées plus efficacement par rapport à l'état de la technique classique. Le procédé comprend les étapes suivantes : une première étape de formation de couche semi-conductrice pour former une première couche semi-conductrice sur un premier côté de surface principale d'un substrat semi-conducteur; une étape de stratification de couche de décollement pour stratifier une couche de décollement sur la première couche de semi-conducteur; une étape de formation de motif pour retirer sélectivement chacune de la première couche de semi-conducteur et de la couche de décollement; une seconde étape de formation de couche semi-conductrice pour former une seconde couche semi-conductrice sur le premier côté de surface principale d'une manière à s'étendre à partir d'une section où la première couche semi-conductrice et la couche de décollement ont été retirées et de recouvrir une section où la première couche semi-conductrice et la couche de décollement sont stratifiées; et une étape de décollement pour retirer la seconde couche semi-conductrice recouvrant la couche de décollement par retrait de la couche de décollement. Dans l'étape de formation de motifs, la première couche semi-conductrice et la couche de décollement sont retirées en utilisant une pluralité de types de solutions de gravure de telle sorte que la zone de gravure de la première couche semi-conductrice devient égale ou inférieure à la zone de gravure de la couche de décollement. La couche de décollement comprend un métal comme composant principal.
(JA)
本発明は、従来に比べて高性能な太陽電池を効率良く製造可能な太陽電池の製造方法を提供する。 半導体基板の第1主面側に第1半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、第1半導体層上にリフトオフ層を積層するリフトオフ層積層工程と、第1半導体層及びリフトオフ層を選択的にそれぞれ除去するパターニング工程と、第1半導体層及びリフトオフ層の除去部分から第1半導体層及びリフトオフ層の積層部分に跨るように第1主面側に第2半導体層を形成する第2半導体層形成工程と、リフトオフ層を除去してリフトオフ層を覆う第2半導体層を除去するリフトオフ工程を含み、パターニング工程では、第1半導体層のエッチング面積がリフトオフ層のエッチング面積以下になるように複数種類のエッチング液を用いて第1半導体層及びリフトオフ層を除去するものであり、リフトオフ層は、金属を主成分とする。
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