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1. WO2020105212 - 炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置

公開番号 WO/2020/105212
公開日 28.05.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/026261
国際出願日 02.07.2019
IPC
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 25/14 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
14ガスの供給および排出手段;反応ガス流の調節
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C30B 25/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 塩見 弘 SHIOMI, Hiromu
  • 渡邊 容子 WATANABE, Yoko
  • 和田 圭司 WADA, Keiji
  • 土井 秀之 DOI, Hideyuki
  • 寺尾 岳見 TERAO, Takemi
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2018-21722520.11.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置
要約
(EN)
This device for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate comprises: a quartz tube; an induction heating coil; a heat-generating body that is inductively heated by the induction heating coil; and a heat insulating member. The quartz tube includes: a cylindrical part; a wall section that closes one end of the cylindrical part and in which a first through-hole is formed; and a gas introduction tube that is connected to the wall section at the first through-hole so as to communicate with the inside of the cylindrical part. The heat-generating body is disposed in the inside. The heat insulating member is disposed on the inner side surface of the wall section so as to cover the edge of the first through-hole. The heat insulating member has formed therein a second-through hole that connects with the first through-hole. The cross-sectional area of the second through-hole at the inside-side end is greater than the cross-sectional area of the second through-hole at the wall section-side end.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de fabrication d'un substrat épitaxial de carbure de silicium qui comprend : un tube de quartz ; une bobine de chauffage par induction ; un corps produisant de la chaleur qui est chauffé par induction par la bobine de chauffage par induction ; et un élément d'isolation thermique. Le tube de quartz comprend : une partie cylindrique ; une section de paroi qui ferme une extrémité de la partie cylindrique et dans laquelle un premier trou traversant est formé ; et un tube d'introduction de gaz qui est relié à la section de paroi au niveau du premier trou traversant de façon à communiquer avec l'intérieur de la partie cylindrique. Le corps produisant de la chaleur est placé à l'intérieur. L'élément d'isolation thermique est disposé sur la surface latérale interne de la section de paroi de façon à recouvrir le bord du premier trou traversant. L'élément d'isolation thermique comprend, formé à l'intérieur, un second trou traversant qui est relié au premier trou traversant. La section transversale du second trou traversant au niveau de l'extrémité du côté intérieur est plus grande que la section transversale du second trou traversant au niveau de l'extrémité du côté de la section de paroi.
(JA)
炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置は、石英管と、誘導加熱コイルと、誘導加熱コイルにより誘導加熱される発熱体と、断熱部材とを備える。石英管は、筒状部と、筒状部の一方端を閉塞するとともに、第1貫通穴が形成された壁部と、第1貫通穴において筒状部の内部と連通するように壁部に接続されているガス導入管とを有している。発熱体は、内部に配置されている。断熱部材は、第1貫通穴の縁を覆うように壁部の内部側の面上に配置されている。断熱部材には、第1貫通穴と接続する第2貫通穴が形成されている。内部側の端部における第2貫通穴の断面積は、壁部側の端部における第2貫通穴の断面積よりも大きい。
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